一种调控TiNi基记忆合金中R相存在区间的方法技术

本发明专利技术提供的是一种调控TiNi基记忆合金中R相存在区间的方法。(1)以塑性变形与后续退火处理相结合的工艺获得晶粒尺寸在150～300nm范围内的超细晶TiNi基记忆合金；(2)将所述超细晶TiNi基记忆合金在真空或者惰性气体保护条件下进行长时间时效处理，水冷或空冷，所述长时间时效处理具体包括：时效温度为150～300℃、时效时间为1～100h；(3)利用机械抛光或酸洗去除合金表面氧化层。本发明专利技术工艺简单，对设备要求低，所制备的R相TiNi基记忆合金具有相变热滞后小、循环稳定性好、阻尼损耗因子高、响应频率高等优点，可用于制备驱动器、生物医疗器械等。

【技术实现步骤摘要】
一种调控TiNi基记忆合金中R相存在区间的方法
本专利技术涉及的是一种TiNi基合金的制备方法，具体地说是一种调控TiNi基合金中R相存在区间的方法。
技术介绍
TiNi基形状记忆合金具有丰富的马氏体相变现象、优异的形状恢复特性以及生物相容性、阻尼特性等，因此在航空航天、机械电子、生物医疗等领域获得广泛应用。TiNi基合金的优良特性多来自于其母相与马氏体相之间的相变行为。TiNi基合金的马氏体相变产物较多，包括单斜结构的B19′马氏体相、正交结构的B19马氏体相与菱方结构的R相。与其他两种马氏体相变比较，B2母相与R相之间的转变具有很多优点，如热滞后小(不超过5℃)、循环稳定性好、阻尼损耗因子高、响应频率高等。TiNi基形状记忆合金中获得R相的方法较多，如添加Fe等合金元素、冷加工、时效处理等。但是上述方法获得的R相存在许多问题。首先，R相仅能在较小的温度区间存在，即R相变结束温度与马氏体相变起始温度之间的差值比较小。通常情况下，此温度区间一般小于50℃。如果温度继续降低，R相将转变为更加稳定的B19′马氏体相。其次，R相变通常伴随着多步马氏体相变。上述问题为R相变的利用带来极大的不本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种调控TiNi基记忆合金中R相存在区间的方法，其特征是：(1)以塑性变形与后续退火处理相结合的工艺获得晶粒尺寸在150～300nm范围内的超细晶TiNi基记忆合金；(2)将所述超细晶TiNi基记忆合金在真空或者惰性气体保护条件下进行长时间时效处理，水冷或空冷，所述长时间时效处理具体包括：时效温度为150～300℃、时效时间为1～100h；(3)利用机械抛光或酸洗去除合金表面氧化层。

【技术特征摘要】
1.一种调控TiNi基记忆合金中R相存在区间的方法，其特征是：(1)以塑性变形与后续退火处理相结合的工艺获得晶粒尺寸在150～300nm范围内的超细晶TiNi基记忆合金；(2)将所述超细晶TiNi基记忆合金在真空或者惰性气体保护条件下进行长时间时效处理，水冷或空冷，所述长时间时效处理具体包括：时效温度为150～300℃、时效时间为1～100h；(3)利用机械抛光或酸洗去除合金表面氧化层。2.根据权利要求1所述的调控TiNi基记忆合金中R相存在区间的方法，其特征是：所述TiNi基记忆合金包括TiNi、TiNiFe、T...

【专利技术属性】
技术研发人员：佟运祥，李莉，周惠敏，李珍，张殿涛，
申请(专利权)人：哈尔滨工程大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江,23