全背电极太阳电池背面离子注入掩模版制造技术
Ion implantation mask on backside of full back electrode solar cells
The mask and the back graphics realization method of the utility model, the full back electrode of solar battery back ion implantation, including interaction emitter mask and BSF mask, the mask is arranged on the opening of emitter emitter, the BSF mask is matched with the opening of emitter BSF opening, the mask at on the back of the battery set domain formed fixed pattern. The utility model has the advantages of: P and N cells were injected through a group can mask with each other, easily formed with gap, P, N can effectively solve the leakage problem of the contact area, the graphical process of solar cell is more convenient and reliable, conducive to mass production.
【技术实现步骤摘要】
全背电极太阳电池背面离子注入掩模版
本技术涉及全背电极太阳电池领域，特别是涉及全背电极太阳电池背面离子注入掩模版。
技术介绍
离子注入作为一种稳定可靠的掺杂方式，已被半导体行业青睐多年，随着光伏行业离子注入设备的发展，应用离子注入的方法来制备IBC电池的优势逐渐显现出来。目前常用的离子注入通常为全面注入，图形化的形成仍然依靠外加掩膜层，比如厚的氧化硅或氮化硅介质膜或者光刻胶来阻挡部分区域的注入离子进入硅片内部；外加掩膜层增加了图形化的工艺过程，使流程复杂。因此需要设计一种掩模版，通过设置于离子注入机器内的该掩模版，可以直接在硅片上形成P、N区域图形，定域的选择性离子注入掺杂，使得在电池背面形成图形的工艺方法简单可靠，便于电池的大规模生产。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术提供了全背电极太阳电池背面离子注入掩模版，通过设计与电池背面对应的掩膜版尺寸，使的电池的P区和N区可以通过一组相互配合的掩膜版实现分别注入，在电池背面简便地形成带gap区域的掺杂图形，简化了电池背面图形化的工艺流程，有效解决P、N接触区漏电的问题，有利于工艺稳定控制，同时节约耗材，利于大规模生产。...
【技术保护点】
全背电极太阳电池背面离子注入掩模版,其特征在于,包括相互配合的emitter掩模版和BSF掩模版,所述emitter掩模版上设有emitter开口,所述BSF掩模版设有与emitter开口配合的BSF开口。
【技术特征摘要】
1.全背电极太阳电池背面离子注入掩模版,其特征在于,包括相互配合的emitter掩模版和BSF掩模版,所述emitter掩模版上设有emitter开口,所述BSF掩模版设有与emitter开口配合的BSF开口。2.根据权利要求1所述的全背电极太阳电池背面离子注入掩模版,其特征在于，所述emitter掩模版上等距设有若干列宽长条状结构的emitter开口，每列emitter开口数量为一个，每两列相邻的所述emitter开口中间的间隔距离大于或等于0.5mm，所述BSF掩模版上等距设有细长条状结构的BSF开口，所述BSF开口宽度小于两个相邻emitter开口中间的间隔距离。3.根据权利要求1所述的全背电极太阳电池背面离子注入掩模版,其特征在于，所述的emitter掩模版上等距设有若干列emitter开口，每列所述emitter开口为若干个，其为长块状结构，每列中上下两个相邻的emitter开口中间的间隔距离为0.1mm-0.3mm，每相邻两列emitt...
【专利技术属性】
技术研发人员：李华，鲁伟明，李中兰，
申请(专利权)人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32
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