The invention discloses a OLED micro display IC tablet and a preparation method thereof. The preparation method comprises the following steps: S1, the ion implantation method of oxygen ion implantation into silicon substrate, the formation of oxygen injection; S2, under the protection of inert gas, the oxygen injection substrate by annealing in the the oxygen inside the substrate to form SiO2 buried layer, preparing SOI substrate; S3, on the SOI substrate IC circuit, prepared IC. The invention realizes the preparation of IC films on SOI substrate, suitable for OLED micro display, solves the IC piece with the display resolution enhancement, IC chip on the size of the device is greatly reduced, bulk silicon CMOS devices generally produces multi dimension and nonlinear effect, tunneling effect, short channel effect and narrow channel effect etc. The device response speed slow, power consumption increases, it is difficult to improve the integrated density and other issues, to improve the display pixel density.
【技术实现步骤摘要】
OLED微型显示器IC片及其制备方法
本专利技术涉及OLED微型显示器制造
,尤其涉及一种OLED微型显示器IC片及其制备方法。
技术介绍
SOI是Silicon-on-Insulator的缩写,指的是绝缘衬底上的硅,简称绝缘硅。随着芯片特征尺寸跨入纳米尺度后,临近半导体物理器件的极限问题接踵而来,如电容损耗、漏电流增大、噪声提升、闩锁效应和短沟道效应等。为了克服这些问题,SOI技术应运而生,业界提出先在硅晶圆上嵌埋一层SiO2绝缘层,然后以此绝缘层作为基底,在表面硅层制作晶体管,这就是SOI技术。SiO2埋层能有效地使电子从一个晶体管门电路流到另一个晶体管门电路,不让多余的电子渗漏到硅晶圆上。OLED微型显示器属于一种硅基显示芯片。由于硅基器件优良的电学特性和极细微的器件尺寸,可以实现显示芯片的高度集成化。随着显示器分辨率的提高,IC片上器件尺寸大大缩小,一般的体硅CMOS器件会产生多维及非线性效应、隧穿效应、短沟道效应、窄沟道效应等使得器件响应速度变慢,功耗升高,集成密度难以提升。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于,提供一种实现在SOI基片上制备IC片的OLED微型显示器IC片的制备方法及制得的IC片。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:提供一种OLED微型显示器IC片的制备方法,包括以下步骤:S1、通过离子注入法将氧离子注入到硅片内,形成注氧基片;S2、在惰性气体保护下,对所述注氧基片进行退火,以在所述注氧基片内形成SiO2埋层,制得SOI基片;S3、在所述SOI基片上制作IC电路,制得IC片。优选地,步骤S1中,氧离子的注入剂 ...
【技术保护点】
一种OLED微型显示器IC片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、通过离子注入法将氧离子注入到硅片内,形成注氧基片;S2、在惰性气体保护下,对所述注氧基片进行退火,以在所述注氧基片内形成SiO2埋层,制得SOI基片;S3、在所述SOI基片上制作IC电路,制得IC片。
【技术特征摘要】
1.一种OLED微型显示器IC片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、通过离子注入法将氧离子注入到硅片内,形成注氧基片;S2、在惰性气体保护下,对所述注氧基片进行退火,以在所述注氧基片内形成SiO2埋层,制得SOI基片;S3、在所述SOI基片上制作IC电路,制得IC片。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤S1中,氧离子的注入剂量为1×1015/cm2~1×1021/cm2,注入深度为100~20000Å。3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述硅片的厚度为500~1200μm。4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤S1中,所述硅片为单面抛光硅片;所述氧离子从所述硅片的抛光面注入其中。5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在...
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