一种新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术制造技术

本发明专利技术涉及无机化合物晶体制造领域，特别涉及一种新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术。该技术主要包括步骤如下碘化铯晶体毛坯的制备，沿晶体方向切割点阵宽度，加入反射膜夹层，沿晶体方向切割点阵长度，加入反射膜夹层，沿晶体方向切割点阵高度，底部贴上反射片，制成阵列成品。本发明专利技术提供一种低成本、高利用率、可制作小像素高密度点阵、性能优越的新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术。

A new type of thallium doped cesium iodide crystal array fabrication technology

The present invention relates to inorganic compound crystal manufacturing field, in particular to a new type of thallium doped cesium iodide crystal array production packaging technology. The technology mainly includes the following steps: CSI crystal blank preparation, cutting along the width direction of the crystal lattice, with reflective film laminated, along the direction of the crystal lattice cutting length, adding reflection film layer, along the direction of the crystal lattice cutting height, affixed at the bottom reflector array, made of finished products. The present invention provides a low cost, high utilization rate, can be made of high density small pixel dot matrix, the superior performance of the new thallium doped cesium iodide crystal array production packaging technology.

【技术实现步骤摘要】
一种新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术
本专利技术涉及无机化合物晶体制造领域，特别涉及一种新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术。
技术介绍
掺铊碘化铯晶体阵列(CsI(Tl))其在高能物理、核物理、天体物理、医疗仪器、安全检查方面有着广泛的用途。除晶体本来性能外，其封装技术决定了晶体探测性能和制成探测器的成本。通常此类探测器的制作方式是首先用划片设备在晶体表面切缝，然后用环氧胶水按比例混入钛白粉调均后灌入切好的缝隙中，再置于真空脱泡机中脱掉气泡，固化后，再切掉底部没切到缝的多余部分。然而，上述工艺存在很大的缺陷，首先设备投入成本非常大，要在晶体表面切成宽度0.1-0.3mm，深度4mm以上的缝隙，只能使用半导体行业的划片设备，设备价格贵且效率低；目前X光成像技术要求像素点越来越小，密度越来越大，而上述工艺无法制作小的像素尺寸，密度非常高的点阵；此工艺无法制作大尺寸面板，环氧在固化时会产生收缩型变，导致产品报废；晶体的利用率低，在切缝隙时底部要留部分晶体作为支撑，否则会散架无法确保尺寸精度，甚至无法制成符合要求的产品；切缝工艺无法对缝隙内的侧面进行抛光处理，使晶体性能无法达到最佳。故急需一种低成本、高利用率、可制作小像素高密度点阵、性能优越的新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术。
技术实现思路
鉴于以上问题，本专利技术提供了一种低成本、高利用率、可制作小像素高密度点阵、性能优越的新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术。为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供以下技术方案，本专利技术中一种新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术，包括：S1：反射材料制备，将氧化钛和环氧胶按比例混合，经过真空除气泡，浇入模具中静止固化制成块，根据像素点间隔要求切成反射片；S2：晶体切割，根据像素点尺寸将晶体切割研磨抛光制成所需尺寸宽度的晶体片；S3：将晶体片和反射片依次叠合粘接，完成像素宽方向制作；S4：将叠合好的块切割研磨抛光制成所需尺寸长度的晶体片；S5：再将晶体片叠合粘接成阵列块，完成阵列长度方向制作；S6：切割厚度方向，根据晶体阵列厚度要求依次将单个晶体阵列分割开来；S7：将分割开的阵列底面贴上反射片；S8：完成整个产品制作。所述步骤S1中的反射材料的制备，氧化钛和环氧胶质量配比为0.5:1-2:1。所述步骤S2中的晶体切割尺寸宽度控制在0.1-6mm。所述步骤S4中的晶体切割尺寸长度控制在0.1-6mm。所述步骤S2和S4中晶体切割尺寸宽度和长度相等。所述步骤S6中的晶体阵列厚度控制在0.1-15mm。本专利技术的优点和有益效果在于提供一种低成本、高利用率、可制作小像素高密度点阵、性能优越的新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术。该封装技术利用反射片替代胶水灌入，晶体切缝改成切片后再叠合，相对于现有技术设备投入小，工艺简单适合大批量低成本生产，用常规的玻璃冷加工设备切割研磨晶体片，设备成本大幅降低；对像素尺寸几乎无限制，理论上再微小尺寸的晶体片也可以通过切割研磨出来。利用本工艺制作成功0.1mm*0.1mm，像素点的晶体阵列；此工艺制作成的晶体阵列无型变，表面平整，尺寸精度高，和光电器件耦合时信号损失小。性能更优越；提高了晶体的利用率，没有无法利用部分，大幅降低原拆料成本；在预制晶体片时，就可对其进行抛光处理，所有面都可进行抛光处理，使晶体阵列的晶体性能达到最佳。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1制作装封技术流程示意图。附图标记说明①碘化铯晶体毛坯②沿晶体方向切割点阵宽度③加入反射膜夹层④沿晶体方向切割点阵长度⑤加入反射膜夹层⑥沿晶体方向切割点阵高度⑦底部贴上反射片⑧阵列成品具体实施方式下面结合附图和实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本专利技术的技术方案，而不能以此来限制本专利技术的保护范围。实施例1一种新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术，如流程图图1所示，包括以下步骤：S1：反射材料制备，将氧化钛和环氧胶按质量比0.5:1比例混合，经过真空除气泡，浇入模具中静止固化制成块，根据像素点间隔要求切成反射片；S2：晶体切割，根据像素点尺寸将晶体切割研磨抛光制成所需尺寸宽度为0.1mm的晶体片；S3：将晶体片和反射片依次叠合粘接，完成像素宽方向制作；S4：将叠合好的块切割研磨抛光制成所需尺寸长度为0.1mm的晶体片；S5：再将晶体片叠合粘接成阵列块，完成阵列长度方向制作；S6：切割厚度方向，根据晶体阵列厚度为0.1mm的要求依次将单个晶体阵列分割开来；S7：将分割开的阵列底面贴上反射片；S8：完成整个产品制作。实施例2一种新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术，如流程图图1所示，包括以下步骤：S1：反射材料制备，将氧化钛和环氧胶按质量比1:1比例混合，经过真空除气泡，浇入模具中静止固化制成块，根据像素点间隔要求切成反射片；S2：晶体切割，根据像素点尺寸将晶体切割研磨抛光制成所需尺寸宽度为5mm的晶体片；S3：将晶体片和反射片依次叠合粘接，完成像素宽方向制作；S4：将叠合好的块切割研磨抛光制成所需尺寸长度为5mm的晶体片；S5：再将晶体片叠合粘接成阵列块，完成阵列长度方向制作；S6：切割厚度方向，根据晶体阵列厚度为8mm的要求依次将单个晶体阵列分割开来；S7：将分割开的阵列底面贴上反射片；S8：完成整个产品制作。实施例3一种新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术，如流程图图1所示，包括以下步骤：S1：反射材料制备，将氧化钛和环氧胶按质量比2:1比例混合，经过真空除气泡，浇入模具中静止固化制成块，根据像素点间隔要求切成反射片；S2：晶体切割，根据像素点尺寸将晶体切割研磨抛光制成所需尺寸宽度为3mm的晶体片；S3：将晶体片和反射片依次叠合粘接，完成像素宽方向制作；S4：将叠合好的块切割研磨抛光制成所需尺寸长度为3mm的晶体片；S5：再将晶体片叠合粘接成阵列块，完成阵列长度方向制作；S6：切割厚度方向，根据晶体阵列厚度为10mm的要求依次将单个晶体阵列分割开来；S7：将分割开的阵列底面贴上反射片；S8：完成整个产品制作。目前有在晶体表面直接镀膜制成反射层来替代反射片，因成本高昂还无法进入生产应用。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术，其特征在于，包括以下步骤，S1：反射材料制备，将氧化钛和环氧胶按比例混合，经过真空除气泡，浇入模具中静止固化制成块，根据像素点间隔要求切成反射片；S2：晶体切割，根据像素点尺寸将晶体切割研磨抛光制成所需尺寸宽度的晶体片；S3：将晶体片和反射片依次叠合粘接，完成像素宽方向制作；S4：将叠合好的块切割研磨抛光制成所需尺寸长度的晶体片；S5：再将晶体片叠合粘接成阵列块，完成阵列长度方向制作；S6：切割厚度方向，根据晶体阵列厚度要求依次将单个晶体阵列分割开来；S7：将分割开的阵列底面贴上反射片；S8：完成整个产品制作。

【技术特征摘要】
1.一种新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术，其特征在于，包括以下步骤，S1：反射材料制备，将氧化钛和环氧胶按比例混合，经过真空除气泡，浇入模具中静止固化制成块，根据像素点间隔要求切成反射片；S2：晶体切割，根据像素点尺寸将晶体切割研磨抛光制成所需尺寸宽度的晶体片；S3：将晶体片和反射片依次叠合粘接，完成像素宽方向制作；S4：将叠合好的块切割研磨抛光制成所需尺寸长度的晶体片；S5：再将晶体片叠合粘接成阵列块，完成阵列长度方向制作；S6：切割厚度方向，根据晶体阵列厚度要求依次将单个晶体阵列分割开来；S7：将分割开的阵列底面贴上反射片；S8：完成整个产品制作。2.根据权利要求1所述的一种新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨建春，
申请(专利权)人：上海翌波光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31