化学机械研磨组合物制造技术

本发明专利技术涉及一种用于半导体制造中的化学机械研磨（ＣＭＰ）组合物，含有水性介质、研磨粒、及阴离子型表面活性剂，其ｐＨ值小于或等于７。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种化学机械研磨组合物，特别是涉及一种用于抛光半导体制造中介电层表面的化学机械研磨组合物，及使用该研磨组合物的化学机械研磨方法。化学机械研磨技术是为解决IC制造时因镀膜高低差异而导致微影制程上聚焦的困难而开发出来的一项平坦化技术。化学机械研磨(CMP)技术首先被少量应用在0.5微米元件的制造上，随着尺寸的缩小，化学机械研磨应用的层数也越来越多。到了0.25微米世代，化学机械研磨已成为主流而且必须的平坦化技术。一般而言，化学机械研磨(CMP)在半导体上，是用于制造金属连接线路和作为绝缘层用的中间金属介电层(ILD)的研磨方法。其方法是将半导体晶圆置于配有研磨头的旋转研磨台上，藉在接触磨擦过程中，加入含有研磨粒子与某些特定化学品的研磨浆液，以增进研磨功效。所以整个研磨浆料在CMP的过程中，涉及到两种过程一是化学品和所要作用的金属层之间的电子转移的氧化还原等电化学作用，或是化学品和介电层间的物理吸附作用；一是磨粒直接和金属层或是介电层间的机械力磨擦作用，以破坏整个材料表面的晶体排列，达到加速研磨速率的效果。对金属层而言，化学作用主要涉及在水溶液中的电子转移。我们可藉加入本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学机械研磨组合物，其ｐＨ值小于等于７，含有： 水性介质； 研磨粒； 及阴离子型表面活性剂。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈书政，李宗和，
申请(专利权)人：长兴化学工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]