半导体加工用带制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体加工用带
本专利技术涉及一种拾取性优异的半导体加工用带。
技术介绍
以往，在集成电路(IC：IntegratedCircuit)等半导体装置的制造工序中实施如下工序：背磨工序，研削晶片背面，以将形成电路图案后的晶片制成薄膜；切割工序，在晶片背面贴附具有粘合性和伸缩性的半导体加工用带后将晶片分割成芯片单元；扩展工序，扩张(扩展)半导体加工用带；拾取工序，拾取所分割的芯片；以及芯片接合(装配)工序，将所拾取的芯片与引线框架或封装基板等接合(或者，在堆叠封装中将芯片彼此层叠、接合)。在上述背磨工序中，为了保护晶片的电路图案形成面(晶片表面)免受污染，使用表面保护带。在晶片的背面研削结束后，从晶片表面剥离该表面保护带时，将以下所述的半导体加工用带(切割·芯片接合带)贴在晶片背面，之后将半导体加工用带侧固定在吸附台上，对表面保护带实施处理以降低其与晶片的接合力，之后剥离表面保护带。对于剥离了表面保护带的晶片，之后在其背面贴合半导体加工用带，在此状态下从吸附台上取下，供给接下来的切割工序。此外，关于上述的降低接合力的处理，当表面保护带由紫外线等能量线固化性成分构成时是指...
【技术保护点】
一种半导体加工用带，其特征在于，具有粘合带，所述粘合带具备基材膜和形成于所述基材膜的至少一面侧的粘合剂层，在通过扩展分割粘接剂的工序中，在按照JIS7162所规定的方法的拉伸试验中，所述粘合带在10％的拉伸伸长率时的仅基材的应力与粘合带的应力的关系如下：粘合带的应力/仅基材的应力＝1以下。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.24 JP 2015-0607971.一种半导体加工用带，其特征在于，具有粘合带，所述粘合带具备基材膜和形成于所述基材膜的至少一面侧的粘合剂层，在通过扩展分割粘接剂的工序中，在按照JIS7162所规定的方法的拉伸试验中，所述粘合带在10％的拉伸伸长率时的仅基材的应力与粘合带的应力的关系如下：粘合带的应力/仅基材的应力＝1以下。2.根据权利要求1所述的半导体加工用带，其特征在于，所述半导体加工用带在半导体装置的制造方法中使用，所述半导体装置的制造方法包括如下工序：(a)在形成有电路图案的晶片表面贴合表面保护带的工序；(b)研削所述晶片背面的背磨工序；(c)在已加热所述晶片的状态下，在所述晶片背面贴合所述半导体加工用带的粘接剂层的工序；(d)从所述晶片表面剥离所述表面保护带的工序；(e)对所述晶片的分割预定部分照射激光，在所述晶片内部形成多光子吸收所引起的改质区域的工序；(f)扩展工序，通过扩张所述半导体加工用带，将所述晶片和所述半导体加工用带的所述粘接剂层沿分割线进行分割，得到多个带有所述粘接剂层的芯片；(g)在扩张后的所述半导体加工用带中，通过将不与所述芯片重叠的部分加热收缩，除去在所述扩展工序中产生的松弛，保持所述芯片的间隔的工序；以及(h)从所述半导体加工用带的粘合剂层拾取带有所述粘接剂层的所述芯片的工序。3.根据权利要求1所述的半导体加工用带，其特征在于，所述半导体加工用带在半导体装置的制造方法中使用，所述半导体装置的制造方法包括如下工序：(a)在形成有电路图案的晶片表面贴合表面保护带的工序；(b)研削所述晶片背面的背磨工序；(c)在已加热所述晶片的状态下，在所述晶片背面贴合所述半导体加工用带的粘接剂层的工序；(d)从所述晶片表面剥离所述表面保护带的工序；(e)沿着所述晶片表面的分割线照射激光，将所述晶片分割成芯片的工序；(f)扩展工序，通过扩张所述半导体加工用带，将所述粘接剂层按照每个所述芯片进行分割，得到多个带有所述粘接剂层的芯片；(g)在扩张后的所述半导体加工用带中，通过将不与所述芯片重叠的部分加热收缩，除去在所述扩展工序中产生的松弛，保持所述芯片的间隔的工序；以及(h)从所述半导体加工用带的粘合剂层拾取带有所述粘接剂层的所述芯片的工序。4.根据权利要求1所述的半导体加工用带，其特征在于，所述半导体加工用带在半导体装置的制造方法中使用，所述半导体装置的制造方法包括如下工序：(a)在形成有电路图案的晶片表面贴合表面保护带的工序；(b)研削所述晶片背面的背磨工序；(c)在已加热所述晶片的状态下，在...
【专利技术属性】
技术研发人员：佐野透，杉山二朗，青山真沙美，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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