薄膜晶体管阵列面板及其制造方法技术
【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管阵列面板及其制造方法本申请要求于2016年3月11日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0029842号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
本专利技术涉及一种薄膜晶体管阵列面板以及该薄膜晶体管阵列面板的制造方法。
技术介绍
液晶显示器(LCD)是平板显示器的最常见类型之一。LCD包括像素电极、共电极和设置在它们之间的液晶层。LCD向像素电极和共电极施加电压以重新布置液晶层的液晶分子，从而控制透射的光的量，从而控制图像的显示。像素电极连接到诸如薄膜晶体管的开关元件以接收数据电压。当形成薄膜晶体管的沟道时，用于制造源电极和漏电极的一些金属会流入到沟道中，从而污染沟道，从而降低薄膜晶体管的性能。
技术实现思路
根据本专利技术的示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板包括：基底、设置在基底上的半导体层、与半导体层叠置的源电极和漏电极、与半导体层叠置的栅电极、设置在半导体层与源电极之间的第一欧姆接触件和设置在半导体层与漏电极之间的第二欧姆接触件，其中，半导体层包括不与源电极和漏电极叠置的沟道部分，第一欧姆接触件包括第一边缘，第二欧姆接触件包括...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板包括：基底；半导体层，设置在所述基底上；与所述半导体层叠置的源电极和漏电极，以及与所述半导体层叠置的栅电极；以及设置在所述半导体层和所述源电极之间的第一欧姆接触件，以及设置在所述半导体层和所述漏电极之间的第二欧姆接触件，其中，所述半导体层包括不与所述源电极和所述漏电极叠置的沟道部分，所述第一欧姆接触件包括第一边缘，所述第二欧姆接触件包括第二边缘，其中，所述第一边缘和所述第二边缘跨过所述半导体层的所述沟道部分面对彼此，所述第一欧姆接触件的所述第一边缘远离所述源电极朝向所述沟道部分突出，所述第二欧姆接触件的所述第二边缘远离所述漏电极...
【技术特征摘要】
2016.03.11 KR 10-2016-00298421.一种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板包括：基底；半导体层，设置在所述基底上；与所述半导体层叠置的源电极和漏电极，以及与所述半导体层叠置的栅电极；以及设置在所述半导体层和所述源电极之间的第一欧姆接触件，以及设置在所述半导体层和所述漏电极之间的第二欧姆接触件，其中，所述半导体层包括不与所述源电极和所述漏电极叠置的沟道部分，所述第一欧姆接触件包括第一边缘，所述第二欧姆接触件包括第二边缘，其中，所述第一边缘和所述第二边缘跨过所述半导体层的所述沟道部分面对彼此，所述第一欧姆接触件的所述第一边缘远离所述源电极朝向所述沟道部分突出，所述第二欧姆接触件的所述第二边缘远离所述漏电极朝向所述沟道部分突出。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：所述第一欧姆接触件包括第三边缘，所述第二欧姆接触件包括第四边缘，其中，所述第三边缘与所述源电极的边缘叠置，所述第四边缘与所述漏电极的边缘叠置；所述第一欧姆接触件的所述第三边缘远离所述源电极的边缘的突出小于所述第一欧姆接触件的所述第一边缘远离所述源电极的突出，所述第二欧姆接触件的所述第四边缘远离所述漏电极的边缘的突出小于所述第二欧姆接触件的所述第二边缘远离所述漏电极的突出。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：所述第一欧姆接触件包括第三边缘，所述第二欧姆接触件包括第四边缘，其中，所述第三边缘与所述源电极的边缘叠置，所述第四边缘与所述漏电极的边缘叠置。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：所述源电极的第一边缘与所述半导体层的第一边缘具有相同的形状，所述漏电极的第一边缘与所述半导体层的第二边缘具有相同的形状。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：所述源电极的所述第一边缘和所述漏电极的所述第一边缘分别与所述半导体层的所述第一边缘和所述第二边缘叠置。6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板还包括：保护层，设置在所述源电极的所述第一边缘和所述漏电极的所述第一边缘的侧面处，其中，所述保护层不设置在跨过所述沟道部分面对彼此的所述源电极的第二边缘和所述漏电极的第二边缘的侧面处，所述保护层包括能够被与所述源电极和所述漏电极的蚀刻剂相同的蚀刻剂蚀刻的材料。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：所述保护层包括与栅极绝缘层的材料相同的材料。8....
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