【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及例如在制造集成电路(ICs)中使用的铋基氧化物陶瓷材料。本专利技术特别涉及从晶片基质或从工具中使铋基氧化物陶瓷材料形成图案或除去。人们已经对成为或能够转变成铁电材料的铋基氧化物陶瓷由于其残余的极化强度(2Pr)特性和长期存储的可靠性而在集成电路中的用途进行了调研。各种技术，例如溶胶-凝胶法、化学气相沉积(CVD)、溅射、脉冲激光沉积(PLD)和蒸发已经用于基质上的沉积膜。所沉积的铋基氧化物陶瓷材料通常不具有铁电体特性。所述的沉积膜常常需要后处理，称之为“铁退火”，为了将它们转化为铁电膜。在集成电路的制造中，希望能够使铋基铁电层形成图案，以便形成适当结构的特性。然而，常规的蚀刻化学物质，例如在US4759823中描述的那样，不能使铋基铁电材料形成图案。这限制了有效地制备掺有铋基铁电材料的集成电路。另外，氧化铋的陶瓷材料常常沉积在晶片的背面上和沉积在处理这些材料中使用的工具中。在晶片的背面和工具上不想要的氧化铋陶瓷材料的沉积导致交叉污染和颗粒形成，其相反地影响产量。鉴于前述讨论，希望提供一种有效地使铋基氧化物陶瓷材料形成图案或除去的蚀刻化学物质。本...
【技术保护点】
一种用于除去铋基氧化物陶瓷的蚀刻溶液，该蚀刻溶液包含氟化物和硝酸。
【技术特征摘要】
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