预涂敷底部填充物所包覆芯片上对准标记的可视化制造技术

本发明专利技术涉及预涂敷底部填充物所包覆芯片上对准标记的可视化，其用于改善受底部填充包覆的芯片上对准标记可视化的结构及方法。于芯片上形成特征，并且在晶圆级将底部填充材料涂敷至该芯片，以使得该特征为受包覆的该特征。该特征包括由第一材料所构成的第一结构元件及由与该第一材料电化学不相似的第二材料所构成的第二结构元件，用以提供化学电池效应。通过该化学电池效应，令该底部填充材料中的填料粒子在该第一结构元件上方第一区及该第二结构元件上方第二密度的第二区中以第一密度分布。该第一区中的该第一密度小于该第二区中的该第二密度，使得该第一区具有比该第二区更低的不透明度。

Visualization of alignment marks on coated chip coated with pre coated underfill

The present invention relates to the visualization of alignment marks on a coated chip coated with a pre coated underfill, which is used to improve the structure and method of visualization of the alignment mark on a chip filled with underfill. A feature is formed on the chip, and the underfill material is applied to the chip at the wafer level so that the feature is encapsulated. The feature includes a first structure element made up of the first material and a second structure element made up of second materials which are not similar to the first material to provide a chemical battery effect. Through the chemical battery effect, the filler particles in the underfill material are distributed in the first region of the first structure element and the second density in the second region above the second structure element in the first density distribution. The first density in the first region is smaller than the second density in the second region, so that the first region has a lower opacity than the second region.

【技术实现步骤摘要】
预涂敷底部填充物所包覆芯片上对准标记的可视化
本专利技术大体上是关于芯片封装，并且更特别的是，是关于用于改善受底部填充包覆的芯片上对准标记可视化能力的结构及方法。
技术介绍
芯片可嵌装于封装衬底上以建立芯片封装。一般而言，组件上的焊球或焊块与封装衬底上的接垫套准而置，而且此等焊块随后回焊以建立将该封装衬底与芯片结合的焊点。此等焊点在该封装衬底与芯片之间提供电互连及机械互连，但也在该封装衬底与芯片之间建立间隙。在诸焊点之间以填充材料填充开放空间得改善此等电互连及机械互连的可靠度，并且保护易碎的后段(BEOL)芯片结构。底部填充材料的存在亦阻碍潜在造成电气短路及组件故障的湿气为主的故障机制，并且阻绝其它污染物进入介于该芯片与该封装衬底间的空间。该底部填充材料使该等互连抗疲劳及抗蠕变，还允许封装材耐受来自装卸的震动负载、温度循环以及具有静态或动态负载的坠重试验。晶圆级底部填充(wafer-levelunderfill；WLUF)程序可用于在该芯片与封装衬底结合之前先将该底部填充材料预涂敷。在凸块上方涂敷树脂(over-bumpappliedresin；OBAR)程序中，已填充树脂涂敷于晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种结构，包含：芯片；在该芯片上的特征，该特征包括由第一材料所构成的第一结构元件及由与该第一材料电化学不相似的第二材料所构成的第二结构元件，用以提供化学电池效应；以及涂敷至该芯片并包覆该特征的底部填充材料，该底部填充材料包括分布于该第一结构元件上方第一密度的第一区及该第二结构元件上方第二密度的第二区中的多个填料粒子，其中该第一区中的该第一密度小于该第二区中的该第二密度，使得该第一区具有比该第二区更低的不透明度。

【技术特征摘要】
2016.03.25 US 15/081,4031.一种结构，包含：芯片；在该芯片上的特征，该特征包括由第一材料所构成的第一结构元件及由与该第一材料电化学不相似的第二材料所构成的第二结构元件，用以提供化学电池效应；以及涂敷至该芯片并包覆该特征的底部填充材料，该底部填充材料包括分布于该第一结构元件上方第一密度的第一区及该第二结构元件上方第二密度的第二区中的多个填料粒子，其中该第一区中的该第一密度小于该第二区中的该第二密度，使得该第一区具有比该第二区更低的不透明度。2.如权利要求1所述的结构，其中该特征是对准标记。3.如权利要求2所述的结构，其中该对准标记包括第一线性节段及横跨该第一线性节段延展的第二线性节段，而且该第一线性节段与该第二线性节段各由该第一材料与该第二材料所构成。4.如权利要求2所述的结构，其中该第一结构元件具有外边界，而该第二结构元件配置于该外边界。5.如权利要求4所述的结构，其中该第二结构元件绕着该第一结构元件于该外边界的整个周界延展。6.如权利要求4所述的结构，其中该第一结构元件与该第二结构元件配置成接触配置。7.如权利要求1所述的结构，其中该第一结构元件特征与该第二结构元件具有重叠关系。8.如权利要求1所述的结构，其中该第一材料具有第一阳极指数，并且该第二材料具有与该第一阳极指数不同的第二阳极指数。9.如权利要求8所述的结构，其中该第一材料是金而该第二材料是铜。10.如权利要求8所述的结构，其中该第一材料是铜而该第二材料是锡。11.如权利要求8所述的结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐久间胜行，M·G·法鲁克，JW·罗，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛,KY