薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，该薄膜晶体管包括：位于衬底基板上的源极、漏极、有源层和栅极，其中，源极与漏极同层设置，源极与有源层为薄膜晶体管中相邻两层结构，源极和漏极均与有源层连接，有源层背向衬底基板的一侧形成有栅绝缘层，栅极位于栅绝缘层背向衬底基板的一侧，栅极、源极、漏极在有源层上的正投影不重叠，有源层背向衬底基板的一侧未被栅极、源极和漏极所覆盖的区域被导体化。本发明专利技术的技术方案可在减小薄膜晶体管尺寸的同时有效避免寄生电容的产生。

Thin film transistors and their preparation methods, array substrates and display devices

The invention discloses a thin film transistor array substrate and a preparation method thereof, and display device, the thin film transistor includes: a substrate substrate on the source electrode and the drain electrode, an active layer and a gate, the source and drain of the same layer, the source electrode and the active layer adjacent thin film transistor two layer structure, source and drain are connected with the active layer, the active layer back to the side of a substrate to form a gate insulating layer, a gate insulating layer located at the gate back to one side of a substrate, a gate electrode, the source electrode and the drain electrode is projected on the active layer do not overlap, the active layer back to the side of a substrate without by the gate, source and drain the area covered by the conductor. The technical scheme of the invention can reduce the size of the thin film transistor and effectively avoid the generation of parasitic capacitance.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。
技术介绍
图1是现有技术中一种薄膜晶体管的结构示意图，如图1所示，该薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管，即栅极1位于有源层3的下方，为使得有源层3中能够形成连接源极4和漏极5的导电沟道，则会将栅极1的尺寸做的尽量较大。然而，此时栅极1的部分区域与源极4(以及漏极5)的部分区域正对，从而在正对区域A产生寄生电容，进而对薄膜晶体管的工作特性产生影响。为解决该寄生电容的问题，现有技术中又提供的一种顶栅型薄膜晶体管。图2为现有技术中又一种薄膜晶体管的结构示意图，如图2所示，该薄膜晶体管中栅极1位于有源层3的上方，源极4和漏极5也位于有源层3的上方，源极4和漏极5均通过过孔7与有源层3连接。由于此时栅极1与源极4、漏极5之间不存在正对区域，因而可有效解决寄生电容的问题。然而，在图2所示薄膜晶体管中，由于需要在位于有源层3上方的第二绝缘层6上设置过孔7，以使得后续形成的源极4和漏极5能够通过过孔7与有源层3连接。由于该过孔7的需要占用一定的体积，则会使得整个薄膜晶体管的尺寸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：位于衬底基板上的源极、漏极、有源层和栅极；所述源极与所述漏极同层设置，所述源极与所述有源层为所述薄膜晶体管中相邻两层结构，所述源极和所述漏极均与所述有源层连接，所述有源层的背向所述衬底基板的一侧形成有栅绝缘层，所述栅极位于所述栅绝缘层背向所述衬底基板的一侧；所述栅极、所述源极、所述漏极在所述有源层上的正投影不重叠，所述有源层背向所述衬底基板的一侧未被所述栅极、所述源极和所述漏极的所覆盖的区域被导体化。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：位于衬底基板上的源极、漏极、有源层和栅极；所述源极与所述漏极同层设置，所述源极与所述有源层为所述薄膜晶体管中相邻两层结构，所述源极和所述漏极均与所述有源层连接，所述有源层的背向所述衬底基板的一侧形成有栅绝缘层，所述栅极位于所述栅绝缘层背向所述衬底基板的一侧；所述栅极、所述源极、所述漏极在所述有源层上的正投影不重叠，所述有源层背向所述衬底基板的一侧未被所述栅极、所述源极和所述漏极的所覆盖的区域被导体化。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层的图形与所述栅极的图形相同。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极和所述源极位于所述有源层的相同侧或相对侧。4.一种阵列基板，其特征在于，包括：如上述权利要求1至4中任一所述的薄膜晶体管。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述薄膜晶体管背向所述衬底基板的一侧的钝化层和位于所述钝化层背向所述衬底基板的一侧的导电电极，所述钝化层上对应所述薄膜晶体管的漏极的区域形成有过孔，所述导电电极通过所述过孔与所述漏极连接。6.一种显示装置，其特征在于，包括：如上述权利要求4或5所述的阵列基板。7.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成源极、漏极和有源层，所述源极和所述漏极同层设置，所述源极与所述有源层为所述薄膜晶体管中相邻两层结构，所述源极和所述漏极均与所述有源层连接；在所述有源层背向所述衬底基板的一侧形成栅绝缘层和栅极，所述栅极位于所述栅绝缘层背向所述衬底基板的一侧，所述栅极、所述源极、所述漏极在所述有...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐攀，林奕呈，盖翠丽，张保侠，李全虎，王玲，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11