一种铜铝硫光伏薄膜的制备方法技术

一种铜铝硫光伏薄膜的制备方法，属于光伏薄膜制备技术领域，本发明专利技术通过如下步骤获得，首先清洗玻璃基片，然后将CuCl2·2H2O、Al(NO3)3·9H2O、CH4N2S放入溶剂中，用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜，烘干，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨接触，将此密闭容器进行加热后取出样品并干燥，得到铜铝硫光伏薄膜。本发明专利技术不需要高温真空条件、对设备仪器要求低并容易操作、生产成本低、生产效率高等优点。所得铜铝硫光伏薄膜择优取向生长且有较好的连续性和均匀性，这种新工艺为制备高性能的铜铝硫光伏薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。

【技术实现步骤摘要】
一种铜铝硫光伏薄膜的制备方法
本专利技术属于光伏薄膜制备
，尤其涉及一种铜铝硫光伏薄膜的制备方法。
技术介绍
随着社会的不断发展，可再生资源的消耗越来越多，全球储量锐减。资源的紧缺和成本的持续增长使众多国家将注意力转向于新能源的研究，太阳能以其清洁性；可持续性及来源广泛等优点，在众多可再生能源中脱颖而出。为充分利用太阳能，各国均潜心投入于太阳能电池的研究。铜铝硫广泛应用在光伏探测器，太阳能电池，和发光二极管等。铜铝硫基薄膜太阳能电池是目前研究最热门的光学材料之一，这是因为其吸收层材料CuInS2属于I-III-VI2族具有黄铜矿结构，直接能隙为3.49电子伏特，具有电转化率等一系列优点。薄膜材料的择优取向生长是提高半导体材料在一定方向上性能的重要途径，这需要改善制备工艺才能做到。目前铜铝硫光伏薄膜的制备方法主要有喷射热解法、溶剂热法、化学沉积法、反应溅射法、真空蒸发法等。由于原料成本低，因此是一种非常有发展前途的光电薄膜材料，但现有工艺路线复杂、制备成本高，因而同样需要探索低成本的制备工艺。像前面所述方法一样，其它方法也有不同的缺陷。与本专利技术相关的还有如下文献：[1]Cag本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铜铝硫光伏薄膜的制备方法，包括如下步骤：a. 玻璃基片的清洗；b. 将0.8～1.5份CuCl2·2H2O、1.7～3.3份Al(NO3)3·9H2O、及1.0～2.5份CH4N2S放入30～150份溶剂中均匀混合；c. 在匀胶机上吸附基片并在表面均匀涂抹步骤b所述溶液，后烘干，得到前驱体薄膜样品；d. 将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上，放入有1.791份水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与水合联氨接触；将装有前驱薄膜样品的密闭容器放入烘箱中，加热至160～220℃之间，保温时间10～20小时，然后冷却到室温取出；e. 将步骤d所得产物，进行干燥，得到铜铝硫薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种铜铝硫光伏薄膜的制备方法，包括如下步骤：a.玻璃基片的清洗；b.将0.8～1.5份CuCl2·2H2O、1.7～3.3份Al(NO3)3·9H2O、及1.0～2.5份CH4N2S放入30～150份溶剂中均匀混合；c.在匀胶机上吸附基片并在表面均匀涂抹步骤b所述溶液，后烘干，得到前驱体薄膜样品；d.将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上，放入有1.791份水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与水合联氨接触；将装有前驱薄膜样品的密闭容器放入烘箱中，加热至160～220℃之间，保温时间10～20小时，然后冷却到室温取出；e.将步骤d所得产物，进行干...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘科高，
申请(专利权)人：济南领飞电气设备有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37