基于电流复用电容交叉耦合共栅低噪声放大器电路制造技术

技术编号:16817133 阅读:106 留言:0更新日期:2017-12-16 10:35
本实用新型专利技术涉及一种基于电流复用电容交叉耦合共栅低噪声放大器电路,其主要由两个NMOS管、两个PMOS管、九个电容、五个电感和四个电阻组成,采用电流复用技术,在相同的偏置电流情况下,通过电容交叉耦合共栅NMOS输入管对、电容交叉耦合共栅PMOS输入管对共同产生输入跨导。在相同偏置电流情况下提高了输入电压‑输出电流的转换效率,使低噪声放大器的等效输入跨导增加,提高了低噪声放大器的电压增益。同时,由于流过两个电容交叉耦合共栅输入管对的电流为同一电流,所产生的沟道电流噪声之间具有很强的相关性,低噪声放大器的噪声并没有按比例增加,因此该结构的噪声系数相比传统的结构具有一定的改进。

Current multiplexed capacitor cross coupled common gate low noise amplifier circuit

The utility model relates to a current reuse based on capacitor cross coupled cascode low noise amplifier circuit, which is mainly composed of two NMOS tube, two PMOS tube, nine capacitors, five inductors and four resistors, using current reuse technique, the bias current in the same circumstances, the capacitor cross coupled common gate NMOS, input tube on the capacitor cross coupled cascade PMOS input tube to generate input transconductance together. Under the same bias current situation to enhance the conversion efficiency of input voltage output current, the equivalent input transconductance amplifier with low noise increases, increase the voltage gain low noise amplifier. At the same time, due to flow through the two capacitor cross coupled common gate input tube of current for the same current, has a strong correlation between the current channel noise generated by the noise, the low noise amplifier does not increase proportionally, so the noise coefficient of the structure compared with the traditional structure has certain improvement.

【技术实现步骤摘要】
基于电流复用电容交叉耦合共栅低噪声放大器电路
本技术涉及一种基于电流复用电容交叉耦合共栅低噪声放大器电路,属于微电子

技术介绍
低噪声放大器是无线收发前端电路中的关键模块,其噪声系数和增益决定着接收系统的接收灵敏度。降低低噪声放大器的噪声系数、提高其增益有利于提高接收灵敏度,但带来的代价是低噪声放大器的功耗急剧增加。这种功耗的增加在现代手持无线通信设备、植入式医疗器械里面是不可接受的;因此,低噪声放大器的低功耗设计是非常关键的,其决定着手持无线通信设备、植入式医疗器械的使用寿命。
技术实现思路
本技术的目的是针对现有技术的上述不足,提供一种基于电流复用电容交叉耦合共栅低噪声放大器电路,以提高低噪声放大器的电压增益和接收灵敏度,改善噪音状况。本技术的技术方案为:一种基于电流复用电容交叉耦合共栅低噪声放大器电路,主要由两个NMOS管、两个PMOS管、九个电容、五个电感和四个电阻组成,其中第一电容的第一端和第二电容的第一端连接,作为同相输入端,第三电容的第一端和第四电容的第一端连接,作为反相输入端;第一电容的第二端、第一电感的第一端、第五电容的第一端和第一输入NMOS管的源极连接,第二电本文档来自技高网...
基于电流复用电容交叉耦合共栅低噪声放大器电路

【技术保护点】
一种基于电流复用电容交叉耦合共栅低噪声放大器电路,其特征在于主要由两个NMOS管、两个PMOS管、九个电容、五个电感和四个电阻组成,其中第一电容的第一端和第二电容的第一端连接,作为同相输入端,第三电容的第一端和第四电容的第一端连接,作为反相输入端;第一电容的第二端、第一电感的第一端、第五电容的第一端和第一输入NMOS管的源极连接,第二电容的第二端、第二电感的第一端、第七电容的第一端和第一输入PMOS管的源极连接;第三电容的第二端、第三电感的第一端、第六电容的第一端和第二输入NMOS管的源极连接;第四电容的第二端、第四电感的第一端、第八电容的第一端和第二输入PMOS管的源极连接;第五电容的第二端...

【技术特征摘要】
1.一种基于电流复用电容交叉耦合共栅低噪声放大器电路,其特征在于主要由两个NMOS管、两个PMOS管、九个电容、五个电感和四个电阻组成,其中第一电容的第一端和第二电容的第一端连接,作为同相输入端,第三电容的第一端和第四电容的第一端连接,作为反相输入端;第一电容的第二端、第一电感的第一端、第五电容的第一端和第一输入NMOS管的源极连接,第二电容的第二端、第二电感的第一端、第七电容的第一端和第一输入PMOS管的源极连接;第三电容的第二端、第三电感的第一端、第六电容的第一端和第二输入NMOS管的源极连接;第四电容的第二端、第四电感的第一端、第八电容的第一端和第二输入PMOS管的源极连接;第五电容的第二端、第一电阻的第一端和第二输入NMOS管的栅极连接;第六...

【专利技术属性】
技术研发人员:高海军
申请(专利权)人:浙江敏源传感科技有限公司
类型:新型
国别省市:浙江,33

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