一种背结背接触太阳能电池及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种背结背接触太阳能电池的制作方法，包括：在N型硅基底的背面上形成第一本征硅层后，对第一本征硅层进行硼掺杂，以形成掺硼层；在掺硼层上形成第一保护层后，对第一保护层和掺硼层进行图案化而形成图案化开槽，以暴露背面的部分区域；在图案化开槽内形成第二本征硅层，使第二本征硅层与背面的部分区域进行接触；对第二本征硅层进行磷掺杂，以形成掺磷层；在掺磷层上形成第二保护层后，清洗N型硅基底的正面和侧面上的非必要掺杂区；去除第一保护层和第二保护层后，在掺硼层和掺磷层上分别形成电极。本发明专利技术还公开了一种背结背接触太阳能电池。本发明专利技术解决了刻蚀非必要掺杂区时，因清洗液绕流而损伤目标掺杂区的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种背结背接触太阳能电池及其制作方法
本专利技术涉及太阳能电池制作
，尤其涉及一种能够减少pn结的受损可能性的电池制作方法。
技术介绍
在硅太阳能电池的制作过程中比较重要的环节就是，在硅基底上进行掺杂，以形成异质结的步骤。但是，由于现有的掺杂工艺本身的限制，无法保证掺杂的杂质仅扩散在目标区域内。因此在实际掺杂过程中可以发现，掺杂的杂质不仅扩散在目标区域内(例如：正面)，而且还扩散在硅基底的其他表面上(例如：背面或侧面)，从而形成了非必要掺杂区。如果保留该非必要掺杂区的话，在太阳能电池的正面上收集的光生电子会沿着该非必要掺杂区直接传输至太阳能电池的背面，从而造成太阳能电池的内部短路，因此有必要去除非必要掺杂区。目前，去除非必要掺杂区时，通常会采用碱性溶液来刻蚀硅基底的背面和侧面。但是该过程中，碱性溶液可能会绕流到硅基底的其他表面上，从而可能会损伤目标掺杂区。
技术实现思路
针对上述的技术问题，本专利技术采用了如下的技术方案：在本专利技术的一方面提供了一种背结背接触太阳能电池的制作方法，所述制作方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背结背接触太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：/n在N型硅基底的背面上形成第一本征硅层后，对所述第一本征硅层进行硼掺杂，以形成掺硼层；/n在所述掺硼层上形成第一保护层后，对所述第一保护层和所述掺硼层进行图案化而形成图案化开槽，以暴露所述背面的部分区域；/n在所述图案化开槽内形成第二本征硅层，使所述第二本征硅层与所述背面的部分区域进行接触；/n对所述第二本征硅层进行磷掺杂，以形成掺磷层；/n在所述掺磷层上形成第二保护层后，清洗所述N型硅基底的正面和侧面上的非必要掺杂区；/n去除所述第一保护层和所述第二保护层后，在所述掺硼层和所述掺磷层上分别形成电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种背结背接触太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在N型硅基底的背面上形成第一本征硅层后，对所述第一本征硅层进行硼掺杂，以形成掺硼层；
在所述掺硼层上形成第一保护层后，对所述第一保护层和所述掺硼层进行图案化而形成图案化开槽，以暴露所述背面的部分区域；
在所述图案化开槽内形成第二本征硅层，使所述第二本征硅层与所述背面的部分区域进行接触；
对所述第二本征硅层进行磷掺杂，以形成掺磷层；
在所述掺磷层上形成第二保护层后，清洗所述N型硅基底的正面和侧面上的非必要掺杂区；
去除所述第一保护层和所述第二保护层后，在所述掺硼层和所述掺磷层上分别形成电极。


2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，去除所述第一保护层和所述第二保护层之前，所述制作方法包括：
对所述正面进行磷掺杂，以形成表面场区；
在所述表面场区上形成第三保护层；
清洗所述N型硅基底的侧面上的非必要掺杂区；
去除所述第三保护层。


3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，去除所述第三保护层后，所述制作方法还包括：在所述表面场区上依序形成第一钝化层和增透层。


4.根据权利要求1至3任一所述的制作方法，其特征在于，形成所述电极之前，所述制作方法还包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：常纪鹏，张敏，李得银，王冬冬，陈燕，杨超，陈丹，石慧君，马岩青，陶延宏，
申请(专利权)人：青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司，黄河水电光伏产业技术有限公司，国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司，青海黄河上游水电开发有限责任公司，
类型：发明
国别省市：青海;63