大电流半导体器件制造技术

本实用新型专利技术公开一种大电流半导体器件，包括第一芯片、第二芯片、第一L形金属焊盘、第二L形金属焊盘、若干个左侧引脚、若干个右侧引脚和环氧树脂包覆体；若干根第一金线两端分别与第一芯片、第二芯片和左侧引脚电连接，若干根第二金线两端分别与第一芯片、第二芯片和右侧引脚电连接，所述第一L形金属焊盘、第二L形金属焊盘上表面均沿边缘开有一闭合的环形储膏槽，此环形储膏槽的截面形状为倒梯形，此环形储膏槽位于第一芯片、第二芯片正下方并靠近芯片的边缘区域。本实用新型专利技术有利于将引脚和金属焊盘更加牢固的固定，提高了与PCB之间焊接的可靠性，裸露的金属焊盘，以便芯片在工作时快速传导热量，散热效果好。

High current semiconductor device

The utility model discloses a high current semiconductor device comprises a first chip, second chip, the first L shaped metal pad and the second L shaped metal pads, a plurality of pins and a plurality of pins on the right side of the left and the epoxy resin coating body; a plurality of first wire ends are respectively connected with the first chip, second chip and pin power left second, a plurality of wire ends are respectively connected with the first chip, second chip and pin on the right side of electricity, the first L type metal pad and the second L shaped metal pad on the surface along the edge is provided with an annular groove paste storing a closed, cross section shape of the ring paste storing groove is obtrapezoid, edge area of the the annular groove in the first paste storing chip, second chip just below and close to the chip. The utility model is beneficial to fix the pin and the metal pad more firmly, improve the reliability of the welding between the PCB and the metal plate, and expose the metal pad, so that the chip can conduct heat quickly and the heat dissipation effect is good.

【技术实现步骤摘要】
大电流半导体器件
本技术涉及一种芯片封装结构，涉及半导体

技术介绍
IC器件的设计是以电路原理图为根据，实现电路设计者所需要的功能。其主要指版图设计，需要考虑外部连接的布局，内部电子元件的优化布局，金属连线和通孔的优化布局，电磁保护，热耗散等各种因素。优秀的IC器件设计可以节约生产成本，达到良好的电路性能和散热性能。焊盘是IC器件设计中最常接触也是最重要的概念，选择元件的焊盘类型要综合考虑该元件的形状、大小、布置形式、振动和受热情况、受力方向等因素。现有技术容易造成器件空焊、虚焊等问题。
技术实现思路
本技术目的是提供一种大电流半导体器件，该大电流半导体器件在一个封装结构中封装需隔离的两粒芯片，实现了双芯片封装功能，且有利于将引脚和金属焊盘更加牢固的固定，提高了与PCB之间焊接的可靠性。为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：一种大电流半导体器件，包括第一芯片、第二芯片、第一L形金属焊盘、第二L形金属焊盘、若干个左侧引脚、若干个右侧引脚和环氧树脂包覆体；所述第一L形金属焊盘、第二L形金属焊盘均由载片区和连接于载片区一端顶部的杆状延伸部组成，所述第一L形金属焊盘的载片区嵌入第二L形金属焊盘的缺口处，所述第二L形金属焊盘的载片区嵌入第一L形金属焊盘的缺口处；所述第一芯片、第二芯片分别通过绝缘胶层固定于第一L形金属焊盘、第二L形金属焊盘各自的载片区上表面的中央区域，若干个所述左侧引脚并排间隔地设置于第一芯片、第二芯片的左侧，若干个所述右侧引脚并排间隔地设置于第一芯片、第二芯片的右侧，所述第一L形金属焊盘、第二L形金属焊盘下部边缘处均开有第一缺口槽，所述左侧引脚与第一L形金属焊盘、第二L形金属焊盘相向的内侧端下部开有第二缺口槽，所述右侧引脚与第一L形金属焊盘、第二L形金属焊盘相向的内侧端下部开有第三缺口槽，所述环氧树脂包覆体包覆于芯片、第一L形金属焊盘、第二L形金属焊盘、若干个左侧引脚、若干个右侧引脚上，所述第一L形金属焊盘、第二L形金属焊盘、左侧引脚和右侧引脚各自的下表面裸露出环氧树脂包覆体的底部；若干根第一金线两端分别与第一芯片、第二芯片和左侧引脚电连接，若干根第二金线两端分别与第一芯片、第二芯片和右侧引脚电连接，所述第一L形金属焊盘、第二L形金属焊盘上表面均沿边缘开有一闭合的环形储膏槽，此环形储膏槽的截面形状为倒梯形，此环形储膏槽位于第一芯片、第二芯片正下方并靠近芯片的边缘区域；所述左侧引脚、右侧引脚的下表面镀覆有金属镀层，所述金属镀层与左侧引脚或者右侧引脚的厚度比为1：8~10。上述技术方案中进一步改进的方案如下：上述方案中，所述左侧引脚和右侧引脚的数目均为3~10根。上述方案中，所述金属镀层为锡层或者镍钯金层。由于上述技术方案运用，本技术与现有技术相比具有下列优点：1.本技术大电流半导体器件，其第一芯片、第二芯片、第一L形金属焊盘、第二L形金属焊盘、若干个左侧引脚、若干个右侧引脚和环氧树脂包覆体，第一L形金属焊盘、第二L形金属焊盘均由载片区和连接于载片区一端顶部的杆状延伸部组成，所述第一L形金属焊盘的载片区嵌入第二L形金属焊盘的缺口处，所述第二L形金属焊盘的载片区嵌入第一L形金属焊盘的缺口处；因为设置了两个载片区，在一个封装结构中封装需隔离的两粒芯片，实现了双芯片封装功能。2.本技术大电流半导体器件，其金属焊盘下部边缘处开有第一缺口槽，所述左侧引脚与金属焊盘相向的内侧端下部开有第二缺口槽，所述右侧引脚与金属焊盘相向的内侧端下部开有第三缺口槽，有利于将引脚和金属焊盘更加牢固的固定，提高了与PCB之间焊接的可靠性；其次，其芯片通过绝缘胶层固定于金属焊盘上表面的中央区域，金属焊盘、左侧引脚和右侧引脚各自的下表面裸露出环氧树脂包覆体的底部，裸露的金属焊盘，以便芯片在工作时快速传导热量，散热效果好。3.本技术大电流半导体器件，其左侧引脚、右侧引脚的下表面镀覆有金属镀层，既降低了器件与PCB的导电接触电阻，也有利于与PCB之间的焊接强度的提高。附图说明附图1为本技术大电流半导体器件结构示意图；附图2为附图1的局部结构示意图；附图3为附图1的A-A剖面结构示意图。以上附图中：101、第一芯片；102、第二芯片；201、第一L形金属焊盘；202、第二L形金属焊盘；3、左侧引脚；4、右侧引脚；5、环氧树脂包覆体；6、导热绝缘胶层；7、第一缺口槽；8、第二缺口槽；9、第三缺口槽；10、环形储膏槽；11、金属镀层；15、第一金线；16、第二金线；21、载片区；22、杆状延伸部。具体实施方式下面结合附图及实施例对本技术作进一步描述：实施例1：一种大电流半导体器件，包括第一芯片101、第二芯片102、第一L形金属焊盘201、第二L形金属焊盘202、若干个左侧引脚3、若干个右侧引脚4和环氧树脂包覆体5；所述第一L形金属焊盘201、第二L形金属焊盘202均由载片区21和连接于载片区21一端顶部的杆状延伸部22组成，所述第一L形金属焊盘201的载片区21嵌入第二L形金属焊盘202的缺口处，所述第二L形金属焊盘202的载片区21嵌入第一L形金属焊盘201的缺口处；所述第一芯片101、第二芯片102分别通过绝缘胶层6固定于第一L形金属焊盘201、第二L形金属焊盘202各自的载片区21上表面的中央区域，若干个所述左侧引脚3并排间隔地设置于第一芯片101、第二芯片102的左侧，若干个所述右侧引脚4并排间隔地设置于第一芯片101、第二芯片102的右侧，所述第一L形金属焊盘201、第二L形金属焊盘202下部边缘处均开有第一缺口槽7，所述左侧引脚3与第一L形金属焊盘201、第二L形金属焊盘202相向的内侧端下部开有第二缺口槽8，所述右侧引脚4与第一L形金属焊盘201、第二L形金属焊盘202相向的内侧端下部开有第三缺口槽9，所述环氧树脂包覆体5包覆于芯片1、第一L形金属焊盘201、第二L形金属焊盘202、若干个左侧引脚3、若干个右侧引脚4上，所述第一L形金属焊盘201、第二L形金属焊盘202、左侧引脚3和右侧引脚4各自的下表面裸露出环氧树脂包覆体5的底部；若干根第一金线15两端分别与第一芯片101、第二芯片102和左侧引脚3电连接，若干根第二金线16两端分别与第一芯片101、第二芯片102和右侧引脚4电连接，所述第一L形金属焊盘201、第二L形金属焊盘202上表面均沿边缘开有一闭合的环形储膏槽10，此环形储膏槽10的截面形状为倒梯形，此环形储膏槽10位于第一芯片101、第二芯片102正下方并靠近芯片的边缘区域；所述左侧引脚3、右侧引脚4的下表面镀覆有金属镀层11，所述金属镀层17与左侧引脚3或者右侧引脚4的厚度比为1：8.5。上述左侧引脚3和右侧引脚4的数目均为8根；上述金属镀层11为锡层。实施例2：一种大电流半导体器件，包括第一芯片101、第二芯片102、第一L形金属焊盘201、第二L形金属焊盘202、若干个左侧引脚3、若干个右侧引脚4和环氧树脂包覆体5；所述第一L形金属焊盘201、第二L形金属焊盘202均由载片区21和连接于载片区21一端顶部的杆状延伸部22组成，所述第一L形金属焊盘201的载片区21嵌入第二L形金属焊盘202的缺口处，所述第二L形金属焊盘202的载片区21嵌入第一L形金本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大电流半导体器件，其特征在于：包括第一芯片（101）、第二芯片（102）、第一L形金属焊盘（201）、第二L形金属焊盘（202）、若干个左侧引脚（3）、若干个右侧引脚（4）和环氧树脂包覆体（5）；所述第一L形金属焊盘（201）、第二L形金属焊盘（202）均由载片区（21）和连接于载片区（21）一端顶部的杆状延伸部（22）组成，所述第一L形金属焊盘（201）的载片区（21）嵌入第二L形金属焊盘（202）的缺口处，所述第二L形金属焊盘（202）的载片区（21）嵌入第一L形金属焊盘（201）的缺口处；所述第一芯片（101）、第二芯片（102）分别通过绝缘胶层（6）固定于第一L形金属焊盘（201）、第二L形金属焊盘（202）各自的载片区（21）上表面的中央区域，若干个所述左侧引脚（3）并排间隔地设置于第一芯片（101）、第二芯片（102）的左侧，若干个所述右侧引脚（4）并排间隔地设置于第一芯片（101）、第二芯片（102）的右侧，所述第一L形金属焊盘（201）、第二L形金属焊盘（202）下部边缘处均开有第一缺口槽（7），所述左侧引脚（3）与第一L形金属焊盘（201）、第二L形金属焊盘（202）相向的内侧端下部开有第二缺口槽（8），所述右侧引脚（4）与第一L形金属焊盘（201）、第二L形金属焊盘（202）相向的内侧端下部开有第三缺口槽（9），所述环氧树脂包覆体（5）包覆于芯片（1）、第一L形金属焊盘（201）、第二L形金属焊盘（202）、若干个左侧引脚（3）、若干个右侧引脚（4）上，所述第一L形金属焊盘（201）、第二L形金属焊盘（202）、左侧引脚（3）和右侧引脚（4）各自的下表面裸露出环氧树脂包覆体（5）的底部；若干根第一金线（15）两端分别与第一芯片（101）、第二芯片（102）和左侧引脚（3）电连接，若干根第二金线（16）两端分别与第一芯片（101）、第二芯片（102）和右侧引脚（4）电连接，所述第一L形金属焊盘（201）、第二L形金属焊盘（202）上表面均沿边缘开有一闭合的环形储膏槽（10），此环形储膏槽（10）的截面形状为倒梯形，此环形储膏槽（10）位于第一芯片（101）、第二芯片（102）正下方并靠近芯片的边缘区域；所述左侧引脚（3）、右侧引脚（4）的下表面镀覆有金属镀层（11），所述金属镀层（17）与左侧引脚（3）或者右侧引脚（4）的厚度比为1：8~10。...

【技术特征摘要】
1.一种大电流半导体器件，其特征在于：包括第一芯片（101）、第二芯片（102）、第一L形金属焊盘（201）、第二L形金属焊盘（202）、若干个左侧引脚（3）、若干个右侧引脚（4）和环氧树脂包覆体（5）；所述第一L形金属焊盘（201）、第二L形金属焊盘（202）均由载片区（21）和连接于载片区（21）一端顶部的杆状延伸部（22）组成，所述第一L形金属焊盘（201）的载片区（21）嵌入第二L形金属焊盘（202）的缺口处，所述第二L形金属焊盘（202）的载片区（21）嵌入第一L形金属焊盘（201）的缺口处；所述第一芯片（101）、第二芯片（102）分别通过绝缘胶层（6）固定于第一L形金属焊盘（201）、第二L形金属焊盘（202）各自的载片区（21）上表面的中央区域，若干个所述左侧引脚（3）并排间隔地设置于第一芯片（101）、第二芯片（102）的左侧，若干个所述右侧引脚（4）并排间隔地设置于第一芯片（101）、第二芯片（102）的右侧，所述第一L形金属焊盘（201）、第二L形金属焊盘（202）下部边缘处均开有第一缺口槽（7），所述左侧引脚（3）与第一L形金属焊盘（201）、第二L形金属焊盘（202）相向的内侧端下部开有第二缺口槽（8），所述右侧引脚（4）与第一L形金属焊盘（201）、第二L形金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：张春尧，彭兴义，
申请(专利权)人：江苏盐芯微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32