聚碳酸酯系树脂组合物及其成型体制造技术

技术编号:16669920 阅读:18 留言:0更新日期:2017-11-30 15:46
一种聚碳酸酯系树脂组合物,含有10~90质量%的聚碳酸酯‑聚有机硅氧烷共聚物(E‑1)和10~90质量%的除聚碳酸酯‑聚有机硅氧烷共聚物(E‑1)以外的芳香族聚碳酸酯树脂(E‑2),所述聚碳酸酯‑聚有机硅氧烷共聚物的聚有机硅氧烷嵌段的分子量分布被控制为特定的区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】聚碳酸酯系树脂组合物及其成型体
本专利技术涉及一种透明性优异、且具有低温耐冲击性的聚碳酸酯系树脂组合物及其成型体。
技术介绍
聚碳酸酯树脂由于其高的耐冲击性、耐化学品性和阻燃性等优异的性质而受到关注。因此,期待其在电气设备、电子设备领域、汽车领域等各种领域中的广泛使用。特别是,在移动电话、移动个人电脑、数码相机、摄像机、电动工具等的壳体和其他的日用品中的应用在扩大。通常,作为代表性的聚碳酸酯,一般使用的是使用2,2-双(4-羟基苯基)丙烷[通称:双酚A]作为原料的二元酚而得到的均聚碳酸酯。为了改进该均聚碳酸酯的阻燃性、耐冲击性等物性,已知使用聚有机硅氧烷作为共聚单体而得到的聚碳酸酯-聚有机硅氧烷共聚物(以下,有时称为PC-POS。)(参见专利文献1~3)。在改善聚碳酸酯-聚有机硅氧烷共聚物的耐冲击性、特别是低温下的耐冲击性时,如专利文献3所公开的,已知使用链长长的聚有机硅氧烷的方法。然而,在该方法中,存在透明性降低的问题。相反地,为了进一步改善聚碳酸酯-聚有机硅氧烷共聚物的透明性,已知使用链长较短的聚有机硅氧烷的方法(参见专利文献4、5)。然而,在该方法中,存在耐冲击性降低的问题。并且,在专利文献6中,尝试了通过配合透光率不同的2种聚碳酸酯-聚有机硅氧烷共聚物,从而保持优异的耐冲击性并且提高透明性,然而不能说该透明性是充分的。由此,迄今为止的聚碳酸酯-聚有机硅氧烷共聚物难以兼具优异的透明性和耐冲击性、特别是低温下的耐冲击性。专利文献1:日本特许第2662310号公报专利文献2:日本特开2011-21127号公报专利文献3:日本特开2012-246430号公报专利文献4:日本特开平8-81620号公报专利文献5:日本特开2011-46911号公报专利文献6:日本特表2006-523243号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术的目的是提供一种具有优异的透明性和耐冲击性、特别是低温下的耐冲击性的聚碳酸酯系树脂组合物及其成型体。用于解决问题的手段本专利技术人发现:通过将聚碳酸酯系树脂组合物所含的聚碳酸酯-聚有机硅氧烷共聚物的聚有机硅氧烷嵌段的分子量分布控制在特定的区域,从而解决上述问题。即,本专利技术涉及下述1~14。1.一种聚碳酸酯系树脂组合物,其特征在于,含有10~90质量%的聚碳酸酯-聚有机硅氧烷共聚物(E-1)和10~90质量%的除聚碳酸酯-聚有机硅氧烷共聚物(E-1)以外的芳香族聚碳酸酯树脂(E-2),所述聚碳酸酯-聚有机硅氧烷共聚物(E-1)具有包含下述通式(I)所示的重复单元的聚碳酸酯嵌段(A)和含有下述通式(II)所示的重复单元的聚有机硅氧烷嵌段(B),在所述聚有机硅氧烷嵌段(B)的根据利用以聚苯乙烯作为换算基准的凝胶渗透色谱法的测定得到的、横轴为分子量M的对数值log(M)、纵轴为将浓度比率w以分子量的对数值log(M)进行微分得到的dw/dlog(M)的分子量微分分布曲线中,(1)dw/dlog(M)的值在3.4≤log(M)≤4.0的范围内达到最大,(2)在所述分子量微分分布曲线中,在4.00≤log(M)≤4.50的范围内对dw/dlog(M)值的积分值相对于在log(M)的整个范围内对dw/dlog(M)值的积分值为6%~40%,式中,R1和R2各自独立地表示卤素原子、碳数1~6的烷基或碳数1~6的烷氧基;X表示单键、碳数1~8的烷撑基、碳数2~8的烷叉基、碳数5~15的环烷撑基、碳数5~15的环烷叉基、亚芴基、碳数7~15的芳基烷撑基、碳数7~15的芳基烷叉基、-S-、-SO-、-SO2-、-O-或-CO-;R3和R4各自独立地表示氢原子、卤素原子、碳数1~6的烷基、碳数1~6的烷氧基或碳数6~12的芳基;a和b各自独立地表示0~4的整数。2.一种聚碳酸酯系树脂组合物,其特征在于,含有10~90质量%的聚碳酸酯-聚有机硅氧烷共聚物(E-1)和10~90质量%的除聚碳酸酯-聚有机硅氧烷共聚物(E-1)以外的芳香族聚碳酸酯树脂(E-2),所述聚碳酸酯-聚有机硅氧烷共聚物(E-1)具有包含下述通式(I)所示的重复单元的聚碳酸酯嵌段(A)和含有下述通式(II)所示的重复单元的聚有机硅氧烷嵌段(B),原料中使用如下聚有机硅氧烷,所述聚有机硅氧烷的根据利用以聚苯乙烯作为换算基准的凝胶渗透色谱法的测定得到的、横轴为分子量M的对数值log(M)、纵轴为将浓度比率w以分子量的对数值log(M)进行微分得到的dw/dlog(M)的分子量微分分布曲线中,(1)dw/dlog(M)的值在3.4≤log(M)≤4.0的范围内达到最大,(2)在所述分子量微分分布曲线中,在4.00≤log(M)≤4.50的范围内对dw/dlog(M)值的积分值相对于在log(M)的整个范围内对dw/dlog(M)值的积分值为6%~40%,式中,R1和R2各自独立地表示卤素原子、碳数1~6的烷基或碳数1~6的烷氧基;X表示单键、碳数1~8的烷撑基、碳数2~8的烷叉基、碳数5~15的环烷撑基、碳数5~15的环烷叉基、亚芴基、碳数7~15的芳基烷撑基、碳数7~15的芳基烷叉基、-S-、-SO-、-SO2-、-O-或-CO-;R3和R4各自独立地表示氢原子、卤素原子、碳数1~6的烷基、碳数1~6的烷氧基或碳数6~12的芳基;a和b各自独立地表示0~4的整数。3.1或2所述的聚碳酸酯系树脂组合物,其中,所述芳香族聚碳酸酯树脂(E-2)含有芳香族均聚碳酸酯树脂。4.1~3中任一项所述的聚碳酸酯系树脂组合物,其中,所述芳香族聚碳酸酯树脂(E-2)含有具有包含所述通式(I)所示的重复单元的聚碳酸酯嵌段(A’)和含有所述通式(II)所示的重复单元的聚有机硅氧烷嵌段(B’)的聚碳酸酯-聚有机硅氧烷共聚物。5.4所述的聚碳酸酯系树脂组合物,其中,所述聚有机硅氧烷嵌段(B’)的平均链长为20以上且小于60。6.4所述的聚碳酸酯系树脂组合物,其中,所述聚有机硅氧烷嵌段(B’)的平均链长为60以上且500以下。7.1~6中任一项所述的聚碳酸酯系树脂组合物,其中,所述聚有机硅氧烷嵌段(B)的平均链长为30以上且85以下。8.1~7中任一项所述的聚碳酸酯系树脂组合物,其中,所述聚碳酸酯-聚有机硅氧烷共聚物(E-1)中的所述聚有机硅氧烷嵌段(B)的含量为0.5~20.0质量%。9.1~8中任一项所述的聚碳酸酯系树脂组合物,其中,所述聚碳酸酯-聚有机硅氧烷共聚物(E-1)的粘均分子量为12,000~40,000。10.1~9中任一项所述的聚碳酸酯系树脂组合物,其中,所述通式(I)中的a和b为0,X为单键或碳数2~8的烷叉基。11.10所述的聚碳酸酯系树脂组合物,其中,所述通式(I)中的a和b为0,X为碳数3的烷叉基。12.1~11中任一项所述的聚碳酸酯系树脂组合物,其中,所述通式(II)中的R3和R4为甲基。13.一种成型体,其是将1~12中任一项所述的聚碳酸酯系树脂组合物成型而成的。14.13所述的成型体,所述成型体为用于电气设备或电子设备的构件。专利技术效果根据本专利技术,能够得到具有优异的透明性和耐冲击性、特别是低温下的耐冲击性的聚碳酸酯系树脂组合物及其成型体。附图说明图1是示出得到的微分分布曲线的一例的图示,用斜线部分示出了在4.00≤log(M)≤4.50本文档来自技高网
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聚碳酸酯系树脂组合物及其成型体

【技术保护点】
一种聚碳酸酯系树脂组合物,其特征在于,含有10~90质量%的聚碳酸酯‑聚有机硅氧烷共聚物(E‑1)和10~90质量%的除聚碳酸酯‑聚有机硅氧烷共聚物(E‑1)以外的芳香族聚碳酸酯树脂(E‑2),所述聚碳酸酯‑聚有机硅氧烷共聚物(E‑1)具有包含下述通式(I)所示的重复单元的聚碳酸酯嵌段(A)和含有下述通式(II)所示的重复单元的聚有机硅氧烷嵌段(B),在所述聚有机硅氧烷嵌段(B)的根据利用以聚苯乙烯作为换算基准的凝胶渗透色谱法的测定得到的、横轴为分子量M的对数值log(M)、纵轴为将浓度比率w以分子量的对数值log(M)进行微分得到的dw/dlog(M)的分子量微分分布曲线中,(1)dw/dlog(M)的值在3.4≤log(M)≤4.0的范围内达到最大,(2)在所述分子量微分分布曲线中,在4.00≤log(M)≤4.50的范围内对dw/dlog(M)值的积分值相对于在log(M)的整个范围内对dw/dlog(M)值的积分值为6%~40%,

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.30 JP 2015-0701551.一种聚碳酸酯系树脂组合物,其特征在于,含有10~90质量%的聚碳酸酯-聚有机硅氧烷共聚物(E-1)和10~90质量%的除聚碳酸酯-聚有机硅氧烷共聚物(E-1)以外的芳香族聚碳酸酯树脂(E-2),所述聚碳酸酯-聚有机硅氧烷共聚物(E-1)具有包含下述通式(I)所示的重复单元的聚碳酸酯嵌段(A)和含有下述通式(II)所示的重复单元的聚有机硅氧烷嵌段(B),在所述聚有机硅氧烷嵌段(B)的根据利用以聚苯乙烯作为换算基准的凝胶渗透色谱法的测定得到的、横轴为分子量M的对数值log(M)、纵轴为将浓度比率w以分子量的对数值log(M)进行微分得到的dw/dlog(M)的分子量微分分布曲线中,(1)dw/dlog(M)的值在3.4≤log(M)≤4.0的范围内达到最大,(2)在所述分子量微分分布曲线中,在4.00≤log(M)≤4.50的范围内对dw/dlog(M)值的积分值相对于在log(M)的整个范围内对dw/dlog(M)值的积分值为6%~40%,式中,R1和R2各自独立地表示卤素原子、碳数1~6的烷基或碳数1~6的烷氧基;X表示单键、碳数1~8的烷撑基、碳数2~8的烷叉基、碳数5~15的环烷撑基、碳数5~15的环烷叉基、亚芴基、碳数7~15的芳基烷撑基、碳数7~15的芳基烷叉基、-S-、-SO-、-SO2-、-O-或-CO-;R3和R4各自独立地表示氢原子、卤素原子、碳数1~6的烷基、碳数1~6的烷氧基或碳数6~12的芳基;a和b各自独立地表示0~4的整数。2.一种聚碳酸酯系树脂组合物,其特征在于,含有10~90质量%的聚碳酸酯-聚有机硅氧烷共聚物(E-1)和10~90质量%的除聚碳酸酯-聚有机硅氧烷共聚物(E-1)以外的芳香族聚碳酸酯树脂(E-2),所述聚碳酸酯-聚有机硅氧烷共聚物(E-1)具有包含下述通式(I)所示的重复单元的聚碳酸酯嵌段(A)和含有下述通式(II)所示的重复单元的聚有机硅氧烷嵌段(B),原料中使用如下聚有机硅氧烷,所述聚有机硅氧烷的根据利用以聚苯乙烯作为换算基准的凝胶渗透色谱法的测定得到的、横轴为分子量M的对数值log(M)、纵轴为将浓度比率w以分子量的对数值log(M)进行微分得到的dw/dlog(M)的分子量微分分布曲线中,(1)dw/dlog(M)的值在3.4≤log(M)≤4.0的范围内达到最大,(2)在所述分子量微分分布曲线中,...

【专利技术属性】
技术研发人员:山田亚起石川康弘
申请(专利权)人:出光兴产株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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