晶圆切割保护膜结构及其制造方法与使用其之切割晶圆技术

本发明专利技术提供一种晶圆切割保护膜结构其依序包含一离形层、一热传导组成物层、一人工石墨片层、一压感黏着层及一切割层；其中，该热传导组成物层及人工石墨片层，可提供良好的导热性、EMI遮蔽性及弯折性，有效提升半导体装置之均热性及散热性。

Structure of wafer cutting protective film and its manufacturing method and cutting wafer using it

The invention provides a wafer cutting protective film structure which sequentially comprises a release layer, a heat conduction layer, an artificial graphite layer, a pressure sensitive adhesive layer and a cutting layer; wherein, the heat conduction layer and artificial graphite layer can provide good thermal conductivity, EMI shielding and bending, effectively enhance the semiconductor devices are hot and heat.

【技术实现步骤摘要】
晶圆切割保护膜结构及其制造方法与使用其之切割晶圆
本专利技术系关于一种保护膜结构，特别系一种晶圆切割保护膜结构。先前技术半导体晶圆封装后，可使用于各种电子产品中，而由于电子产品（如智能型手机或平板点脑等）日趋轻薄化的需求，如何能使半导体装置能更加轻薄一直都是产业的开发目标。此外，电子产品如何能有效地散热，维持使用时的效能亦为重要的开发，3C产品常常会有过热造成机体当机，影响使用的情况。半导体制程发展至今，在切晶及黏晶工序时，一般会先将晶圆黏附在黏晶切割胶膜上进行切割，当晶圆切割成晶粒要配置在电路板时，该黏晶切割胶膜之黏着剂层可移转到晶粒上，使晶粒被拾取后能直接附着固定在电路板上完成黏晶。即，黏晶切割胶膜不同于早期晶圆黏结薄膜贴合制程工序，晶粒必须另使用黏着剂附着至电路板后，经热固化才可黏着，即可免除晶粒在黏结薄膜贴合制程工序时，会有溢胶、晶粒倾斜及热处理对晶圆的伤害之问题。
技术实现思路
本专利技术者发现黏晶切割胶膜常用的黏着剂层多为单层结构，其主要为包含丙烯酸聚合物、含有不饱和烃基之环氧树脂及热硬化剂的组成物，并视需要添加二氧化硅等填料，然而，此种组成物在黏晶后往往使半导体装置热传本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆切割保护膜结构，其依序包含一离形层、一热传导组成物层、一人工石墨片层、一压感黏着层及一切割层。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆切割保护膜结构，其依序包含一离形层、一热传导组成物层、一人工石墨片层、一压感黏着层及一切割层。2.如请求项1所述之晶圆切割保护膜结构，其中该人工石墨片层之厚度为7~40μm。3.如请求项2所述之晶圆切割保护膜结构，其中该人工石墨片层具有均匀分布的穿孔，该穿孔之孔径大小为300~2500μm，孔间距为500~4500μm。4.如请求项1所述之晶圆切割保护膜结构，其中该热传导组成物层包含环氧树脂50~60wt%、填料30~50wt及固化剂1~10wt%。5.如请求项4所述之晶圆切割保护膜结构，其中该环氧树脂系选自由双酚A环氧树脂、双酚F环氧树脂、双酚S环氧树脂、二羟基联苯环氧树脂、酚醛环氧树脂、邻甲酚醛环氧树脂及其组合所组成之群组。...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑宪徽，伍德，颜铭佑，
申请(专利权)人：武汉市三选科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42