一种基于黑砷磷的用于红外探测的器件制造技术
A device for infrared detection based on black arsenic phosphor
The utility model discloses a device for black arsenic phosphorus based on infrared detection, for detecting infrared, includes an insulating substrate, a first semiconductor semiconductor, second. The first semiconductor and the second semiconductor are mounted on the insulating substrate. The first semiconductor contacts with the second semiconductor to form a heterojunction. The first semiconductor and the second semiconductor are connected to an electrode respectively. The first semiconductor is a two-dimensional layer of black arsenic phosphorus with a thickness of no more than 50nm. Second semiconductor layered molybdenum sulfide layer with thickness less than 50nm. Compared with the existing infrared detection devices, the utility model has a high specific detection rate.
【技术实现步骤摘要】
一种基于黑砷磷的用于红外探测的器件
本技术涉及新材料黑砷磷在红外探测方面的应用。
技术介绍
黑磷是继石墨烯、过渡金属硫族化合物之后发现的新一种二维层状材料，是一种由具有各向异性的磷原子以SP2键形成的二维层状材料。由于黑磷晶格结构的各向异性，其电学性质也具有较大的各向异性，和高空隙迁移率和不随厚度变化的直接带隙。由于其具有独特的结构和优异的物理性质，黑磷以及掺杂后的黑磷二维层状材料得到了科学界的广泛关注。《BlackArsenic–Phosphorus:LayeredAnisotropicInfraredSemiconductorswithHighlyTunableCompositionsandProperties（2015）》的研究表明，黑磷掺砷后的所形成的黑砷磷二维层状材料具有通过调节组份从而实现带隙可调的性能。
技术实现思路
本技术所要解决的问题是黑砷磷二维层状材料在红外光电探测方面的应用。为解决上述问题，本技术采用的方案如下：一种基于黑砷磷的用于红外探测的器件，用于检测红外线，包括绝缘衬底、第一半导体、第二半导体；所述第一半导体和第二半导体安装在所述绝缘衬底上...
【技术保护点】
一种基于黑砷磷的用于红外探测的器件，用于检测红外线，其特征在于，包括绝缘衬底、第一半导体、第二半导体；所述第一半导体和第二半导体安装在所述绝缘衬底上；所述第一半导体和第二半导体相接触而形成异质结；所述第一半导体和第二半导体分别连接有电极；所述第一半导体为黑砷磷二维层状材料。
【技术特征摘要】
1.一种基于黑砷磷的用于红外探测的器件，用于检测红外线，其特征在于，包括绝缘衬底、第一半导体、第二半导体；所述第一半导体和第二半导体安装在所述绝缘衬底上；所述第一半导体和第二半导体相接触而形成异质结；所述第一半导体和第二半导体分别连接有电极；所述第一半导体为黑砷磷二维层状材料。2.如权利要求1所述的基于黑砷磷的用于红外探测的器件，其特征在于，所述第一半导体为厚度不超过50nm的黑砷磷二维层状材料。3.如权利要求1所述的基于黑砷磷的用于红外探测的器件，其特征在于，所述第一半导体的黑砷磷二维层状材料中的砷含量为10%~90%。4.如权利要求1所述的基于黑砷磷的用于红外探测的器件，其特征在于，所述第一半导体的黑砷磷二维层状材料中的砷含量为83%。5.如权利要求1所述的基于黑砷磷的用于红外...
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