The invention discloses a magnetic device, the magnetic device includes a substrate, a seed layer arranged on the substrate, the seed layer has a plurality of rings, with gaps between each two adjacent rings in the seed layer on the multiple loop sequence on at least one first metal plating the second layer, a metal layer and a third metal layer, wherein the first metal layer and the second metal layer and the third metal layer of stack and each metal layer extends the gap to the seed layer to cover the seed layer of the plurality of rings.
【技术实现步骤摘要】
磁性装置本专利技术是申请日为2013年9月11日,申请号为201310412807.1,专利技术名称为“多层线圈的制造方法及磁性装置”的中国专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种多层线圈的制造方法及磁性装置,特别是涉及一种以变动电流密度电镀形成多层线圈的方法及应用此多层线圈的磁性装置。
技术介绍
扼流器(choke)是磁性装置的一种,其功用在于稳定电路中的电流并达到滤除噪声的效果,作用与电容器类似,同样是以存储、释放电路中的电能来调节电流的稳定性,而且相较于电容是以电场(电荷)的形式来存储电能,扼流器则是以磁场的形式来达成。扼流器早期通常都使用在直流变压器(DC/DCconverter)或电池充电器(batterycharger)等电子装置内,并应用于调制解调器(modem)、异步数字用户专线(asymmetricdigitalsubscriberlines,ADSL)或局部局域网络(localareanetworks,LAN)等传输装置中。然而,近几年来,扼流器被更广泛地应用于诸如笔记型计算机、手机、液晶屏幕以及数字相机等信息科技产品中。由于信息科技产品逐渐朝 ...
【技术保护点】
一种磁性装置,其特征在于,包含:一基板,一种子层设置于该基板上,该种子层具有多个圈环,每两个相邻的圈环之间具有空隙,其中,该种子层上的该多个圈环上依序电镀有至少一第一金属层、一第二金属层以及一第三金属层,其中,该第一金属层、该第二金属层以及该第三金属层相互堆栈且每一个金属层皆延伸至该种子层的所述空隙以包覆该种子层的该多个圈环。
【技术特征摘要】
2013.08.02 TW 1021278341.一种磁性装置,其特征在于,包含:一基板,一种子层设置于该基板上,该种子层具有多个圈环,每两个相邻的圈环之间具有空隙,其中,该种子层上的该多个圈环上依序电镀有至少一第一金属层、一第二金属层以及一第三金属层,其中,该第一金属层、该第二金属层以及该第三金属层相互堆栈且每一个金属层皆延伸至该种子层的所述空隙以包覆该种子层的该多个圈环。2.如权利要求1所述的磁性装置,其特征在于,该第一金属层的纵横比小于该第二金属层的纵横比,该第二金属层的纵横比小于该第三金属层的纵横比。3.如权利要求1所述的磁性装置,其特征在于,每两个圈环之间的间隙小于10微米。4.如权利要求1所述的磁性装置,其特征在于,所述第三金属层的纵横比大于1.5,且所述第三金属层的高度大于70微米。5.如权利要求1所述的磁性装置,其特征在于,所述磁性装置为一扼流器。6.一种磁性装置,其特征在于,包含:一基板,一种子层设置于该基板上,该种子层具有多个圈环,每两个相邻的圈环之间具有空隙,其中,该种子层上的该多个圈环上依序电镀有多个金属层,该多个金属层相互堆栈,每一个金属层皆延伸至该种子层的所述空隙以包覆该种子层的该多个圈环以形成多层线圈,其中,每个金属层的纵横比随着金属层次的增加而递增。7.如权利要求1所述的磁性装置,其特征在于,每两个圈环之间的间隙小于10微米,电镀完成后,每两个圈环上的金属层之间的间隙是5微米。8.一种磁...
【专利技术属性】
技术研发人员:王钟雄,江朗一,张炜谦,林雨欣,
申请(专利权)人:乾坤科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。