二氮杂二烯基化合物、薄膜形成用原料、薄膜的制造方法和二氮杂二烯化合物技术

由下述通式(I)表示的二氮杂二烯基化合物。(式中，R

Two dienyl dienyl compounds, raw materials for film formation, manufacturing methods of thin films and two aza diene compounds

A two dienyl dienyl compound expressed by the following general formula (I). (in the formula, R

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】二氮杂二烯基化合物、薄膜形成用原料、薄膜的制造方法和二氮杂二烯化合物
本专利技术涉及新型的二氮杂二烯基化合物、含有该化合物的薄膜形成用原料、使用了该薄膜形成用原料的薄膜的制造方法和新型的二氮杂二烯化合物。
技术介绍
含有金属元素的薄膜材料由于显示出电特性和光学特性，因此已在各种用途中应用。例如，铜和含有铜的薄膜由于高导电性、高耐电迁移性和高熔点这样的特性，已作为LSI的配线材料应用。另外，镍和含有镍的薄膜已主要用于电阻膜、阻隔膜等电子部件的构件、磁性膜等记录介质用的构件、电极等薄膜太阳能电池用构件等。另外，钴和含有钴的薄膜已用于电极膜、电阻膜、粘接膜、磁带、超硬工具构件等。作为上述的薄膜的制造法，可列举出溅射法、离子镀法、涂布热分解法、使用溶胶凝胶法的金属有机化合物分解法(MOD法)、化学气相生长法等。其中，由于具有组成控制性、台阶高差被覆性优异、适于批量生产化、可以杂化聚集等众多的优点，因此包含ALD(AtomicLayerDeposition：原子层沉积)法的化学气相生长(以下也有时简单记载为CVD)法是最佳的制造方法。作为用于化学气相生长法的金属供给源，报道了大量的各种原料。例如，专利文献1中公开了能够用作采用ALD法的薄膜形成用原料的二氮杂二烯基络合物。另外，专利文献2中公开了能够用于化学蒸镀法或原子层蒸镀法的二氮杂二烯系金属化合物。在专利文献1和专利文献2中，对于本专利技术的二氮杂二烯化合物没有具体的记载。现有技术文献专利文献专利文献1：美国专利申请公开第2013/0164456号说明书专利文献2：日本特表2013-545755号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题在使化学气相生长用原料等气化而在基材表面形成含有金属的薄膜的情况下，需要蒸汽压高、无自燃性、熔点低、并且能够在低温下热分解而形成薄膜的材料。特别是强烈希望有蒸汽压高、无自燃性并且熔点低的材料。用于解决课题的手段本专利技术人等反复研究，结果获知特定的二氮杂二烯基化合物可解决上述课题，完成了本专利技术。本专利技术提供由下述通式(I)表示的二氮杂二烯基化合物、含有其的薄膜形成用原料和使用了该原料的薄膜的制造方法。【化1】(式中，R1和R2各自独立地表示碳数1～6的直链或分支状的烷基，R3表示氢原子或碳数1～6的直链或分支状的烷基，M表示金属原子或硅原子，n表示由M表示的金属原子或硅原子的价数。)另外，本专利技术提供薄膜的制造方法，其中，将含有由上述通式(I)表示的二氮杂二烯基化合物的薄膜形成用原料以及含有由上述通式(I)表示的二氮杂二烯基化合物的蒸汽导入设置了基体的成膜室内，使该二氮杂二烯基化合物分解和/或化学反应，在该基体的表面形成含有选自金属原子和硅原子中的至少1种的原子的薄膜。另外，本专利技术提供由下述通式(II)表示的二氮杂二烯化合物。【化2】(式中，R4表示碳数1～6的直链或分支状的烷基。)专利技术的效果根据本专利技术，能够得到蒸汽压高、无自燃性、并且在常压30℃下或通过少许的加热就成为液体的低熔点的二氮杂二烯基化合物。该二氮杂二烯基化合物特别适合作为采用CVD法的金属薄膜形成用的薄膜形成用原料。另外，根据本专利技术，能够提供新型的二氮杂二烯化合物。附图说明图1为表示本专利技术涉及的薄膜的制造方法中使用的化学气相生长用装置的一例的概要图。图2为表示本专利技术涉及的薄膜的制造方法中使用的化学气相生长用装置的另一例的概要图。图3为表示本专利技术涉及的薄膜的制造方法中使用的化学气相生长用装置的另一例的概要图。图4为表示本专利技术涉及的薄膜的制造方法中使用的化学气相生长用装置的另一例的概要图。具体实施方式本专利技术的二氮杂二烯基化合物由上述通式(I)表示，适合作为CVD法等具有气化工序的薄膜制造方法的前体，也能够使用ALD法形成薄膜。本专利技术的二氮杂二烯基化合物是熔点低、在常压30℃下为液体或在少许的加热下成为液体的化合物。熔点低的化合物的输送性好，因此本专利技术的二氮杂二烯基化合物适合作为CVD法等具有气化工序的薄膜制造方法的前体。本专利技术的上述通式(I)中，R1和R2各自独立地表示碳数1～6的直链或分支状的烷基，R3表示氢原子或者碳数1～6的直链或分支状的烷基，M表示金属原子或硅原子，n表示由M表示的金属原子或硅原子的价数。作为由上述R1、R2和R3表示的碳数1～6的直链或分支状的烷基，可列举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基和己基等。上述通式(I)中，M表示金属原子或硅原子。作为该金属原子，并无特别限定，例如可列举出锂、钠、钾、镁、钙、锶、钡、镭、钪、钇、钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨、锰、铁、锇、钴、铑、铱、镍、钯、铂、铜、银、金、锌、镉、铝、镓、铟、锗、锡、铅、锑、铋、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱。其中，M为铜、铁、镍、钴和锰的情况下，由于熔点低，因此特别优选。上述通式(I)中，在R2与R3不同的情况下熔点低，因此优选。另外，在R3为氢的情况下蒸汽压高，熔点低，因此优选，其中在R2为甲基并且R3为氢的情况下蒸汽压特别高，熔点特别低，因此优选。另外，在R1为乙基的情况下蒸汽压高，因此优选。在采用不伴有气化工序的MOD法的薄膜的制造方法的情况下，R1、R2和R3能够根据对于所使用的溶剂的溶解性、薄膜形成反应等适当地选择。作为由通式(I)表示的二氮杂二烯基化合物的优选的具体例，例如，在M为钴的情况下，可列举出由下述化学式No.1～No.18表示的化合物。应予说明，在下述化学式No.1～No.18中，“Me”表示甲基，“Et”表示乙基，“Pr”表示丙基，“iPr”表示异丙基，“sBu”表示仲丁基，“tBu”表示叔丁基。【化3】【化4】作为由通式(I)表示的二氮杂二烯基化合物的优选的具体例，例如，在M为铜的情况下，可列举出由下述化学式No.19～No.36表示的化合物。应予说明，在下述化学式No.19～No.36中，“Me”表示甲基，“Et”表示乙基，“Pr”表示丙基，“iPr”表示异丙基，“sBu”表示仲丁基，“tBu”表示叔丁基。【化5】【化6】作为由通式(I)表示的二氮杂二烯基化合物的优选的具体例，例如，在M为铁的情况下，可列举出由下述化学式No.37～No.54表示的化合物。应予说明，在下述化学式No.37～No.54中，“Me”表示甲基，“Et”表示乙基，“Pr”表示丙基，“iPr”表示异丙基，“sBu”表示仲丁基，“tBu”表示叔丁基。【化7】【化8】作为由通式(I)表示的二氮杂二烯基化合物的优选的具体例，例如，在M为镍的情况下，可列举出由下述化学式No.55～No.72表示的化合物。应予说明，在下述化学式No.55～No.72中，“Me”表示甲基，“Et”表示乙基，“Pr”表示丙基，“iPr”表示异丙基，“sBu”表示仲丁基，“tBu”表示叔丁基【化9】【化10】作为由通式(I)表示的二氮杂二烯基化合物的优选的具体例，例如，在M为锰的情况下，可列举出由下述化学式No.73～No.90表示的化合物。应予说明，在下述化学式No.73～No.90中，“Me”表示甲基，“Et”表示乙基，“Pr”表示丙基，“iPr”表示异丙基，“sBu”表示仲丁基，“tBu”表示叔丁基。【化11】【化12】就本专利技术的二氮杂二烯基化合物而言本文档来自技高网...

【技术保护点】
由下述通式(I)表示的二氮杂二烯基化合物：【化1】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.06 JP 2015-0449931.由下述通式(I)表示的二氮杂二烯基化合物：【化1】式中，R1和R2各自独立地表示碳数1～6的直链或支化状的烷基，R3表示氢原子或碳数1～6的直链或支化状的烷基，M表示金属原子或硅原子，n表示由M表示的金属原子或硅原子的价数。2.根据权利要求1所述的二氮杂二烯基化合物，其中，在上述通式(I)中，R2与R3为不同的基团。3.根据权利要求1所述的二氮杂二烯基化合物，其中，在上述通式(I)中，R3为氢。4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉野智晴，远津正挥，西田章浩，杉浦奈奈，樱井淳，冈部诚，
申请(专利权)人：株式会社ADEKA，
类型：发明
国别省市：日本,JP