半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术所涉及的半导体装置(1)中的贯通孔(7)为垂直孔。对于包含贯通孔(7)的中心线(CL)的平面来说在分别着眼于中心线(CL)的两侧区域的情况下，将连结对应于绝缘层(10)的开口(10a)的边缘的第1点(X1)和对应于第2开口(7b)的边缘的第2点(X2)的线段设定为第1线段(S1)，将连结第2点(X2)和对应于第2开口(7b)与绝缘层(10)的表面(10b)交叉的点的第3点(X3)的线段设定为第2线段(S2)，将连结第3点(X3)和第1点(X1)的线段设定为第3线段(S3)。此时，相对于第1线段(S1)位于一方侧的绝缘层(10)的第1面积(A1)大于由第1线段(S1)和第2线段(S2)以及第3线段(S3)围起来的绝缘层(10)的第2面积(A2)与相对于第3线段(S3)位于另一方侧的绝缘层(10)的第3面积(A3)之和。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
例如，在专利文献1中记载有具备以盖革模式(Geigermode)进行工作的多个雪崩光电二极管被设置的半导体基板、处理来自各个雪崩光电二极管的输出信号的多个信号处理部被设置的搭载基板的半导体装置。在专利文献1记载的半导体装置中是通过被形成于半导体基板的贯通孔在半导体基板的表面侧与背面侧之间实施电连接。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-89919号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题就如以上所述的半导体装置而言，虽然希望提高多个像素(相当于雪崩光电二极管)在受光面上所占的面积的比率，但是在将贯通孔设置于每个雪崩光电二极管的情况下想要抑制贯通孔在半导体基板上所占的体积的比率。在另一方面，想要防止贯通孔内的配线发生断线等并确实做到半导体基板上的通过贯通孔的电连接。特别是就如以上所述的半导体装置而言，因为施加于雪崩光电二极管的工作电压变高所以想要在贯通孔内的配线与半导体基板之间谋求绝缘的确实化。因此，本专利技术的目的在于提供一种既能够抑制贯通孔在半导体基板上所占的体积的比率又能够确实做到半导体基板上的通过贯通孔的电连接的半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于：具备：半导体基板，具有互相相对的第1表面以及第2表面并形成有从所述第1表面到所述第2表面的贯通孔；第1配线，设置于所述第1表面并且一部分位于所述贯通孔的所述第1表面侧的第1开口上；绝缘层，设置于所述贯通孔的内面以及所述第2表面并且经由所述贯通孔的所述第2表面侧的第2开口而连续；以及第2配线，设置于所述绝缘层的表面并且在所述绝缘层的所述第1表面侧的开口电连接于所述第1配线，所述贯通孔为垂直孔，关于包含所述贯通孔的中心线的平面，在分别着眼于所述中心线的两侧区域的情况下，将连结对应于所述绝缘层的所述开口的边缘的第1点和对应于所述第2开口的边缘的第2点的线段设定为第1线段，...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.31 JP 2015-0706971.一种半导体装置，其特征在于：具备：半导体基板，具有互相相对的第1表面以及第2表面并形成有从所述第1表面到所述第2表面的贯通孔；第1配线，设置于所述第1表面并且一部分位于所述贯通孔的所述第1表面侧的第1开口上；绝缘层，设置于所述贯通孔的内面以及所述第2表面并且经由所述贯通孔的所述第2表面侧的第2开口而连续；以及第2配线，设置于所述绝缘层的表面并且在所述绝缘层的所述第1表面侧的开口电连接于所述第1配线，所述贯通孔为垂直孔，关于包含所述贯通孔的中心线的平面，在分别着眼于所述中心线的两侧区域的情况下，将连结对应于所述绝缘层的所述开口的边缘的第1点和对应于所述第2开口的边缘的第2点的线段设定为第1线段，将连结所述第2点和对应于所述第2开口与所述绝缘层的所述表面交叉的点的第3点的线段设定为第2线段，将连结所述第3点和所述第1点的线段设定为第3线段，此时，相对于所述第1线段位于所述贯通孔的所述内面侧的所述绝缘层的第1面积大于由所述第1线段、所述第2线段以及所述第3线段围起来的所述绝缘层的第2面积与相对于所述第3线段位于与所述贯通孔的所述内面相反侧的所述绝缘层的第3面积之和。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：在所述第1点上的所述绝缘层的所述表面的倾斜角度大于在所述第3点上的所述绝缘层的所述表面的倾斜角度。3.如权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于：设置于所述贯通孔的所述内面上的所述绝缘层的所述表面的平均倾斜角度小于所述贯通孔的所述内面的平均倾斜角度。4.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：石田笃司，细川畅郎，永野辉昌，马场隆，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP