垂直排列的二硫化铪纳米片的化学气相沉积制备方法技术

本发明专利技术公开了一种垂直排列的二硫化铪纳米片的化学气相沉积制备方法，包括如下步骤：(1)清洗衬底；(2)将衬底、硫粉和四氯化铪粉放入真空管式炉中；(3)将真空管式炉抽至高真空，通入氩气和氢气；(4)将管式炉依次升温、保温、降温；(5)取出衬底，衬底上即为垂直排列的二硫化铪纳米片；本发明专利技术制备的垂直排列的二硫化铪纳米片均匀性好、质量高、面积大，为二硫化铪纳米材料的基础研究以及相关二维纳米光电子器件的潜在应用的研究提供了样品制备的可靠手段，垂直排列的纳米结构比表面积大，表面活性高，在作为催化剂方面有很广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及新型二维纳米材料制备领域，特别是涉及一种。
技术介绍
为了弥补零带隙石墨烯在半导体电子学以及光电子学领域应用的不足，有相当宽泛带隙的过渡金属硫属化合物二维纳米结构受到了极高的关注。以二硫化钼、二硫化钨为代表的VIB族过渡金属硫属化合物的制备、光学性质、电学性质以及应用都已经得到了广泛的研究，并展现出优异的性能。然而对IVB族过渡金属硫属化合物例如二硫化铪、二硫化锆的研究几乎没有报道，但是这些材料能够拥有更高的电学特性。理论计算表明，单层二硫化給的室温迀移率为?1800cm2V:s \远高于二硫化钼(?340cm2V:s:) (ff.Zhang, Z.Huang, ff.Zhang and Y.Li, Nano Res.，2014, 7，1731-1737.)。今年，Mei Zhang 组在氮化硼衬底上通过化学气相沉积法合成了少数层二硫化错材料(M.Zhang et al., J.Am.Chem.Soc.，2015，137，7051-7054.)，填补了少数层二硫化锆材料可控合成的空白。特殊的纳米结构将会产生特殊的物理化学特性，垂直排列的纳米结构比表面积大，表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直排列的二硫化铪纳米片的化学气相沉积制备方法，其特征在于包括如下步骤：(1)清洗衬底；(2)将衬底、硫粉和四氯化铪粉放入真空管式炉中，按质量比计，硫粉：四氯化铪粉≥2:1；(3)将真空管式炉抽至高真空，通入氩气和氢气；(4)将管式炉依次升温、保温、降温；(5)取出衬底，衬底上即为垂直排列的二硫化铪纳米片。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈远富，郑斌杰，李萍剑，戚飞，刘竞博，贺加瑞，张万里，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51