一种改善栅源寄生效应的功率放大器制造技术
A power amplifier for improving the parasitic effect of gate source
The invention provides a power amplifier with improved gate source parasitic effects, including the input matching circuit, gate source parasitic compensation circuit and the output matching circuit and bias circuit, wherein the gate source parasitic effect compensation GaN HEMT's gate source parasitic compensation circuit for gate source parasitic effect to deal with the influence that the circuit reaches the minimum. Compared with the prior art, the invention to design the power amplifier through improved methods of GaN HEMT gate source parasitic effect, reduce the impact of input harmonics of gate source parasitic effect for power amplifier circuit, improve the overall power output and efficiency.
【技术实现步骤摘要】
一种改善栅源寄生效应的功率放大器
本专利技术涉及射频通讯
，尤其涉及一种提高改善GaNHEMT栅源寄生效应输出功率和效率的功率放大器。
技术介绍
随着无线通信技术的迅速发展，射频微波技术在人们的日常生活中越来越重要。为了在提倡节能环保的今天，节约更多的能源，通信商通常采用高效率和高输出功率的功率放大器，而使用传统的功率放大器如A类、AB类对非恒包络信号进行放大效率很低。所以高效率射频功率放大器成为学术界和工业界的研究热点之一。如何提高功率放大器的效率成为学术界和工业界的热点之一。一个典型的功率放大器通过负载牵引系统得出晶体管的负载阻抗和源阻抗，再通过共轭匹配设计出输入输出匹配电路，提高功率放大器的输出功率和效率。但随着通信技术的快速发展，输入输出匹配电路也越加地复杂，传统的功率放大器的效率和输出功率已经不能满足当今无线通信系统的要求，因此，急需研制出一种提高功率放大器的效率和输出功率以满足当前及未来无线通信系统高传输数率的要求。高功率和高效率功放也理所当然的成为了学术界和工业界研究的热点。为了提高功率放大器的效率和输出功率，一般采用第三代半导体晶体管，而Ga...
【技术保护点】
一种改善栅源寄生效应的功率放大器，其特征在于，包括输入匹配电路、GaN HEMT功放管、输出匹配电路、偏置电路和栅源寄生补偿电路，其中，所述栅源寄生补偿电路串接在输入匹配电路和GaN HEMT功放管之间，用于补偿栅源寄生效应；所述栅源寄生补偿电路采用微带线结构，包括第一微带线TL1、第二微带线TL2和第三微带线TL3，其中，所述第三微带线TL3的一端与所述输入匹配网络的输出端相连接，所述第三微带线TL3的另一端与第一微带线TL1的一端和第二微带线TL2的一端相连接，所述第一微带线TL1的另一端与GaN HEMT功放管的栅极相连接，并与偏置电路相连接；所述第二微带线TL2的另一端开路。
【技术特征摘要】
1.一种改善栅源寄生效应的功率放大器，其特征在于，包括输入匹配电路、GaNHEMT功放管、输出匹配电路、偏置电路和栅源寄生补偿电路，其中，所述栅源寄生补偿电路串接在输入匹配电路和GaNHEMT功放管之间，用于补偿栅源寄生效应；所述栅源寄生补偿电路采用微带线结构，包括第一微带线TL1、第二微带线TL2和第三微带线TL3，其中，所述第三微带线TL3的一端与所述输入匹配网络的输出端相连接，所述第三微带线TL3的另一端与第一微带线TL1的一端和第二微带线TL2的一端相连接，所述第一微带线TL1的另一端与GaNHEMT功放管的栅极相连接，并与偏置电路相连接；所述第二微带线TL2的另一端开路。2.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：程知群，徐雷，冯瀚，刘国华，董志华，陈瑾，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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