氮化物半导体场效应晶体管制造技术

在氮化物半导体场效应晶体管中，第一绝缘膜(109)的凹部(122)侧的端与凹部(122)的开口缘132相隔距离(D2)，另一方面，第二绝缘膜(110)的凹部(122)侧的端与第一绝缘膜(109)的凹部(122)侧的端相隔距离(D12)。漏极电极(106)的凹部(122)外的部分，朝向栅极电极(108)侧呈屋檐状突出，并且以从凹部(122)跨及氮化物半导体层压体(104)、第一绝缘膜(109)及第二绝缘膜(110)的各表面上的方式形成，且与氮化物半导体层压体(104)、第一绝缘膜(109)及第二绝缘膜(110)的各表面接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氮化物半导体场效应晶体管
本专利技术关于具备有氮化物半导体层压体(laminate)的氮化物半导体场效应晶体管，该氮化物半导体层压体具有异质界面(heterointerface)。
技术介绍
习知以往作为氮化物半导体场效应晶体管，有专利文献1(日本特开2014-29991号公报)所揭示者。该氮化物半导体场效应晶体管，具备具有异质界面的氮化物半导体层压体。在该氮化物半导体层压体的表面，设有朝向异质界面凹入的凹部。此外，在上述氮化物半导体层压体的表面上，以与凹部的开口缘相隔预先决定的距离的方式形成有绝缘膜。在该绝缘膜和凹部的开口缘之间以与氮化物半导体层压体的表面相接的方式从氮化物半导体层压体的凹部跨及绝缘膜的表面上形成有漏极电极(drainelectrode)。通过如上述构成，使在与氮化物半导体层压体邻接的漏极电极端接通(on)时的最大电场强度降低，提高接通耐压(withstandvoltage)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-29991号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题然而，在上述习知的氮化物半导体场效应晶体管中，存在有如下的问题，即，对于开关(switchi本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物半导体场效应晶体管，其特征在于具备：氮化物半导体层压体，具有异质界面，并且具有自表面朝向所述异质界面凹入的凹部；源极电极，配置于所述氮化物半导体层压体的表面上；漏极电极，在所述氮化物半导体层压体的表面上，以相对于所述源极电极隔有间隔的方式配置，且一部分进入所述凹部内；栅极电极，配置于所述源极电极与所述漏极电极之间；第一绝缘膜，形成于所述氮化物半导体层压体的表面上，至少含有硅及氮作为构成元素；及第二绝缘膜，形成于所述第一绝缘膜上；所述第一绝缘膜的所述凹部侧的端，与所述凹部的开口缘相隔预先设定的距离，另一方面，所述第二绝缘膜的所述凹部侧的端，与所述第一绝缘膜的所述凹部侧的端相隔预先设定的...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.31 JP 2015-0736171.一种氮化物半导体场效应晶体管，其特征在于具备：氮化物半导体层压体，具有异质界面，并且具有自表面朝向所述异质界面凹入的凹部；源极电极，配置于所述氮化物半导体层压体的表面上；漏极电极，在所述氮化物半导体层压体的表面上，以相对于所述源极电极隔有间隔的方式配置，且一部分进入所述凹部内；栅极电极，配置于所述源极电极与所述漏极电极之间；第一绝缘膜，形成于所述氮化物半导体层压体的表面上，至少含有硅及氮作为构成元素；及第二绝缘膜，形成于所述第一绝缘膜上；所述第一绝缘膜的所述凹部侧的端，与所述凹部的开口缘相隔预先设定的距离，另一方面，所述第二绝缘膜的所述凹部侧的端，与所述第一绝缘膜的所述凹部侧的端相隔预先设定的距离；所述漏极电极的所述凹部外的部分，朝向所述栅极电极侧呈屋檐状突出，并且以从所述凹部跨及所述氮化物半导体层压体、第一绝缘膜及第二绝缘膜的各表面上的方式形成，且与所述氮化物半导体层压体、第一绝缘膜及第二绝缘膜的各表面接触。2.如权利要求1所述的氮化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述第一绝缘膜的所述凹部侧的端与所述凹部的开口缘之间的距离，为0.1μm以上且1.5μm以下。3.如权利要求1或2所述的氮化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述第一绝缘膜具有与所述氮化物半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：仲山宽，小山顺一郎，藤田耕一郎，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP