【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】金属掩模基材、金属掩模基材的管理方法、金属掩模以及金属掩模的制造方法
本专利技术涉及具备用于配置有抗蚀剂的金属制的表面且用于形成例如有机EL元件用金属掩模的金属掩模基材、金属掩模基材的管理方法、金属掩模以及金属掩模的制造方法。
技术介绍
在有机EL元件用的金属掩模的制造中,使用例如作为金属板的金属掩模基材。在金属掩模基材所具有的涂敷面上,涂敷含有抗蚀剂层的形成材料的涂液,由此形成抗蚀剂层。然后,对抗蚀剂层进行曝光和显影,由此形成具有规定图案的抗蚀剂层,经由抗蚀剂层对金属掩模基材进行蚀刻,由此制造出金属掩模。在上述的抗蚀剂层的形成中,由于向涂敷面上涂敷的涂液的量、涂液被干燥的程度存在偏差(不均匀),而有时抗蚀剂层的厚度存在偏差、或者在抗蚀剂层的面内厚度存在偏差。因此,为了抑制抗蚀剂层中的这种偏差,提出使用干膜抗蚀剂作为抗蚀剂层(例如,参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2013-209710号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而,使用涂液形成的抗蚀剂层是对金属掩模基材直接涂敷的涂液在涂敷面上固化而得到的层,因此容易形成追随涂敷面的形状,由此 ...
【技术保护点】
一种金属掩模基材,具备金属制的表面,该金属制的表面构成为配置有抗蚀剂,其中,入射到上述表面的光的镜面反射的反射率为45.2%以上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.17 JP 2015-143509;2015.08.31 JP 2015-171441.一种金属掩模基材,具备金属制的表面,该金属制的表面构成为配置有抗蚀剂,其中,入射到上述表面的光的镜面反射的反射率为45.2%以上。2.如权利要求1所述的金属掩模基材,其中,与上述金属掩模基材的轧制方向正交的方向为宽度方向,与上述表面垂直且与上述轧制方向正交的第一平面内的上述镜面反射的反射率为第一反射率,与上述表面垂直且与上述宽度方向正交的第二平面内的上述镜面反射的反射率为第二反射率,上述第二反射率大于上述第一反射率,上述第一反射率为45.2%以上。3.如权利要求2所述的金属掩模基材,其中,上述表面包含从上述第二反射率减去上述第一反射率而得到的差为10.2%以上的部分。4.如权利要求1至3任一项所述的金属掩模基材,其中,在上述表面中,三维表面粗糙度Sa为0.11μm以下,三维表面粗糙度Sz为3.17μm以下。5.如权利要求1至4任一项所述的金属掩模基材,其中,上述表面为第一面,上述抗蚀剂为第一抗蚀剂,上述金属掩模基材还具备金属制的第二面,该第二面是与上述第一面相反侧的面,且构成为配置有第二抗蚀剂,入射到上述第二面的光的镜面反射的反射率为45.2%以上。6.如权利要求1至5任一项所述的金属掩模基材,其中,上述表面为因瓦合金制。7.如权利要求1至6任一项所述的金属掩模基材,其中,上述抗蚀剂为干膜抗蚀剂,上述表面构成为粘贴有上述干膜抗蚀剂。8.一种金属掩模基材的管理方法,其中,具备如...
【专利技术属性】
技术研发人员:田村纯香,三上菜穗子,藤户大生,西辻清明,西刚广,
申请(专利权)人:凸版印刷株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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