一种高外量子效率的底发光型OLED器件制造技术

本发明专利技术公开了一种高外量子效率的底发光型OLED器件，包括位于玻璃衬底上方的低折射率层，位于所述低折射率层上方的阳极层，与所述阳极相对设置的阴极层，以及形成于所述阳极层和所述阴极层之间的微腔；其中，所述微腔包括有机功能层；所述阴极层为不透明的全反射阴极层，所述阳极层为半反射阳极层；所述玻璃衬底的出光面经过粗糙化处理；所述低折射率层的折射率为1.05‑1.4。本发明专利技术通过增加低折射率层，减少波导效应；通过使玻璃表面粗糙化，减少全反射和提高光耦合效率；通过将透明阳极改为半反射阳极结构，形成微腔器件，使OLED出光因干涉加强。本发明专利技术通过上述改进，整体协同，大大提高OLED器件的外量子效率，外量子效率达到传统底发光型OLED器件的3倍以上。

【技术实现步骤摘要】
一种高外量子效率的底发光型OLED器件
本专利技术涉及显示
，特别是涉及了一种高外量子效率的底发光型OLED器件。
技术介绍
OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)是一种极具发展前景的平板显示技术，它具有十分优异的显示性能，具有自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特性，被誉为“梦幻显示器”。再加上其生产设备投资远小于TFT-LCD(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，薄膜晶体管液晶显示器)，得到了各大显示器厂家的青睐，已成为显示
中第三代显示器件的主力军。目前OLED已处于大规模量产的前夜，随着研究的进一步深入，新技术的不断涌现，OLED显示器件必将有一个突破性的发展。制约OLED器件发光效率的因素除了发光材料的内量子转化效率，还有一个重要的原因是发光区域产生的光子经由透明电极发射出去而产生发光，光子在穿过有机层和透明电极时，大部分受到反射而损失。随着新型磷光材料的应用，OLED的内量子效率已经接近100％，然而传统OLED产品都是底发光OLED产品，器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高外量子效率的底发光型OLED器件，其特征在于，包括位于玻璃衬底上方的低折射率层，位于所述低折射率层上方的阳极层，与所述阳极相对设置的阴极层，以及形成于所述阳极层和所述阴极层之间的微腔；其中，所述微腔包括有机功能层；所述阴极层为不透明的全反射阴极层，所述阳极层为半反射阳极层；所述玻璃衬底的出光面经过粗糙化处理；所述低折射率层的折射率为1.05‑1.4。

【技术特征摘要】
1.一种高外量子效率的底发光型OLED器件，其特征在于，包括位于玻璃衬底上方的低折射率层，位于所述低折射率层上方的阳极层，与所述阳极相对设置的阴极层，以及形成于所述阳极层和所述阴极层之间的微腔；其中，所述微腔包括有机功能层；所述阴极层为不透明的全反射阴极层，所述阳极层为半反射阳极层；所述玻璃衬底的出光面经过粗糙化处理；所述低折射率层的折射率为1.05-1.4。2.如权利要求1所述的高外量子效率的底发光型OLED器件，其特征在于，所述半反射阳极层为半反射层。3.如权利要求1所述的高外量子效率的底发光型OLED器件，其特征在于，所述半反射阳极层包括层叠设置的半反射层和透明阳极。4.如权利要求2或3所述的高外量子效率的底发光型OLED器件，其特征在于，所述半反射层为的厚度为10-60nm，反射率为30-50%，所述半反射层的材料包括Al、Ag、Au、Ge、MoO3中的一种或多种。5.如权利要求3所述的高外量子效率的底发光型OLED器件，其特征在于，所述透明阳极为ITO或IZO，全反射阴极层的材料为铝，所述低折射率层由管状氧化铝或氧化硅气凝...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖阳，阮小龙，王学军，
申请(专利权)人：信利半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44