The invention discloses a silicon based light emitting device of electrode structure and its preparation process, electrode structure by silicon contact layer, the light reflecting layer and organic contact layer, wherein the electrode structure started to turn silicon from silicon contact layer, light reflection layer and the organic layer contact; the side wall of the electrode structure and the silicon substrate is angle, and the electrode structure and the adjacent groove width to depth ratio of not less than 2:1. The preparation process of the invention comprises the use of vacuum evaporation, sputtering, ion plating or PECVD method to generate the silicon contact layer, the light reflecting layer and organic contact layer, a plurality of sets of mask and different concentration of etching agent in the etching process after etching the electrode structure and the side wall of the A silicon substrate angle, and engraved in the direction perpendicular to the substrate; the electrode width is less than 20 m; the silicon substrate includes drive circuit. The electrode structure described in this paper has an inclined plane and a step on the side wall, which effectively reduces the shadow caused by the oblique sputtering of the deposition source.
【技术实现步骤摘要】
一种硅基发光器件电极结构及其制备工艺
本专利技术涉及有机发光二极管制造
,特别是一种硅基发光器件电极结构及其制备工艺。
技术介绍
目前的硅基发光器件电极结构为多层结构,如授权公告号为CN102629667B的中国专利技术专利记载的电极结构为Ti、TiN、Al、Ti、TiN五层结构,层数较多,工艺复杂,而且硅基刻蚀工艺做出来的电极侧壁为垂直结构,在后续的等离子溅射工艺中,由于是斜向溅射,垂直的凹槽极易产生阴影效应,造成薄膜不均匀甚至断裂失效,严重影响良率。因此,本领域的技术人员致力于开发一种硅基发光器件电极结构及其制备工艺,层数较少且电极侧壁为斜面,极大消除了垂直凹槽产生的阴影效应。
技术实现思路
有鉴于现有技术的上述缺陷,本专利技术所要解决的技术问题是如何简化硅基发光电极结构以及消除溅射过程中的阴影效应。为实现上述目的,本专利技术提供了一种硅基发光器件电极结构,包括硅基底,由硅基接触层、光反射层和有机接触层组成,其中所述电极结构从硅基底开始依次为硅基接触层、光反射层和有机接触层;所述电极宽度不大于20μm;所述电极结构的侧壁与所述硅基底呈角度,且相邻电极间凹槽的宽深比不小于2:1,所述硅基底为包含有驱动电路的单晶硅,所述驱动电路至少包括金属氧化物半导体场效应晶体管且向每个电极提供不大于500nA的电流。进一步地,所述硅基接触层的材料为Cr、Ti、Ta、Ni、ITO金属单质或其任意比例的混合物且厚度为1nm-50nm,所述光反射层的材料为Al、Ag金属单质或其任意比例的混合物且厚度为50nm-500nm,所述有机接触层为ITO、Cr、Mo、Ni、Pt、Au ...
【技术保护点】
一种硅基发光器件电极结构,包括硅基底,其特征在于,由硅基接触层、光反射层和有机接触层组成,其中所述电极结构从硅基底开始依次为硅基接触层、光反射层和有机接触层;所述电极宽度不大于20μm;所述电极结构的侧壁与所述硅基底呈角度,且相邻电极间凹槽的宽深比不小于2:1,所述硅基底为包含有驱动电路的单晶硅,所述驱动电路至少包括金属氧化物半导体场效应晶体管且向每个电极提供不大于500nA的电流。
【技术特征摘要】
1.一种硅基发光器件电极结构,包括硅基底,其特征在于,由硅基接触层、光反射层和有机接触层组成,其中所述电极结构从硅基底开始依次为硅基接触层、光反射层和有机接触层;所述电极宽度不大于20μm;所述电极结构的侧壁与所述硅基底呈角度,且相邻电极间凹槽的宽深比不小于2:1,所述硅基底为包含有驱动电路的单晶硅,所述驱动电路至少包括金属氧化物半导体场效应晶体管且向每个电极提供不大于500nA的电流。2.如权利要求1所述的硅基发光器件电极结构,其特征在于,所述硅基接触层的材料为Cr、Ti、Ta、Ni、ITO金属单质或其任意比例的混合物且厚度为1nm-50nm,所述光反射层的材料为Al、Ag金属单质或其任意比例的混合物且厚度为50nm-500nm,所述有机接触层为ITO、Cr、Mo、Ni、Pt、Au、Cu、Ti、W、Zr、Ta、ZrOx、VOx、MoOx、AlOx、ZnOx、MoN、TiNx、TiSixNy、WSix、WNx、WSixTy、TaNx、TaSixNy、SiOx、SiNx、SiC、C60单质或其任意比例的混合物且厚度为1nm-50nm。3.如权利要求1所述的硅基发光器件电极结构,其特征在于,所述角度为20°~80°。4.如权利要求1所述的硅基发光器件电极结构,其特征在于,所述硅基底、硅基接触层、光反射层和有机接触层形成台阶状,下层比上层宽1-100nm;所述光反射层为大于等于1层的台阶状结构,下层比上层宽1-100nm。5.如权利要求1所述的硅基发光器件电极结构,其特征在于,在所述电极表面粗糙度不大于1nm,所述电极侧面粗糙度不大于3nm。6.一种硅基发光器件电极结构的制备...
【专利技术属性】
技术研发人员:季渊,沈伟星,
申请(专利权)人:南京迈智芯微光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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