一种对存储器进行修复的电路及存储芯片制造技术

本发明专利技术提供了一种对存储器进行修复的电路及存储芯片，其中，对存储器进行修复的电路包括：存储器内建自修复Mbisr模块，与所述存储器连接，所述Mbisr模块用于在所述存储器出现故障时，确定故障信息；电可编程熔丝efuse模块，用于存储所述故障信息；转换电路，设置在所述Mbisr模块和所述efuse模块之间，分别与所述Mbisr模块的接口和所述efuse模块的接口连接；其中，所述转换电路，用于在所述Mbisr模块的接口与所述efuse模块的接口为不同的时序接口时，将所述Mbisr模块对所述efuse模块的读操作信号或写操作信号转换成可被所述efuse模块识别的信号，可被所述efuse模块识别的信号包括：所述efuse模块的写使能信号，所述efuse模块的读使能信号，地址有效信号，数据输入信号。

A circuit and storage chip for the repair of memory

The invention provides a circuit and a memory chip, the memory of the repair, the repair of the memory circuit includes a memory built-in self repair Mbisr module connected with the memory, the Mbisr module is used to fault in the memory, determine the fault information; the electrically programmable fuse eFuse module that is used for storing the fault information; switching circuit is arranged between the Mbisr module and the eFuse module are respectively connected with the Mbisr module and the eFuse module interface; wherein the conversion circuit used in the Mbisr module and the eFuse module interface the timing interface is different when the read operation signal of the eFuse module and the Mbisr module or write operation signal into the signal can be identified by the eFuse module, the eFuse module The signal identified by the block includes the write enable signal of the eFuse module, the read enable signal of the eFuse module, the address valid signal, and the data input signal.

【技术实现步骤摘要】
一种对存储器进行修复的电路及存储芯片
本专利技术涉及电子
，特别涉及一种对存储器进行修复的电路及存储芯片。
技术介绍
现有芯片生产的最小工艺精度越来越高，对存储器的修复功能需求也随之提高。存储器内建自修复模块(Memorybuilt-inself-repair，即Mbisr模块)为在芯片上内置的用于修复存储器的模块，Mbisr模块在存储器外部。在存储器开发过程中，Mbisr模块对存储器进行测试，如果发现存储器有缺陷，便将故障信息存储进efuse模块(electricallyprogrammablefuse，电可编程熔丝模块)用于故障修复。具体来讲，利用efuse模块对存储器进行修复的技术主要是基于多晶硅熔丝特性的技术。利用多晶硅熔丝初始阻值很小的特性，当大电流持续流过多晶硅熔丝时，多晶硅熔丝会被永久熔断，阻值成倍增加，并且熔丝断裂的状态将永久的保持。反之，则保持导通状态。efuse模块通过判断多晶硅熔丝熔断断裂与导通，识别为数字信号的“0”或“1”的值，比如，设定未被熔断的熔丝节点存储“1”，被熔断的熔丝节点存“0”从而实现了对故障信息的存储。在现有技术中，特定的Mbisr模块都只能搭配特定厂家的efsue模块，且不同厂家模块的接口的时序不同。可见，现有技术中的存储芯片存在不同的时序接口的Mbisr模块和efuse模块间的接口不兼容的技术问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种对存储器进行修复的电路及存储芯片，用于解决现有技术中的存储芯片存在不同的时序接口的Mbisr模块和efuse模块间的接口不兼容的技术问题，保证了存储芯片中不同时序接口的Mbisr模块接口与efuse模块接口间的兼容性。一方面，本申请实施例提供了一种对存储器进行修复的电路，包括：存储器内建自修复Mbisr模块，与所述存储器连接，所述Mbisr模块用于在所述存储器出现故障时，确定故障信息；电可编程熔丝efuse模块，与所述Mbisr模块连接，用于存储所述故障信息；转换电路，设置在所述Mbisr模块和所述efuse模块之间，分别与所述Mbisr模块的接口和所述efuse模块的接口连接；其中，所述转换电路,用于在所述Mbisr模块的接口与所述efuse模块的接口为不同的时序接口时，将所述Mbisr模块对所述efuse模块的读操作信号或者写操作信号转换成可被所述efuse模块识别的信号，以使所述efuse模块能够存储所述故障信息，可被所述efuse模块识别的信号包括：所述efuse模块的写使能信号，所述efuse模块的读使能信号，地址有效信号，数据输入信号；所述Mbisr模块，还用于根据所述efuse模块存储的所述故障信息对所述存储器的故障进行修复。可选地，所述转换电路具体包括：第一转换子电路，包括非门和第一与门，其中，所述非门的输入端与所述Mbisr模块的输出使能信号的输出端共端；所述第一与门包括第一输入端，和与所述第一输入端不同的另一输入端，第一输出端，其中，所述第一输入端与所述非门的输出端共端，所述另一输入端与所述Mbisr模块的片选信号共端，所述第一输出端与所述efsue模块的写使能信号共端；所述第一转换子电路，用于将所述Mbisr模块的片选信号和所述Mbisr模块的输出使能信号转换成可被所述efuse模块识别的写使能信号，以使所述Mbisr模块能够控制所述efsue模块进行写操作；其中，所述片选信号用于表征所述Mbisr模块处于工作状态。可选地，所述转换电路具体包括：第二转换子电路，包括第二与门，其中，所述第二与门包括与所述片选信号共端的第二输入端，与所述输出使能信号共端的第三输入端，与所述efsue模块的读使能信号共端的第二输出端；所述第二转换子电路，用于将所述片选信号和所述输出使能信号转换成可被所述efuse模块识别的读使能信号，以使所述Mbisr模块能够控制所述efsue模块进行读操作。可选地，所述转换电路具体包括：地址有效转换电路，包括第四输入端，第五输入端，第六输入端，第七输入端，及第三输出端，其中，所述第四输入端与所述输出使能信号共端，所述第五输入端与所述Mbisr模块的时钟信号共端，所述第六输入端与所述Mbisr模块的写使能信号共端，所述第七输入端与所述片选信号共端，所述第三输出端与所述efuse模块的地址有效信号共端；所述地址有效转换电路，用于根据所述输出使能信号，所述时钟信号，所述Mbisr模块的写使能信号以及所述片选信号的时序关系，将所述Mbisr模块的写使能信号转换成符合所述efuse模块时序要求的所述地址有效信号，以使所述efuse模块在预定地址上对所述故障信息进行读操作或者写操作。可选地，所述Mbisr模块的字节地址与所述efsue模块的字节地址一一对应，所述字节地址中的各个位地址与所述efuse模块中的各个位地址一一对应。可选地，所述芯片电路结构还包括：所述Mbisr模块的数据信号输出端与所述efsue模块的数据输入信号共端。另一方面，本申请实施例还提供了一种存储芯片，包括：存储器；存储器内建自修复Mbisr模块，与所述存储器连接，所述Mbisr模块用于在所述存储器出现故障时，确定故障信息；电可编程熔丝efuse模块，用于存储所述故障信息；转换电路，设置在所述Mbisr模块和所述efuse模块之间，分别与所述Mbisr模块的接口和所述efuse模块的接口连接；其中，所述转换电路,用于在所述Mbisr模块的接口与所述efuse模块的接口为不同的时序接口时，将所述Mbisr模块对所述efuse模块的读操作信号或者写操作信号转换成可被所述efuse模块识别的信号，以使所述efuse模块能够存储所述故障信息，可被所述efuse模块识别的信号包括：efuse模块的写使能信号，efuse模块的读使能信号，地址有效信号，数据输入信号；所述Mbisr模块，还用于根据所述efuse模块存储的所述故障信息对所述存储器的故障进行修复。可选地，所述转换电路包括：第一转换子电路，包括非门和第一与门，其中，所述非门的输入端与所述Mbisr模块的输出使能信号的输出端共端；所述第一与门包括第一输入端，和与所述第一输入端不同的另一输入端，第一输出端，其中，所述第一输入端与所述非门的输出端共端，所述另一输入端与所述Mbisr模块的片选信号共端，所述第一输出端与所述efsue模块的写使能信号共端；所述第一转换子电路，用于将所述Mbisr模块的片选信号和所述Mbisr模块的输出使能信号转换成可被所述efuse模块识别的写使能信号，以使Mbisr模块能够控制所述efsue模块进行写操作；其中，所述片选信号用于表征所述Mbisr模块处于工作状态。可选地，所述转换电路包括：第二转换子电路，包括第二与门，其中，所述第二与门包括与所述片选信号共端的第二输入端，与所述输出使能信号共端的第三输入端，与所述efsue模块的读使能信号共端的第二输出端；所述第二转换子电路，用于将所述片选信号和所述输出使能信号转换成可被所述efuse模块识别的读使能信号，以使Mbisr模块能够控制所述efsue模块进行读操作。可选地，所述转换电路包括：地址有效转换电路，包括第四输入端，第五输入端，第六输入端，第七输入端，及第三输出端，其中，所述第四输入端与所述输出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对存储器进行修复的电路，其特征在于，包括：存储器内建自修复Mbisr模块，与所述存储器连接，所述Mbisr模块用于在所述存储器出现故障时，确定故障信息；电可编程熔丝efuse模块，用于存储所述故障信息；转换电路，设置在所述Mbisr模块和所述efuse模块之间，分别与所述Mbisr模块的接口和所述efuse模块的接口连接；其中，所述转换电路,用于在所述Mbisr模块的接口与所述efuse模块的接口为不同的时序接口时，将所述Mbisr模块对所述efuse模块的读操作信号或者写操作信号转换成可被所述efuse模块识别的信号，以使所述efuse模块能够存储所述故障信息，可被所述efuse模块识别的信号包括：所述efuse模块的写使能信号，所述efuse模块的读使能信号，地址有效信号，数据输入信号；所述Mbisr模块，还用于根据所述efuse模块存储的所述故障信息对所述存储器的故障进行修复。

【技术特征摘要】
1.一种对存储器进行修复的电路，其特征在于，包括：存储器内建自修复Mbisr模块，与所述存储器连接，所述Mbisr模块用于在所述存储器出现故障时，确定故障信息；电可编程熔丝efuse模块，用于存储所述故障信息；转换电路，设置在所述Mbisr模块和所述efuse模块之间，分别与所述Mbisr模块的接口和所述efuse模块的接口连接；其中，所述转换电路,用于在所述Mbisr模块的接口与所述efuse模块的接口为不同的时序接口时，将所述Mbisr模块对所述efuse模块的读操作信号或者写操作信号转换成可被所述efuse模块识别的信号，以使所述efuse模块能够存储所述故障信息，可被所述efuse模块识别的信号包括：所述efuse模块的写使能信号，所述efuse模块的读使能信号，地址有效信号，数据输入信号；所述Mbisr模块，还用于根据所述efuse模块存储的所述故障信息对所述存储器的故障进行修复。2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述转换电路包括：第一转换子电路，包括非门和第一与门，其中，所述非门的输入端与所述Mbisr模块的输出使能信号的输出端共端；所述第一与门包括第一输入端，和与所述第一输入端不同的另一输入端，第一输出端，其中，所述第一输入端与所述非门的输出端共端，所述另一输入端与所述Mbisr模块的片选信号共端，所述第一输出端与所述efsue模块的写使能信号共端；所述第一转换子电路，用于将所述Mbisr模块的片选信号和所述Mbisr模块的输出使能信号转换成可被所述efuse模块识别的写使能信号，以使所述Mbisr模块能够控制所述efsue模块进行写操作；其中，所述片选信号用于表征所述Mbisr模块处于工作状态。3.如权利要求2所述的电路，其特征在于，所述转换电路包括：第二转换子电路，包括第二与门，其中，所述第二与门包括与所述片选信号共端的第二输入端，与所述输出使能信号共端的第三输入端，与所述efsue模块的读使能信号共端的第二输出端；所述第二转换子电路，用于将所述片选信号和所述输出使能信号转换成可被所述efuse模块识别的读使能信号，以使Mbisr模块能够控制所述efsue模块进行读操作。4.如权利要求2所述的电路，其特征在于，所述转换电路包括：地址有效转换电路，包括第四输入端，第五输入端，第六输入端，第七输入端，及第三输出端，其中，所述第四输入端与所述输出使能信号共端，所述第五输入端与所述Mbisr模块的时钟信号共端，所述第六输入端与所述Mbisr模块的写使能信号共端，所述第七输入端与所述片选信号共端，所述第三输出端与所述efuse模块的地址有效信号共端；所述地址有效转换电路，用于根据所述输出使能信号，所述时钟信号，所述Mbisr模块的写使能信号以及所述片选信号的时序关系，将所述Mbisr模块的写使能信号转换成符合所述efuse模块时序要求的所述地址有效信号，以使所述efuse模块在预定地址上对所述故障信息进行读操作或者写操作。5.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述Mbisr模块的字节地址与所述efsue模块的字节地址一一对应，所述字节地址中的各个位地址与所述efuse模块...

【专利技术属性】
技术研发人员：李智韬，
申请(专利权)人：北京东土军悦科技有限公司，北京物芯科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11