The production process, a T top electrode back reflection thin film solar cell comprises the following steps: preparation of flat top transparent electrode; a transparent top electrode surface to prepare several strips of transparent conductive ribs, the ribs and a transparent top electrode formed T type structure; the third step, the transparent top electrode surface by P deposition uniform thickness of the amorphous silicon thin film, intrinsic amorphous silicon thin film, N type amorphous silicon thin film, transparent conductive film transition, the P type of amorphous silicon thin film, intrinsic amorphous silicon thin film, N type amorphous silicon thin film, transparent conductive film is formed on the convex edge transition area corresponding to convex strip bulge in the transparent conductive transition surface; depositing a thin film of bottom electrode, a plurality of arc reflection and the convex edge corresponding to the surface to form a transparent conductive thin film electrode and transition the contact surface of the bottom.
【技术实现步骤摘要】
一种T型顶电极背反射薄膜太阳电池的生产工艺
本专利技术涉及一种T型顶电极背反射薄膜太阳电池,属于太阳能电池
技术介绍
光子、电子和声子都是能量的载体。太阳能电池作为光电能量转换器件,主要是光子和电子之间相互交换能量,同时有声子参与这个交换过程。这种能量的相互作用主要发生在太阳电池材料表面数微米的范围内,这为制造薄膜太阳电池提供了物理基础。非晶硅薄膜太阳电池因其可以显著降低硅的使用量,制备工艺温度低等优点,成为了降低太阳电池成本最有吸引力的硅基太阳电池之一。但是,与其它硅基太阳电池相比,非晶硅薄膜太阳电池的转换效率偏低。一般来说,提高电池性能的方法主要有:采用多结结构,提高电池对不同波长光的吸收;采用不同的电池材料构成异质结电池;采用特形基板,提高电池对光的吸收等。但这些方法对于电池的制备成本的降低和电池性能的提高有限。因此,研发新型薄膜太阳电池对降低电池成本,提高电池性能有重要的意义。通常薄膜太阳电池的电极都是采用与薄膜平行的方式。该方式制备的薄膜电极,制备方法简单,性能稳定,但是,该方式的电极对电池性能的提高有限。因此,研究新型薄膜太阳电池电极,提高电池对光的吸收和增加电池受光面积有重要的意义。现在人们生产的主流薄膜太阳能电池的结构如图1所示,从上而下分别为:绝缘衬底5、透明顶电极1、P型非晶硅薄膜2、本征非晶硅薄膜6、N型非晶硅薄膜3、底电极4。P型非晶硅薄膜2和本征非晶硅薄膜6叠合连接,本征非晶硅薄膜6和N型非晶硅薄膜3再叠合连接,构成一个P-i-N结,顶电极1和底电极4分别置于P型非晶硅薄膜2上端面和N型非晶硅薄膜3下端面,最终形成一单结 ...
【技术保护点】
一种T型顶电极背反射薄膜太阳电池的生产工艺,其特征在于包括如下步骤:第1步、制备平板式透明顶电极;第2步、透明顶电极表面制备若干条状透明导电凸棱,该凸棱与透明顶电极形成T型结构;所述凸棱的高宽比为1:3~1:2,凸棱之间互相平行,凸棱的间距范围为:1‑2um,高度范围为:100‑300nm;第3步、在透明顶电极表面逐次淀积厚度均匀的P型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜、透明导电过渡薄膜,使P型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜、透明导电过渡薄膜在凸棱对应区域向外凸起形成条状鼓包;第4步、在透明导电过渡薄膜表面淀积底电极,所述底电极与透明导电过渡薄膜的接触面形成若干与所述凸棱一一对应的弧形反射面。
【技术特征摘要】
1.一种T型顶电极背反射薄膜太阳电池的生产工艺,其特征在于包括如下步骤:第1步、制备平板式透明顶电极;第2步、透明顶电极表面制备若干条状透明导电凸棱,该凸棱与透明顶电极形成T型结构;所述凸棱的高宽比为1:3~1:2,凸棱之间互相平行,凸棱的间距范围为:1-2um,高度范围为:100-300nm;第3步、在透明顶电极表面逐次淀积厚度均匀的P型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜、透明导电过渡薄膜,使P型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜、透明导电过渡薄膜在凸棱对应区域向外凸起形成条状鼓包;第4步、在透明导电过渡薄膜表面淀积底电极,所述底电极与透明导电过渡薄膜的接触面形成若干与所述凸棱一一对应的弧形反射面。2.根据权利要求1所述的T型顶电极背反射薄膜太阳电池的制造工艺,其特征在于:所述第2步中,将开有若干长条形窗口的...
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