高电压晶体管装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及高电压晶体管装置，其提供一种半导体装置，包含绝缘体上覆硅(SOI)基材，该SOI基材包含半导体主体基材、形成于该半导体主体基材上的埋置型氧化物层、以及形成于该埋置型氧化物层上的半导体层；以及晶体管装置，其中该晶体管装置包含由一部分该半导体主体基材所形成的栅极电极、由一部分该埋置型氧化物层所形成的栅极绝缘层、及形成于一部分该半导体层中的通道区。

High voltage transistor device

The invention relates to a high voltage transistor device, which provides a semiconductor device containing silicon on insulator (SOI) substrate, the substrate comprising a SOI substrate, a semiconductor body is formed on the semiconductor substrate body buried oxide layer, and formed on the buried oxide layer on the semiconductor layer; and a transistor device, wherein the transistor device includes a gate electrode, formed by a portion of the semiconductor substrate is composed of a main part of the buried gate oxide layer formed by type insulating layer, and is formed in a portion of the semiconductor layer in the channel region.

【技术实现步骤摘要】
高电压晶体管装置
大体上，本文中所揭示的专利标的关于集成电路，而且更尤指晶体管装置，尤其是高电压操作用的具有(超)低/零阈值电压的场效晶体管。
技术介绍
半导体晶圆上形成的集成电路一般包括大量电路元件，该等电路元件形成电气电路。除了举例如场效晶体管及/或双极晶体管等主动装置外，集成电路还可包括诸如电阻器、电感器及/或电容器等被动装置。特别的是，在使用CMOS技术制作复杂集成电路期间，数百万个晶体管，亦即N通道晶体管及P通道晶体管，是在包括结晶半导体层的基材上形成。举例而言，MOS晶体管无论是N通道晶体管或P通道晶体管，都包含所谓由高掺杂漏极与源极区的界面所形成的PN接面(junction)，该漏极区与该源极区之间布置有反相或弱式掺杂通道区。通道区的导电性即导电通道的驱动电流能力，是通过形成于该通道区附近的栅极电极并以薄绝缘层与其分隔的栅极电极来控制。通道区的导电性在对栅极电极施加适当控制电压而形成导电通道时，还取决于掺质浓度、多数电荷载子的迁移率，对于通道区顺着晶体管的宽度方向的给定延展，还取决于源极与漏极区之间的距离，该距离亦称为通道长度。因此，结合对栅极电极施加控制电压时于绝缘层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其包含：绝缘体上覆硅(SOI)基材，其包含半导体主体基材、形成于该半导体主体基材上的埋置型氧化物层、以及形成于该埋置型氧化物层上的半导体层；以及晶体管装置，其中，该晶体管装置包含由一部分该半导体主体基材所形成的栅极电极、由一部分该埋置型氧化物层所形成的栅极绝缘层、及形成于一部分该半导体层中的通道区。

【技术特征摘要】
2016.05.23 US 15/161,6041.一种半导体装置，其包含：绝缘体上覆硅(SOI)基材，其包含半导体主体基材、形成于该半导体主体基材上的埋置型氧化物层、以及形成于该埋置型氧化物层上的半导体层；以及晶体管装置，其中，该晶体管装置包含由一部分该半导体主体基材所形成的栅极电极、由一部分该埋置型氧化物层所形成的栅极绝缘层、及形成于一部分该半导体层中的通道区。2.如权利要求1所述的半导体装置，更包含形成于该半导体层上方的隆起源极与漏极区。3.如权利要求2所述的半导体装置，更包含形成于该半导体层上方的上电极、及形成于该上电极的侧壁上和该隆起源极与漏极区与该上电极之间的侧壁间隔物。4.如权利要求3所述的半导体装置，更包含另一晶体管装置，其中，该另一晶体管装置包含形成于该半导体层上方的栅极电极。5.如权利要求1所述的半导体装置，更包含形成于该上电极与该半导体层之间的介电层。6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该埋置型氧化物层具有约20纳米至30纳米的厚度，并且该半导体层具有约5纳米至20纳米的厚度。7.一种半导体装置，其包含：绝缘体上覆硅(SOI)基材，其包含半导体主体基材、形成于该半导体主体基材上的埋置型氧化物层、以及形成于该埋置型氧化物层上的半导体层；第一晶体管装置，其包含形成于该半导体层上方的第一栅极电极、及形成于该第一栅极电极与该半导体层之间的第一栅极介电质；以及第二晶体管装置，其包含形成于该半导体主体基材中的第二栅极电极、及形成于该埋置型氧化物层中的第二栅极介电质。8.如权利要求7所述的半导体装置，更包...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·H·博多，宽特·葛斯荷夫，朱尔根·法尔，彼特·杰瓦卡，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛,KY