一种背结背接触太阳能电池及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种背结背接触太阳能电池的制作方法，该方法包括：在N型硅基底的背面上形成隧道氧化层；在所述隧道氧化层上形成图案化pn结；在所述图案化pn结上形成电极。本发明专利技术还公开了一种背结背接触太阳能电池。本发明专利技术解决了背结背接触太阳能电池的背面载流子复合率较高的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种背结背接触太阳能电池及其制作方法
本专利技术涉及太阳能电池制作
，尤其涉及一种能够提高电池的背面钝化效果的电池制作方法。
技术介绍
太阳能发电作为一种可再生能源，在社会能源消耗中的占比越来越高。其中，硅基背结背接触太阳能电池因其正面无栅线遮挡，正负极区域全集中在电池背面，因此在装配和集成方面有较大的优势。但是，现有的背结背接触太阳能电池的背面复合率较高，这会使反向暗饱和电流密度增大，导致电池开路电压降低的问题。
技术实现思路
针对上述的技术问题，本专利技术采用了如下的技术方案：在本专利技术的一方面提供了一种背结背接触太阳能电池的制作方法，所述制作方法包括：在N型硅基底的背面上形成隧道氧化层；在所述隧道氧化层上形成图案化pn结；在所述图案化pn结上形成电极。优选地，形成所述图案化pn结的方法包括：在所述隧道氧化层上形成第一本征硅层；对所述第一本征硅层进行硼掺杂，以形成掺硼层；在所述掺硼层上形成掩膜层；在所述掩膜层和所述掺硼层上进行图案化而本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背结背接触太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：/n在N型硅基底的背面上形成隧道氧化层；/n在所述隧道氧化层上形成图案化pn结；/n在所述图案化pn结上形成电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种背结背接触太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在N型硅基底的背面上形成隧道氧化层；
在所述隧道氧化层上形成图案化pn结；
在所述图案化pn结上形成电极。


2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述图案化pn结的方法包括：
在所述隧道氧化层上形成第一本征硅层；
对所述第一本征硅层进行硼掺杂，以形成掺硼层；
在所述掺硼层上形成掩膜层；
在所述掩膜层和所述掺硼层上进行图案化而形成图案化开槽，以暴露所述隧道氧化层的部分区域；
在所述图案化开槽内形成第二本征硅层，使所述第二本征硅层与所述隧道氧化层进行接触；
对所述第二本征硅层进行磷掺杂，以形成掺磷层；
去除所述掩膜层。


3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在所述图案化pn结上形成电极之前，所述制作方法还包括：在所述pn结上形成第一钝化层。


4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，形成所述电极的方法包括：
在所述第一钝化层上印刷含有腐蚀性溶剂的银浆，使所述银浆刻穿所述第一钝化层后与所述掺磷层和所述掺硼层进行接触；
固化...

【专利技术属性】
技术研发人员：常纪鹏，张敏，李得银，王冬冬，陈燕，杨超，陈丹，石慧君，马岩青，陶延宏，
申请(专利权)人：青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司，黄河水电光伏产业技术有限公司，国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司，青海黄河上游水电开发有限责任公司，
类型：发明
国别省市：青海;63