The invention discloses a HIBC battery and a preparation method thereof, wherein the HIBC battery comprises a silicon substrate, and the electrode are arranged on the silicon substrate on the back surface of the first intrinsic amorphous silicon layer and doped amorphous silicon layer, wherein the electrode and the doped amorphous silicon layer connection between the silicon substrate with the first intrinsic amorphous silicon layer is provided with a hydrogenated amorphous silicon oxide layer. The present invention through the silicon substrate in the HIBC cell with the first intrinsic amorphous silicon layer is arranged between the hydrogenated amorphous silicon oxide layer, improve the interface passivation effect of the HIBC battery, because the series resistance increases to curb and reduce the fill factor into the HIBC cell intrinsic amorphous silicon layer caused by and improve the photoelectric conversion efficiency of the HIBC battery.
【技术实现步骤摘要】
一种HIBC电池及其制备方法
本专利技术涉及太阳能光伏
,尤其是一种HIBC电池及其制备方法。
技术介绍
目前的光伏
中重要的目标是制作出实现更高效率的光伏电池,尤其以异质结电池(HeterojunctionwithIntrinsicThinlayerCell,HIT电池)和背接触电池(Interdigitatedbackcontact,IBC电池)为代表的高效电池成为企业和研究机构关注的焦点。尽管有着生产设备昂贵、实现大规模量产困难以及工艺手段相对复杂等需要解决的问题,但由于具备优良电学性能,这两种高效电池仍成为了行业热捧对象。而近年来出现的兼具有HIT电池和IBC电池优良特性的HIBC(HeterojunctionInterdigitatedBackContact)电池已被一些研究机构和企业重视并研究。现有技术中常用的HIBC电池的结构包括硅衬底、本征非晶硅层、掺杂非晶硅层以及电极,该本征非晶硅层和掺杂非晶硅层依次设置在硅衬底上,该电极连接到掺杂非晶硅层。而该HIBC电池的结构具有以下缺点:掺杂非晶硅层会使本征非晶硅层中的Si-H键裂变能力降低,使本征非晶硅层中的缺陷增加,钝化能力下降;本征非晶硅层的引入使得该HIBC电池的串联电阻增加,填充因子下降;采用等离子体增强化学气相沉积工艺(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)沉积本征非晶硅层时会产生外延硅,从而损害本征非晶硅层与硅衬底的界面性能,使得钝化能力下降,由此使得该HIBC电池的光电转换效率下降。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术的目的在 ...
【技术保护点】
一种HIBC电池,包括硅衬底(1)、电极(5)和依次设置在所述硅衬底(1)的背表面上的第一本征非晶硅层(3)以及掺杂非晶硅层(4),所述电极(5)与所述掺杂非晶硅层(4)连接,其特征在于,所述硅衬底(1)与所述第一本征非晶硅层(3)之间设置有氢化非晶氧化硅层(2)。
【技术特征摘要】
1.一种HIBC电池,包括硅衬底(1)、电极(5)和依次设置在所述硅衬底(1)的背表面上的第一本征非晶硅层(3)以及掺杂非晶硅层(4),所述电极(5)与所述掺杂非晶硅层(4)连接,其特征在于,所述硅衬底(1)与所述第一本征非晶硅层(3)之间设置有氢化非晶氧化硅层(2)。2.根据权利要求1所述的HIBC电池,其特征在于,所述HIBC电池还包括第二本征非晶硅层(6)、N型非晶硅层(7)以及减反射膜层(8),所述第二本征非晶硅层(6)、N型非晶硅层(7)以及减反射膜层(8)依次设置在所述硅衬底(1)的正表面上。3.根据权利要求2所述的HIBC电池,其特征在于,所述减反射膜层(8)为氮化硅薄膜。4.根据权利要求1-3任一所述的HIBC电池,其特征在于,所述HIBC电池还包括设置在所述掺杂非晶硅层(4)上的透明导电膜层(9),所述掺杂非晶硅层(4)包括N型非晶硅区(41)和P型非晶硅区(42),所述电极(5)通过所述透明导电膜层(9)分别收集所述N型非晶硅区(41)以及P型非晶硅区(42)的电流。5.根据权利要求1所述的HIBC电池,其特征在于,所述氢化非晶氧化硅层(2)的厚度为1~10nm。6.根据权利要求1所述的HIBC电池,其特征在于,所述硅衬底(1)为N型单晶硅衬底。7.一种HIBC电池的制备方法,其特征在于,包括步骤:S1、提供一硅衬底(1),通过等离子体增强化学气相沉积工艺在所述硅衬底(1)的背表面上沉积一层氢化非晶氧化硅层(2);S2、通过等离子体增强化学气相沉积工艺在所述氢化非晶氧化硅层(2)上沉积一层第一本征非晶硅层...
【专利技术属性】
技术研发人员:卢刚,张敏,张治,何凤琴,郑璐,钱俊,杨振英,杨勇洲,杜娟,
申请(专利权)人:青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司,
类型:发明
国别省市:青海,63
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