一种硅基有机发光器件底电极结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种硅基有机发光器件底电极结构及其制造方法，涉及硅基有机发光领域，其中硅基有机发光器件底电极包括第一金属层、连接孔、透明绝缘膜、有机接触层，硅基底中含有金属氧化物半导体场效应晶体管，连接孔设置于透明绝缘膜中，有机接触层通过连接孔连接至第一金属层，第一金属层连接至金属氧化物半导体场效应晶体管的输出端。连接第一金属层和有机接触层的连接孔设置在底电极的边缘位置或四角位置且突出于发光区。绝缘钝化物包覆有机接触层的外围边缘。本发明专利技术的硅基有机发光器件底电极结构将反光层下移，通孔偏置并且对电极进行覆盖绝缘钝化物处理，极大提高了有机发光层铺设时的平整度并减小了电极厚度，提高了发光效率和良品率。

Bottom electrode structure of silicon based organic light emitting device and manufacturing method thereof

The invention discloses a silicon based organic light emitting device bottom electrode structure and manufacturing method thereof, relates to the field of OLED on silicon, silicon based organic light emitting device bottom electrode includes a first metal layer, a connecting hole, a transparent insulating film and organic contact layer, containing a metal oxide semiconductor field effect transistor in a silicon substrate, a connecting hole a transparent insulating film, an organic layer contact through the connecting hole connected to the first metal layer, a first metal layer is connected to the metal oxide semiconductor field effect transistor output. The connecting holes connecting the first metal layer and the organic contact layer are positioned at the edge position or the four corner position of the bottom electrode and protrude out of the luminous area. Outer edge of organic contact layer coated with insulating passivation. Silicon based organic light emitting device bottom electrode structure of the invention will be reflective layer down, through hole and bias the electrode was covered with an insulating passivation treatment, greatly improving the organic light emitting layer laying smoothness and reduce the thickness of the electrode, the luminous efficiency and yield increase.

【技术实现步骤摘要】
一种硅基有机发光器件底电极结构及其制造方法
本专利技术涉及硅基有机发光器件领域，尤其涉及一种硅基有机发光器件底电极结构及其制造方法。
技术介绍
在现有的硅基有机发光的器件结构中，阳极一般为三层或五层结构，通常为钛、氮化钛、铝、钛、氮化钛的垂直五层结构，如授权公告号为“CN102629667B”专利技术名称为“硅基顶发射有机发光微显示器件及其制备方法”中公开了这种结构，其公开的技术方案中，连接阳极的通孔设置在阳极中间，容易造成底电极表面或侧面不平整，如图1所示。另外，五层垂直的阳极结构总体高度较高，在阳极上铺设有机发光层时，也容易形成不平和褶皱，影响发光效率。因此，本领域的技术人员致力于开发一种硅基有机发光器件及其制造方法，将反光层下移，通孔偏置并且对电极进行覆盖绝缘钝化物处理，极大提高了有机发光层铺设时的平整度并减小了电极厚度，提高了发光效率和良品率。
技术实现思路
有鉴于现有技术的上述缺陷，本专利技术所要解决的技术问题是如何提高有机发光层铺设时的平整度和减小厚度，如何提高了发光效率。为实现上述目的，可将通孔偏置并且对底电极进行钝化物覆盖处理，进一步地，将反光层下移。本专利技术提供了一种硅基有机发光器件底电极结构，包括硅基底，其特征在于：所述底电极包括第一金属层、连接孔、透明绝缘膜、有机接触层，所述硅基底中含有金属氧化物半导体场效应晶体管，所述连接孔设置于透明绝缘膜中，所述有机接触层通过连接孔连接至第一金属层，所述第一金属层连接至所述金属氧化物半导体场效应晶体管的输出端，所述有机接触层的材料为ITO、Cr、Mo、Ni、Pt、Au、Cu、Ti、W、Zr、Ta、ZrOx、VOx、MoOx、AlOx、ZnOx、MoN、TiNx、TiSixNy、WSix、WNx、WSixTy、TaNx、TaSixNy、SiOx、SiNx、SiC、C60单质或其任意比例的混合物。进一步地，所述底电极还包括第二金属层，所述第二金属层设置于有机接触层和第一金属层之间，所述连接孔与所述第二金属层在同一水平高度错开设置且不相连接，所述第二金属层被透明绝缘膜所包含。进一步地，所述有机接触层非常薄且呈透明或半透明状态，其厚度不超过50nm。进一步地，所述透明绝缘膜的材料为氧化硅或氮化硅，且厚度不超过2μm。进一步地，所述第一金属层和第二金属层的材料为Al或Ag，且厚度不小于50nm；所述第一金属层和第二金属层的上边缘和/或下边缘可选择性地包覆有硅基接触层，所述硅基接触层的材料为Cr、Ti、Ta、Ni、W或其氧化物或氮化物或其任意比例的混合物，且厚度不大于100nm。进一步地，所述有机接触层的外围边缘由绝缘钝化物包覆，使所述有机接触层中未被包覆的区域形成发光区，所述绝缘钝化物为氧化硅、氮化硅、光致抗蚀剂中的一种或其混合物。进一步地，连接所述第一金属层和所述有机接触层的连接孔设置在所述底电极的边缘位置或四角位置且突出于所述发光区。进一步地，所述底电极具有凹陷部，所述凹陷部与相邻底电极的突出部相嵌。进一步地，所述连接孔上的底电极部分被所述绝缘钝化物包覆。进一步地，设置在底电极边缘位置的通孔的数量为1-4个，且通孔大小不超过1um。进一步地，所有通孔突出不必全部朝向一个方向。此外，本专利技术还提供了一种硅基有机发光器件底电极的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在所述硅基底上生长所述金属氧化物半导体场效应晶体管；步骤2、在所述金属氧化物半导体场效应晶体管上方生长所述第一金属层；步骤3、在所述第一金属层上方生长第一氧化硅或氮化硅层；步骤4、在所述第一氧化硅或氮化硅层中制作所述连接孔；步骤5、在所述第一氧化硅或氮化硅层上方制作所述有机接触层；进一步地，若所述底电极中含有所述第二金属层，则在步骤3和步骤4之间还包含：步骤3.1、在所述第一氧化硅或氮化硅层中生长所述第二金属层；步骤3.2、在所述第二金属层上生长第二氧化硅或氮化硅层；进一步地，所述第一氧化硅或氮化硅层和所述第二氧化硅或氮化硅层形成所述透明绝缘膜；若所述底电极中含有所述绝缘钝化物，则在步骤5之后还包含：步骤5.1、在所述有机接触层边缘制作所述绝缘钝化物。本专利技术所述的硅基有机发光器件及其制造方法，将反光层下移，通孔偏置并且对电极进行覆盖绝缘钝化物处理，极大提高了有机发光层铺设时的平整度并减小了电极厚度，提高了发光效率和良品率。以下将结合附图对本专利技术的构思、具体结构及产生的技术效果作进一步说明，以充分地了解本专利技术的目的、特征和效果。附图说明图1是现有技术中有机发光器件的单个底电极的剖面示意图；图2(a)是本专利技术的一个较佳实施例的单个底电极的纵剖面结构示意图；图2(b)是本专利技术的另一个较佳实施例的单个底电极的纵剖面结构示意图；图3(a)是本专利技术的一个较佳实施例的具有绝缘钝化物包覆的单个底电极的纵剖面结构示意图；图3(b)是本专利技术的一个较佳实施例的具有绝缘钝化物包覆的单个底电极的纵剖面结构示意图；图4(a)是本专利技术的一个较佳实施例的具有绝缘钝化物包覆且连接孔偏置的单个底电极的纵剖面结构示意图；图4(b)是本专利技术的一个较佳实施例的具有绝缘钝化物包覆且连接孔偏置的单个底电极的纵剖面结构示意图；图5(a)是本专利技术的一个较佳实施例的单个底电极俯视图；图5(b)是本专利技术另一个较佳实施例的单个底电极俯视图；图5(c)是本专利技术又一个较佳实施例的单个底电极俯视图；图6是本专利技术的一个较佳实施例的像素阵列俯视图；图7(a)是本专利技术又一个较佳实施例的单个底电极俯视图；图7(b)是本专利技术又一个较佳实施例的单个底电极俯视图；图8(a)是本专利技术另一个较佳实施例的像素阵列俯视图；图8(b)是本专利技术又一个较佳实施例的像素阵列俯视图。具体实施方式以下参考说明书附图介绍本专利技术的多个优选实施例，使其
技术实现思路
更加清楚和便于理解。本专利技术可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本专利技术的保护范围并非仅限于文中提到的实施例。在附图中，结构相同的部件以相同数字标号表示，各处结构或功能相似的组件以相似数字标号表示。附图所示的每一组件的尺寸和厚度是任意示出的，本专利技术并没有限定每个组件的尺寸和厚度。为了使图示更清晰，附图中有些地方适当夸大了部件的厚度。实施例一：如图2(a)所示，本实施例提供了一种硅基有机发光器件的底电极01，包括硅基底10，所述底电极01包括第一金属层11、连接孔12、透明绝缘膜13、有机接触层14，所述硅基底10中含有金属氧化物半导体场效应晶体管21，所述连接孔12设置于透明绝缘膜13中，所述有机接触层14通过连接孔12连接至第一金属层11，所述第一金属层11通过金属导线和内部通孔连接至所述金属氧化物半导体场效应晶体管21的输出端31，所述有机接触层14的材料为ITO、Cr、Mo、Ni、Pt、Au、Cu、Ti、W、Zr、Ta、ZrOx、VOx、MoOx、AlOx、ZnOx、MoN、TiNx、TiSixNy、WSix、WNx、WSixTy、TaNx、TaSixNy、SiOx、SiNx、SiC、C60单质或其任意比例的混合物。所述第一金属层11用于提供反射面，入射光线41透过有机接触层14在第一金属层11形成反射后再次透过有机接触层14向电极外出射。进一步地，有机接触层14非常薄且呈透明或半透明状态，其厚度为不超过50nm，优选值为5～10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅基有机发光器件底电极结构，包括硅基底，其特征在于，所述底电极包括第一金属层、连接孔、透明绝缘膜、有机接触层，所述硅基底中含有金属氧化物半导体场效应晶体管，所述连接孔设置于透明绝缘膜中，所述有机接触层通过所述连接孔连接至第一金属层，所述第一金属层连接至所述金属氧化物半导体场效应晶体管的输出端，所述有机接触层的材料为ITO、Cr、Mo、Ni、Pt、Au、Cu、Ti、W、Zr、Ta、ZrOx、VOx、MoOx、AlOx、ZnOx、MoN、TiNx、TiSixNy、WSix、WNx、WSixTy、TaNx、TaSixNy、SiOx、SiNx、SiC、C60单质或其任意比例的混合物。

【技术特征摘要】
1.一种硅基有机发光器件底电极结构，包括硅基底，其特征在于，所述底电极包括第一金属层、连接孔、透明绝缘膜、有机接触层，所述硅基底中含有金属氧化物半导体场效应晶体管，所述连接孔设置于透明绝缘膜中，所述有机接触层通过所述连接孔连接至第一金属层，所述第一金属层连接至所述金属氧化物半导体场效应晶体管的输出端，所述有机接触层的材料为ITO、Cr、Mo、Ni、Pt、Au、Cu、Ti、W、Zr、Ta、ZrOx、VOx、MoOx、AlOx、ZnOx、MoN、TiNx、TiSixNy、WSix、WNx、WSixTy、TaNx、TaSixNy、SiOx、SiNx、SiC、C60单质或其任意比例的混合物。2.如权利要求1所述的硅基有机发光器件底电极结构，其特征在于，所述底电极还包括第二金属层，所述第二金属层设置于所述有机接触层和所述第一金属层之间，所述连接孔与所述第二金属层在同一水平高度错开设置且不相连接，所述第二金属层被透明绝缘膜所包含。3.如权利要求1或2所述的硅基有机发光器件底电极结构，其特征在于，所述有机接触层呈透明或半透明状态，且其厚度不超过50nm。4.如权利要求1或2所述的硅基有机发光器件底电极结构，其特征在于，所述透明绝缘膜的材料为氧化硅或氮化硅，且厚度不超过2μm。5.如权利要求1或2所述的硅基有机发光器件底电极结构，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层的材料为Al或Ag，且厚度不小于50nm；所述第一金属层和第二金属层的上边缘和/或下边缘可选择性地包覆有硅基接触层，所述硅基接触层的材料为Cr、Ti、Ta、Ni、W或其氧化物或氮化物或上述材料的任意比例的混合...

【专利技术属性】
技术研发人员：季渊，沈伟星，
申请(专利权)人：南京迈智芯微光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32