平面线圈元件及平面线圈元件的制造方法技术

本发明专利技术的平面线圈元件具备：绝缘性基膜，其具有第一面及第一面的相反侧的第二面；第一导电图案，其层叠在该绝缘性基膜的第一面的面侧；以及第一绝缘层，其从第一面侧包覆该第一导电图案，在该平面线圈元件中，上述第一导电图案具有芯体和在该芯体的外表面通过镀敷而层叠的扩宽层，上述第一导电图案的平均厚度相对于第一导电图案的平均回路间距的比大于或等于1/2而小于或等于5。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】平面线圈元件及平面线圈元件的制造方法
本专利技术涉及平面线圈元件及平面线圈元件的制造方法。
技术介绍
近年，伴随电子设备的小型轻量化，对于构成电子设备的平面线圈元件等电子部件，小型化的要求也逐渐提高。另外，作为能够实现如上所述的小型化的平面线圈，提出有例如在日本特开2012－89700号公报(专利文献1)中记载的平面线圈。专利文献1中记载的平面线圈通过下述方式制造，即，在基板上形成一次铜镀层，在进而去除了该基板的基础上，在该一次铜镀层的与基板抵接侧的面形成二次铜镀层。因此，该平面线圈与仅由在基板上形成的一次铜镀层构成的平面线圈相比，提高镀层的高宽比，能够实现一定程度小型化。专利文献1：日本特开2012－89700号公报
技术实现思路
但是，专利文献1中记载的平面线圈虽然能够增大镀层的厚度，但不能够扩宽镀层的宽度，不能够充分小型化。另外，专利文献1中记载的平面线圈至少具有下述工序：(1)在基板上形成一次铜镀层的工序；(2)将一次铜镀层通过内涂树脂层进行包覆的工序；(3)蚀刻去除基板的工序；(4)在一次铜镀层的与基板抵接侧的面形成二次铜镀层的工序；以及(5)将二次铜镀层通过外涂层进行包覆工序本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平面线圈元件，其具备：绝缘性基膜，其具有第一面及所述第一面的相反侧的第二面；第一导电图案，其层叠在所述绝缘性基膜的所述第一面侧；以及第一绝缘层，其从所述第一面侧包覆所述第一导电图案，在该平面线圈元件中，所述第一导电图案具有芯体和层叠于所述芯体的外表面的扩宽层，所述第一导电图案的平均厚度相对于所述第一导电图案的平均回路间距的比大于或等于1/2而小于或等于5。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.13 JP 2015-0513611.一种平面线圈元件，其具备：绝缘性基膜，其具有第一面及所述第一面的相反侧的第二面；第一导电图案，其层叠在所述绝缘性基膜的所述第一面侧；以及第一绝缘层，其从所述第一面侧包覆所述第一导电图案，在该平面线圈元件中，所述第一导电图案具有芯体和层叠于所述芯体的外表面的扩宽层，所述第一导电图案的平均厚度相对于所述第一导电图案的平均回路间距的比大于或等于1/2而小于或等于5。2.根据权利要求1所述的平面线圈元件，其中，所述第一导电图案的平均回路间距大于或等于20μm而小于或等于100μm。3.根据权利要求1或2所述的平面线圈元件，其中，所述第一导电图案中的、所述平均厚度的1/2高度位置的平均回路间隔相对于底部的平均回路间隔的比小于或等于2。4.根据权利要求3所述的平面线圈元件，其中，所述第一导电图案中的、所述平均厚度的2/3高度位置的平均回路间隔相对于底部的平均回路间隔的比小于或等于2。5.根据权利要求1至4中任一项所述的平面线圈元件，其中，所述第一导电图案的前端部的剖面形状为半圆状。6.根据权利要求1至5中任一项所述的平面线圈元件，其中，所述芯体及所述扩宽层的主要成分是铜或铜合金。7.根据权利要求1至6中任一项所述的平面线圈元件，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：上田宏，三浦宏介，山口贺人，卜部由佳，
申请(专利权)人：住友电工印刷电路株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP