一种在非易失性存储器中存储数据的方法及装置制造方法及图纸

技术编号:16700411 阅读:31 留言:0更新日期:2017-12-02 12:39
本申请提出了一种在非易失性存储器中存储数据的方法及装置,该存储器包括,第一存储块和第二存储块对数据进行存储,所述存储块包括,用于存储数据的信息区和用于寄存签名信息的签名区。使用该存储器在存储数据时,需先将存储数据写入当前存储块且标识签名,再将待用的存储块配置为再次写入存储数据和签名信息的存储块(修改待用存储块上的原始数据)。因此,即使在数据写入时发生意外掉电或reset等突发事件,当前存储块上新写入的数据虽未能完成写入,但是另一存储块上的存储数据未被修改,不会丢失数据,降低了存储器内的数据因意外掉电或reset等突发事件造成的数据丢失或损坏的风险。

A method and device for storing data in nonvolatile memory

The invention provides a method and device for storing data lost in memory in the memory, including a first memory block and a second block of data storage, the storage block includes, for storing data and information for hosting the signature information of the signature area. When using the memory to store data, we need to first store data into the current storage block and identify the signature, then configure the ready storage block to write the storage block again, which stores data and signature information (modifying the raw data on the standby storage block). Therefore, even in the data write accident power down or reset events, writes the new data on the current memory block has not written, but the data stored in the memory of another block which has not been modified, without loss of data, reducing the risk of the data in the memory caused by accidental power failure or other emergencies reset the data is lost or damaged.

【技术实现步骤摘要】
一种在非易失性存储器中存储数据的方法及装置
本申请涉及电子通信领域,特别涉及一种闪存的数据存储方法及闪存。
技术介绍
非易失性存储器(NVS,nonvolatilestorage,non-volatilestorage)也称为非易失性存储或非易失性随机存取存储器(NVRAM),是静态随机存取存储器的一种形式,当计算机关闭或失去它的外部电源的时候,它的内容可以保存下来。因此,在许多常见的应用中,微处理器要求用非易失性存储器来存放其可执行代码、变量和其他暂态数据。常见的非易失性存储器有可擦可编程只读存储器(ErasableProgrammableRead-OnlyMemory,RPROM)、电可擦可编程只读存储器(ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory,EEPROM)、闪存(FlashEEPROM)等类型。每种非易失性存储器根据其成本和性能运用在不同的
例如,虽然EEPROM使用灵活,可以实现单字节删除与改写,但是其擦写电路占用空间大,在存储容量较大数据时十分不便。闪存作为一种常用的非易失性存储器,具有存储容量大,携带方便等优点。闪存可以在称为存储块(block)的存储单位中进行删除和改编,即每个存储块共用一个擦除电路,因此在存储大量数据时,其可以大大节省空间,方便数据存储。但是,在使用闪存进行存储时,即使仅仅修改几个字节,也需要擦除这几个字节所在的块的所有数据,再写入新的数据。众所周知,非易失性存储器的擦除过程比较耗时,如果擦除过程中有意外掉电或者Reset等事件发生时,整个块的数据恰好被擦除或者部分擦除,而这时新写入的数据却没有正常写入,使得原来存储在闪存中的数据不再完整,形成一块“坏数据”区域。如果有相关程序使用到上述“坏数据”区域,整个程序可能无法正常运行(例如程序跑飞或者执行错误),使得应用该程序的相关产品的稳定性存在极大的隐患。因此,当非易失性存储器中写入存储数据时,如何降低存储器内的数据因意外掉电或reset等突发事件发生时,发生数据丢失或损坏的风险,是本领域的技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
本申请提供一种在非易失性存储器中存储数据的方法及装置,用以降低存储器内的数据因意外掉电或reset等突发事件造成的丢失或损坏的风险。为了达到上述目的,本申请提出了一种在非易失性存储器中存储数据的方法,所述非易失性存储器包括,第一存储块和第二存储块,所述存储块包括,用于存储数据的信息区和用于标识签名信息的签名区,所述方法包括,将存储数据写入至清空状态的所述第一存储块的信息区并在所述第一存储块的签名区标识签名信息后,将所述第二存储块配置为用于再次写入存储数据并标识有签名信息的存储块;其中,所述存储块为清空状态时,该存储块上未写入存储数据且未标识签名信息。优选的,根据所述第二存储块的配置状态,将存储数据写入至清空状态的所述第二存储块的信息区并在所述第二存储块的签名区标识签名信息后,将所述第一存储块配置为用于再次写入存储数据并标识有签名信息的存储块。优选的,所述将存储数据写入至清空状态的所述第一存储块的信息区并在所述第一存储块的签名区标识签名信息后,将所述第二存储块配置为用于再次写入存储数据并标识有签名信息的存储块,具体包括,将存储数据写入至清空状态的所述第一存储块的信息区并在所述第一存储块的签名区标识签名信息,然后配置所述第二存储块为清空状态,最后将所述第二存储块配置为用于再次写入存储数据并标识有签名信息的存储块;所述将存储数据写入至清空状态的所述第二存储块的信息区并在所述第二存储块的签名区标识签名信息后,将所述第一存储块配置为用于再次写入存储数据并标识有签名信息的存储块,具体包括,将存储数据写入至清空状态的所述第二存储块的信息区并在所述第二存储块的签名区标识签名信息,然后配置所述第一存储块为清空状态,最后将所述第一存储块配置为用于再次写入存储数据并标识有签名信息的存储块。优选的,所述将存储数据写入至清空状态的所述第一存储块的信息区并在所述第一存储块的签名区标识签名信息后,将所述第二存储块配置为用于再次写入存储数据并标识有签名信息的存储块,具体包括,将存储数据写入至清空状态的所述第一存储块的信息区并在所述第一存储块的签名区标识签名信息后,若所述第一存储块的存储空间已满,配置所述第二存储块为再次写入存储数据和标识签名的存储块,否则配置若所述第一存储块为再次写入存储数据的存储块;所述将存储数据写入至清空状态的所述第二存储块的信息区并在所述第二存储块的签名区标识签名信息后,将所述第一存储块配置为用于再次写入存储数据并标识有签名信息的存储块,具体包括,将存储数据写入至清空状态的所述第二存储块的信息区并在所述第二存储块的签名区标识签名信息后,若所述第二存储块的存储空间已满,配置所述第一存储块为再次写入存储数据和签名信息的存储块,否则配置所述第二存储块为再次写入存储数据的存储块。优选的,将存储数据写入至标识有签名信息的所述第一存储块或第二存储块的信息区。优选的,所述存储数据和所述签名信息写入至清空状态的存储块时,先在所述存储块的所述信息区内写入存储数据后,再在所述存储块的所述签名区内写入所述签名信息。相应的,本申请还提出了一种非易失性存储器,所述非易失性存储器包括,第一存储块和第二存储块,所述存储块包括,用于存储数据的信息区和用于寄存签名信息的签名区,所述存储器还包括,处理模块,所述处理模块,用于将存储数据写入至清空状态的所述第一存储块的信息区并在所述第一存储块的签名区标识签名信息后,将所述第二存储块配置为用于再次写入存储数据并标识有签名信息的存储块;其中,所述存储块为清空状态时,该存储块上未写入存储数据且未标识签名信息。。优选的,所述处理模块,还用于根据所述第二存储块的配置状态,将存储数据写入至清空状态的所述第二存储块的信息区并在所述第二存储块的签名区标识签名信息后,将所述第一存储块配置为用于再次写入存储数据并标识有签名信息的存储块。优选的,所述处理模块,具体用于将存储数据写入至清空状态的所述第一存储块的信息区并在所述第一存储块的签名区标识签名信息,然后配置所述第二存储块为清空状态,最后将所述第二存储块配置为用于再次写入存储数据并标识有签名信息的存储块;将存储数据写入至清空状态的所述第二存储块的信息区并在所述第二存储块的签名区标识签名信息,然后配置所述第一存储块为清空状态,最后将所述第一存储块配置为用于再次写入存储数据并标识有签名信息的存储块。优选的,所述处理模块,具体用于将存储数据写入至清空状态的所述第一存储块的信息区并在所述第一存储块的签名区标识签名信息后,若所述第一存储块的存储空间已满,配置所述第二存储块为再次写入存储数据和标识签名的存储块,否则配置若所述第一存储块为再次写入存储数据的存储块;将存储数据写入至清空状态的所述第二存储块的信息区并在所述第二存储块的签名区标识签名信息后,若所述第二存储块的存储空间已满,配置所述第一存储块为再次写入存储数据和签名信息的存储块,否则配置所述第二存储块为再次写入存储数据的存储块。优选的,所述处理模块,还用于将存储数据写入至标识有签名信息的所述第一存储块或第二存储块的信息区。优选的,所述处理模块在本文档来自技高网
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一种在非易失性存储器中存储数据的方法及装置

【技术保护点】
一种在非易失性存储器中存储数据的方法,其特征在于,所述非易失性存储器包括,第一存储块和第二存储块,所述存储块包括,用于存储数据的信息区和用于标识签名信息的签名区,所述方法包括,将存储数据写入至清空状态的所述第一存储块的信息区并在所述第一存储块的签名区标识签名信息后,将所述第二存储块配置为用于再次写入存储数据并标识有签名信息的存储块;其中,所述存储块为清空状态时,该存储块上未写入存储数据且未标识签名信息。

【技术特征摘要】
1.一种在非易失性存储器中存储数据的方法,其特征在于,所述非易失性存储器包括,第一存储块和第二存储块,所述存储块包括,用于存储数据的信息区和用于标识签名信息的签名区,所述方法包括,将存储数据写入至清空状态的所述第一存储块的信息区并在所述第一存储块的签名区标识签名信息后,将所述第二存储块配置为用于再次写入存储数据并标识有签名信息的存储块;其中,所述存储块为清空状态时,该存储块上未写入存储数据且未标识签名信息。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括,根据所述第二存储块的配置状态,将存储数据写入至清空状态的所述第二存储块的信息区并在所述第二存储块的签名区标识签名信息后,将所述第一存储块配置为用于再次写入存储数据并标识有签名信息的存储块。3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述将存储数据写入至清空状态的所述第一存储块的信息区并在所述第一存储块的签名区标识签名信息后,将所述第二存储块配置为用于再次写入存储数据并标识有签名信息的存储块,具体包括,将存储数据写入至清空状态的所述第一存储块的信息区并在所述第一存储块的签名区标识签名信息,然后配置所述第二存储块为清空状态,最后将所述第二存储块配置为用于再次写入存储数据并标识有签名信息的存储块;所述将存储数据写入至清空状态的所述第二存储块的信息区并在所述第二存储块的签名区标识签名信息后,将所述第一存储块配置为用于再次写入存储数据并标识有签名信息的存储块,具体包括,将存储数据写入至清空状态的所述第二存储块的信息区并在所述第二存储块的签名区标识签名信息,然后配置所述第一存储块为清空状态,最后将所述第一存储块配置为用于再次写入存储数据并标识有签名信息的存储块。4.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述将存储数据写入至清空状态的所述第一存储块的信息区并在所述第一存储块的签名区标识签名信息后,将所述第二存储块配置为用于再次写入存储数据并标识有签名信息的存储块,具体包括,将存储数据写入至清空状态的所述第一存储块的信息区并在所述第一存储块的签名区标识签名信息后,若所述第一存储块的存储空间已满,配置所述第二存储块为再次写入存储数据和标识签名的存储块,否则配置若所述第一存储块为再次写入存储数据的存储块;所述将存储数据写入至清空状态的所述第二存储块的信息区并在所述第二存储块的签名区标识签名信息后,将所述第一存储块配置为用于再次写入存储数据并标识有签名信息的存储块,具体包括,将存储数据写入至清空状态的所述第二存储块的信息区并在所述第二存储块的签名区标识签名信息后,若所述第二存储块的存储空间已满,配置所述第一存储块为再次写入存储数据和签名信息的存储块,否则配置所述第二存储块为再次写入存储数据的存储块。5.如权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:王文希王衡林青合李刚
申请(专利权)人:青岛海信宽带多媒体技术有限公司
类型:发明
国别省市:山东,37

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