当前位置: 首页 > 专利查询>茆胜专利>正文

OLED微型显示器IC片及其制备方法技术

技术编号:16647015 阅读:24 留言:0更新日期:2017-11-26 22:25
本发明专利技术公开了一种OLED微型显示器IC片及其制备方法,制备方法包括以下步骤:S1、通过离子注入法将氧离子注入到硅片内,形成注氧基片;S2、在惰性气体保护下,对所述注氧基片进行退火,以在所述注氧基片内形成SiO2埋层,制得SOI基片;S3、在所述SOI基片上制作IC电路,制得IC片。本发明专利技术实现在SOI基片上制备IC片,适用于OLED微型显示器,解决了IC片随着显示器分辨率的提高,IC片上器件尺寸大大缩小,一般的体硅CMOS器件会产生多维及非线性效应、隧穿效应、短沟道效应、窄沟道效应等使得器件响应速度变慢、功耗升高、集成密度难以提升等问题,利于提高显示器像素密度。

OLED micro display IC chip and its preparation method

The invention discloses a OLED micro display IC tablet and a preparation method thereof. The preparation method comprises the following steps: S1, the ion implantation method of oxygen ion implantation into silicon substrate, the formation of oxygen injection; S2, under the protection of inert gas, the oxygen injection substrate by annealing in the the oxygen inside the substrate to form SiO2 buried layer, preparing SOI substrate; S3, on the SOI substrate IC circuit, prepared IC. The invention realizes the preparation of IC films on SOI substrate, suitable for OLED micro display, solves the IC piece with the display resolution enhancement, IC chip on the size of the device is greatly reduced, bulk silicon CMOS devices generally produces multi dimension and nonlinear effect, tunneling effect, short channel effect and narrow channel effect etc. The device response speed slow, power consumption increases, it is difficult to improve the integrated density and other issues, to improve the display pixel density.

【技术实现步骤摘要】
OLED微型显示器IC片及其制备方法
本专利技术涉及OLED微型显示器制造
,尤其涉及一种OLED微型显示器IC片及其制备方法。
技术介绍
SOI是Silicon-on-Insulator的缩写,指的是绝缘衬底上的硅,简称绝缘硅。随着芯片特征尺寸跨入纳米尺度后,临近半导体物理器件的极限问题接踵而来,如电容损耗、漏电流增大、噪声提升、闩锁效应和短沟道效应等。为了克服这些问题,SOI技术应运而生,业界提出先在硅晶圆上嵌埋一层SiO2绝缘层,然后以此绝缘层作为基底,在表面硅层制作晶体管,这就是SOI技术。SiO2埋层能有效地使电子从一个晶体管门电路流到另一个晶体管门电路,不让多余的电子渗漏到硅晶圆上。OLED微型显示器属于一种硅基显示芯片。由于硅基器件优良的电学特性和极细微的器件尺寸,可以实现显示芯片的高度集成化。随着显示器分辨率的提高,IC片上器件尺寸大大缩小,一般的体硅CMOS器件会产生多维及非线性效应、隧穿效应、短沟道效应、窄沟道效应等使得器件响应速度变慢,功耗升高,集成密度难以提升。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于,提供一种实现在SOI基片上制备IC片的OLED微型显示器IC片的制备方法及制得的IC片。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:提供一种OLED微型显示器IC片的制备方法,包括以下步骤:S1、通过离子注入法将氧离子注入到硅片内,形成注氧基片;S2、在惰性气体保护下,对所述注氧基片进行退火,以在所述注氧基片内形成SiO2埋层,制得SOI基片;S3、在所述SOI基片上制作IC电路,制得IC片。优选地,步骤S1中,氧离子的注入剂量为1×1015/cm2~1×1021/cm2,注入深度为优选地,所述硅片的厚度为500~1200μm。优选地,步骤S1中,所述硅片为单面抛光硅片;所述氧离子从所述硅片的抛光面注入其中。优选地,步骤S1中,采用大束流氧离子注入机将氧离子注入到所述硅片内;所述大束流氧离子注入机的注入能量为50~200KV,束流5~25mA,注入温度22~500℃。优选地,步骤S2中,所述惰性气体为He、Ne、Ar或Kr。优选地,步骤S2中,退火温度为800~2000℃;退火时间0.2~20小时。优选地,步骤S5中,在所述SOI基片的一个表面上制作IC电路。优选地,步骤S1之前,清洗硅片,去除所述硅片表面污渍和自然氧化层。本专利技术还提供一种OLED微型显示器IC片,采用以上任一项所述的制备方法制得。本专利技术的有益效果:实现在SOI基片上制备IC片,适用于OLED微型显示器,解决了IC片随着显示器分辨率的提高,IC片上器件尺寸大大缩小,一般的体硅CMOS器件会产生多维及非线性效应、隧穿效应、短沟道效应、窄沟道效应等使得器件响应速度变慢、功耗升高、集成密度难以提升等问题,利于提高显示器像素密度。附图说明下面将结合附图及实施例对本专利技术作进一步说明,附图中:图1是本专利技术的IC片的制备过程示意图。具体实施方式为了对本专利技术的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解,现对照附图详细说明本专利技术的具体实施方式。参考图1,本专利技术的OLED微型显示器IC片的制备方法,可包括以下步骤:S1、通过离子注入法将氧离子注入到硅片10内,形成注氧基片。在注氧之前,清洗硅片10,去除硅片10表面污渍和自然氧化层。其中,氧离子的注入剂量为1×1015/cm2~1×1021/cm2;氧离子的注入深度为(埃米),即注入的氧离子在硅片10中距离硅片表面根据氧离子的注入深度,硅片10的厚度可为500~1200μm。优选地,硅片10采用单面抛光硅片;氧离子从硅片10的抛光面注入其中。进一步地,该步骤S1中,优选采用大束流氧离子注入机将氧离子注入到硅片10内。大束流氧离子注入机的注入能量为50~200KV,束流5~25mA,注入温度22~500℃。S2、在惰性气体保护下,对注氧基片进行退火,以在注氧基片内形成SiO2埋层20,制得SOI基片。该制得的SOI基片作为IC片的衬底。其中,惰性气体为He、Ne、Ar或Kr。SiO2埋层为氧化绝缘层,由氧气和周围的硅片部分在退火过程中形成。作为选择,退火温度为800-2000℃;退火时间0.2-20小时。S3、在SOI基片上制作IC电路30,制得IC片衬底。IC电路30的制作可通过现有技术实现。对于单面抛光硅片,IC电路30位于硅片10的抛光面上。本专利技术的制备方法制得的IC片,如图1所示,包括硅片10、设置在硅片10内的SiO2埋层20、以及设置在硅片10上的IC电路30。IC电路30位于硅片10的一个表面(抛光面)上。本专利技术中,IC片以SOI基片作为衬底制得,适用于OLED微型显示器,在减小了多维及非线性效应、隧穿效应、短沟道效应、窄沟道效应等效应前提下,可以进一步提高显示器像素密度。以上所述仅为本专利技术的实施例,并非因此限制本专利技术的专利范围,凡是利用本专利技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的
,均同理包括在本专利技术的专利保护范围内。本文档来自技高网
...
OLED微型显示器IC片及其制备方法

【技术保护点】
一种OLED微型显示器IC片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、通过离子注入法将氧离子注入到硅片内,形成注氧基片;S2、在惰性气体保护下,对所述注氧基片进行退火,以在所述注氧基片内形成SiO2埋层,制得SOI基片;S3、在所述SOI基片上制作IC电路,制得IC片。

【技术特征摘要】
1.一种OLED微型显示器IC片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、通过离子注入法将氧离子注入到硅片内,形成注氧基片;S2、在惰性气体保护下,对所述注氧基片进行退火,以在所述注氧基片内形成SiO2埋层,制得SOI基片;S3、在所述SOI基片上制作IC电路,制得IC片。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤S1中,氧离子的注入剂量为1×1015/cm2~1×1021/cm2,注入深度为100~20000Å。3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述硅片的厚度为500~1200μm。4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤S1中,所述硅片为单面抛光硅片;所述氧离子从所述硅片的抛光面注入其中。5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:茆胜
申请(专利权)人:茆胜
类型:发明
国别省市:广东,44

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1