一种硒化锡光伏薄膜的制备方法技术

一种硒化锡光伏薄膜的制备方法，属于光伏薄膜制备技术领域，本发明专利技术通过如下步骤得到，首先清洗基片，然后将SnCl2·2H2O和SeO2放入溶剂中，用旋涂法在基片上得到前驱体薄膜，烘干，放入有水合联氨的密闭容器中，使前驱体薄膜样品不与水合联氨接触，将装有前躯体薄膜样品的密闭容器进行加热，取出样品冷却、干燥，得到硒化锡光电薄膜。本发明专利技术不需要高温高真空条件，对仪器设备要求低，生产成本低，生产效率高，易于操作。所得硒化锡光伏薄膜有较好的连续性和均匀性，这种新工艺容易控制目标产物的成分和结构，为制备高性能的硒化锡光伏薄膜提供了一种低成本、可实现工业化的生产方法。

【技术实现步骤摘要】
一种硒化锡光伏薄膜的制备方法
本专利技术属于光伏薄膜制备
，尤其涉及一种硒化锡光伏薄膜的制备方法。
技术介绍
随着社会和经济的发展，我国能源消费总量剧增，能源紧缺及消费能源带来的污染已成为国内社会发展中的突出问题，因此开发利用清洁能源对保护环境、经济可持续发展和构筑和谐社会都有重要的意义。为了更充分地利用太阳能这种清洁、安全和环保的可再生资源，近年来光电材料的研究和发展日益受到重视。硒化锡是一种重要的IV-VI族半导体，其间接带隙为0.90eV，直接带隙为1.30eV，可以吸收太阳光谱的绝大部分。作为一种含量丰富、环境友好且化学稳定的半导体材料，硒化锡是新型太阳能电池潜在候选材料之一。目前SnSe的制备方法主要有化学气相沉积、电化学方法、分子束外延、溶剂热法、脉冲激光沉积、化学浴沉积等。由于原料成本较低，因此是一种非常有发展前途的光伏薄膜材料，但现有工艺路线复杂、制备成本高，因而同样需要探索低成本的制备工艺。本实验采用旋涂—化学共还原法制备硒化锡光伏薄膜。如前面所述方法一样，其它方法也有不同的缺陷。与本专利技术相关的还有如下文献：[1]NicolasD.Boscher,Clai本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硒化锡光伏薄膜的制备方法，包括如下顺序的步骤：a. 玻璃或硅基片的清洗；b. 将1.5～2.5份SnCl2·2H2O、0.8～1.5份SeO2放入25～100份的溶剂中，使溶液中的物质均匀混合；c. 制作外部均匀涂布步骤b所述溶液的基片，并烘干，得到前驱体薄膜样品；d. 将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨接触，将装有前躯体薄膜样品的密闭容器放入烘箱中，加热至160～220℃之间，保温时间10～20小时，然后冷却到室温取出；e. 将步骤d所得产物，进行自然干燥，得到硒化锡光伏薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种硒化锡光伏薄膜的制备方法，包括如下顺序的步骤：a.玻璃或硅基片的清洗；b.将1.5～2.5份SnCl2·2H2O、0.8～1.5份SeO2放入25～100份的溶剂中，使溶液中的物质均匀混合；c.制作外部均匀涂布步骤b所述溶液的基片，并烘干，得到前驱体薄膜样品；d.将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨接触，将装有前躯体薄膜样品的密闭容器放入烘箱中，加热至160～220℃之间，保温时间10～20小时，然后冷却到室温取出；e.将步骤d所得产物，进行自然干燥，得到硒化锡光伏薄膜。2.如权利要求1所述的一种硒化锡光伏薄膜的制备方法，其特征在于，步骤a所述清洗，是将大小为2cm×2cm玻璃基片或硅基片...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘科高，刘振国，许超，
申请(专利权)人：济南领飞电气设备有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37