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本发明涉及高电压晶体管装置，其提供一种半导体装置，包含绝缘体上覆硅(SOI)基材，该SOI基材包含半导体主体基材、形成于该半导体主体基材上的埋置型氧化物层、以及形成于该埋置型氧化物层上的半导体层；以及晶体管装置，其中该晶体管装置包含由一部分...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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