The present invention provides a new method for preparing three-dimensional copper sulfide with nano flakes. Experimental procedure: the mixture of copper source, sulfur source and doped metal source is dissolved in the solvent, the system is adjusted pH, ultrasonic is dispersed for a period of time, and then the mixture is transferred into the water heat reaction kettle and put into the oven to keep the heat. After the heat treatment, the product in the reaction kettle is cleaned by centrifugation and deionized water and anhydrous ethanol for several times, and then the powder is dried in a vacuum oven. The powder in a mortar grinding, to obtain the product of the average diameter of 500nm. The preparation method of the invention adopts the solvothermal method. The method has the advantages of short reaction cycle, simple operation steps, controllable morphology, less raw materials and low toxicity, etc..
【技术实现步骤摘要】
一种三维结构纳米硫化铜的制备方法
本专利技术属于无机功能纳米结构材料制造
,具体涉及纳米片状组成三维结构硫化铜材料制备方法。
技术介绍
半导体材料是介于导体和半导体之间的材料,它的能隙约为1~3eV,可以通过掺杂其他金属元素,来改变硫化铜的带隙,从而改变硫化铜的导电性或光学性质。硫化铜是一种间接带隙的P型的半导体材料,具有优异的光学、电学和催化性能,它在金属导电方面、非线性光学材料方面、太阳能电池接收器、光学过滤器、催化剂等方面有着很广阔的应用前景。近年来,纳米材料特别是由一维、二维纳米材料构筑的具有特殊形貌的纳米结构由于具有优异的光学、电学、催化等性能以及在纳米器件上的潜在应用。随着材料尺寸的不断减小,纳米材料还会表现出一些独特的性能,例如,量子尺寸效应、小尺寸效应、表面和界面效应、量子隧道效应等。各种结构和形貌的硫化铜已经被合成出来了,比如:纳米片、纳米棒。纳米结构对光学性能的影响不尽相同。鉴于此,本专利技术在纳米硫铜化合物研究基础上引入少量的第二种金属离子,形成稳定的金属离子掺杂形成三维结构纳米硫铜晶体。在近红外区具有优异的光学吸收性能。
技术实现思路
本 ...
【技术保护点】
一种由纳米片状组成的三维结构硫化铜的制备方法,其特征在于按如下步骤进行:(1)将铜源,硫源,掺杂金属离子盐,配制而成的混合物溶于溶剂中,调节体系pH,超声分散时间20~30min,然后将混合物转移进入水热反应釜中,放入烘箱,保温。(2)进过水热处理后,反应釜中生成物通过离心用去离子水及无水乙醇交替清洗后,将粉末放在在真空烘箱中60~90℃干燥6~12h。粉体放入研钵中研磨,得到产物。
【技术特征摘要】
1.一种由纳米片状组成的三维结构硫化铜的制备方法,其特征在于按如下步骤进行:(1)将铜源,硫源,掺杂金属离子盐,配制而成的混合物溶于溶剂中,调节体系pH,超声分散时间20~30min,然后将混合物转移进入水热反应釜中,放入烘箱,保温。(2)进过水热处理后,反应釜中生成物通过离心用去离子水及无水乙醇交替清洗后,将粉末放在在真空烘箱中60~90℃干燥6~12h。粉体放入研钵中研磨,得到产物。2.按照权利要求1的方法,其特征在于,步骤(1)中铜源选自:硫酸铜(CuSO4·5H2O),硝酸铜(Cu(NO3)2·3H2O),氯化铜(CuCl2·2H2O),柠檬酸铜(C6H6CuO7),草酸铜(CuC2O4),优选其中一种或两种。3.按照权利要求1的方法,其特征在于,步骤(1)中所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:谷晓昱,景江,张胜,孙军,李洪飞,
申请(专利权)人:北京化工大学,
类型:发明
国别省市:北京,11
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