显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示装置。能够在同一基板内形成LTPS TFT和氧化物半导体TFT。显示装置，包含具有形成有像素的显示区域的基板，其特征在于，所述像素包含使用了氧化物半导体(109)的第一TFT，在所述氧化物半导体(109)之上形成作为绝缘物的氧化膜(110)，所述氧化膜(110)之上形成栅电极(111)，在所述第一TFT的漏极上经由在所述氧化膜(110)中形成的第一通孔而连接第一电极(115)，在所述第一TFT的源极上经由在所述氧化膜(110)中形成的第二通孔而连接第二电极(116)。

【技术实现步骤摘要】
显示装置
本专利技术涉及显示装置，且涉及使用混合式(hybrid)结构(其利用使用Poly-Si(多晶硅)的TFT和使用氧化物半导体的TFT这两者)的显示装置。
技术介绍
对于液晶显示装置而言，其构成为：具有TFT基板、与TFT基板相对地配置的对置基板，并在TFT基板与对置基板之间夹持液晶，所述TFT基板中具有像素电极及薄膜晶体管(TFT)等的像素以矩阵状形成。并且，按每个像素来控制利用液晶分子的光的透过率，从而形成图像。另一方面，有机EL显示装置通过在各像素中配置自发光的有机EL层与TFT，从而形成彩色图像。有机EL显示装置由于不需要背光源，因此对于薄型化而言是有利的。由于LTPS(LowTemperaturePoly-Si：低温多晶硅)迁移率高，因此适合作为驱动电路用TFT。另一方面，氧化物半导体OFF电阻高，若将其用于TFT，则能够减小OFF电流。作为记载了使用氧化物半导体的TFT的文献，可举出专利文献1及专利文献2。专利文献1中记载了在构成沟道的氧化物半导体之上形成金属氧化物，将其用作栅极绝缘膜的构成。专利文献2中记载了，在使用氧化物半导体的底栅型TFT中，作为沟道蚀刻的牺牲本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，其包含具有显示区域的基板，所述显示区域中形成有像素，所述显示装置的特征在于，所述像素包含使用了氧化物半导体的第一TFT，在所述氧化物半导体之上形成作为绝缘物的氧化膜，在所述氧化膜之上形成栅电极，在所述第一TFT的漏极上经由在所述氧化膜中形成的第一通孔而连接第一电极，在所述第一TFT的源极上经由在所述氧化膜中形成的第二通孔而连接第二电极。

【技术特征摘要】
2016.05.19 JP 2016-1004931.一种显示装置，其包含具有显示区域的基板，所述显示区域中形成有像素，所述显示装置的特征在于，所述像素包含使用了氧化物半导体的第一TFT，在所述氧化物半导体之上形成作为绝缘物的氧化膜，在所述氧化膜之上形成栅电极，在所述第一TFT的漏极上经由在所述氧化膜中形成的第一通孔而连接第一电极，在所述第一TFT的源极上经由在所述氧化膜中形成的第二通孔而连接第二电极。2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述基板在所述显示区域的外侧包含驱动电路，所述驱动电路包含利用LTPS的第二TFT。3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述第一TFT和所述第二TFT均为顶栅型的TFT。4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，在与所述第二TFT的栅极同层、并由相同材料形成所述第一TFT的遮光膜。5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示区域进一步包含利用LTPS的第二TFT。6.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述驱动电路进一步...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃村功，渡部一史，石井良典，三宅秀和，山口阳平，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：日本,JP