一种双膜电容式压力传感器及制作方法技术

本发明专利技术涉及压力传感器技术领域，特指一种双膜电容式压力传感器及制作方法，包括玻璃衬底，玻璃衬底中心位置上设有浅槽，浅槽中心位置设有浅槽通孔，浅槽通孔从浅槽底面延至玻璃衬底底面，浅槽上设有可测量低压差的电容C1与可测量高压差的电容C2，可测量低压差的电容C1包括底电极板与薄压力敏感膜，可测量高压差的电容C2包括厚压力敏感膜与顶电极板，浅槽通孔(71)与可测量低压差的电容C1对应设置，可测量低压差的电容C1与可测量高压差的电容C2对应设置。本发明专利技术采用变间距原理实现压力到电容的转换，可测量低压差的电容C1与可测量高压差的电容C2分别实现了微压段和高压段的高精度测量，不仅提高了压力测量精度，也提升了传感器的测量范围。

A double film capacitive pressure sensor and its fabrication method

The present invention relates to the technical field of pressure sensor, in particular to a double membrane capacitive pressure sensor and a preparation method thereof, comprising a glass substrate, a glass substrate is arranged on the central position of shallow groove, shallow groove center position is provided with a shallow groove hole, shallow groove hole from the bottom of shallow groove extending to the bottom surface of the glass substrate is provided with a shallow groove. C1 low dropout voltage capacitance measurement and C2 measurement of pressure differential capacitance, capacitance measurement C1 low dropout voltage comprises a bottom electrode plate and the thin pressure sensitive film, capacitance C2 measurement of high pressure difference including thick pressure sensitive film and the top electrode plate, shallow groove hole (71) and the corresponding capacitance measurement for low voltage C1 the difference can be set, C1 low dropout voltage and capacitance measurement of capacitance C2 measurement of high pressure corresponding set. The invention adopts pressure to achieve the conversion of capacitor with variable spacing principle, can measure capacitance C1 low dropout voltage and measuring the pressure differential of the capacitor C2 respectively to achieve high precision measurement of micro pressure and high pressure, not only improves the accuracy of pressure, but also enhance the measurement range of the sensor.

【技术实现步骤摘要】
一种双膜电容式压力传感器及制作方法
本专利技术涉及压力传感器
，特指一种双膜电容式压力传感器及制作方法，尤其是在受力方向上薄厚两层压力敏感膜的组合形成的低压段与高压段，同时具有较高的测量灵敏度的压力传感器。
技术介绍
压力传感器在医疗、卫生、工业过程制作、汽车电子、消费电子等领域都有广泛的应用。市场上已有的压力传感器种类繁多，根据测量原理的不同大致有：应变式、硅压阻式、压电式、电容式、谐振式等几大类。其中，电容式压力传感器因其具有灵敏度高、响应速度快、受温度影响小等优点，是压阻式压力传感器的理想升级产品。其原理是利用电容与有效极板面积、极板间距的关系实现压力信号到电信号的转换。传统电容式压力传感器，因为自身结构的特点，量程与灵敏度之间相互制约，为取得较高的灵敏度，必然以牺牲量程为代价。这限制了该类传感器的应用范围。
技术实现思路
针对以上问题，本专利技术提供了一种双膜电容式压力传感器及制作方法，该测量结构主要由厚度不同的两层压力敏感膜以及固定的两层极板组成，根据所处位置，结构自下而上依次为底电极板、薄压力敏感膜、厚压力敏感膜、顶电极板，薄压力敏感膜与厚压力敏感膜间夹以支撑材料形成一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双膜电容式压力传感器，其特征在于：包括玻璃衬底(7)，所述玻璃衬底(7)中心位置上设有浅槽(70)，所述浅槽(70)中心位置设有浅槽通孔(71)，所述浅槽通孔(71)从浅槽(70)底面延至玻璃衬底(7)底面，所述浅槽(70)上设有可测量低压差的电容C1与可测量高压差的电容C2，所述可测量低压差的电容C1包括底电极板(1)与薄压力敏感膜(2)，所述可测量高压差的电容C2包括厚压力敏感膜(3)与顶电极板(4)，所述浅槽通孔(71)与可测量低压差的电容C1对应设置，所述可测量低压差的电容C1与可测量高压差的电容C2对应设置。

【技术特征摘要】
1.一种双膜电容式压力传感器，其特征在于：包括玻璃衬底(7)，所述玻璃衬底(7)中心位置上设有浅槽(70)，所述浅槽(70)中心位置设有浅槽通孔(71)，所述浅槽通孔(71)从浅槽(70)底面延至玻璃衬底(7)底面，所述浅槽(70)上设有可测量低压差的电容C1与可测量高压差的电容C2，所述可测量低压差的电容C1包括底电极板(1)与薄压力敏感膜(2)，所述可测量高压差的电容C2包括厚压力敏感膜(3)与顶电极板(4)，所述浅槽通孔(71)与可测量低压差的电容C1对应设置，所述可测量低压差的电容C1与可测量高压差的电容C2对应设置。2.根据权利要求1所述的一种双膜电容式压力传感器，其特征在于：所述底电极板(1)覆盖于浅槽(70)底面上，所述薄压力敏感膜(2)覆盖于玻璃衬底(7)上表面，所述厚压力敏感膜(3)与薄压力敏感膜(2)之间设有第一支撑材料(5)，所述顶电极板(4)与厚压力敏感膜(3)之间设有第二支撑材料(6)。3.根据权利要求2所述的一种双膜电容式压力传感器，其特征在于：所述底电极板(1)中心位置设有底电极板通孔(10)，所述底电极板通孔(10)与浅槽通孔(71)对应设置。4.根据权利要求2所述的一种双膜电容式压力传感器，其特征在于：所述第一支撑材料(5)设于薄压力敏感膜(2)上表面周边位置，且与浅槽(70)的槽壁齐平设置，所述第二支撑材料(6)设于厚压力敏感膜(3)上表面周边位置，且与浅槽(70)的槽壁齐平设置。5.根据权利要求2所述的一种双膜电容式压力传感器，其特征在于：所述顶电极板(4)上设有顶电极板通...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦明，王振军，龙克文，何华娟，
申请(专利权)人：佛山市川东磁电股份有限公司，东南大学，
类型：发明
国别省市：广东,44