一种太阳能电池及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳能电池的制作方法，包括：在P型硅基底的背面和侧面上形成用于阻挡磷离子的隔离层；在P型硅基底的正面上进行磷掺杂；去除隔离层；在正面上形成正面电极；在背面上形成背面电极。本发明专利技术还公开了通过上述方法来制作的太阳能电池。本发明专利技术解决了现有技术中，刻除非必要掺杂区时，碱性溶液可能会绕流到硅基底的正面，从而损坏硅基底正面的pn结的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池及其制作方法
本专利技术涉及太阳能电池制作
，尤其涉及一种能够减少pn结的受损可能性的电池制作方法。
技术介绍
在硅太阳能电池的制作过程中比较重要的环节就是，在P型硅基底上进行磷掺杂，以形成pn结的步骤。但是，由于现有的掺杂工艺本身的限制，无法保证掺杂离子仅扩散在目标区域内。因此在实际掺杂过程中可以发现，掺杂离子不仅扩散在目标区域内(例如：正面)，而且还扩散在P型硅基底的其他表面上(例如：背面或侧面)，从而形成非必要掺杂区。如果保留该非必要掺杂区的话，在太阳能电池的正面上收集的光生电子会沿着该非必要掺杂区直接传输至太阳能电池的背面，从而造成太阳能电池的内部短路，因此有必要去除非必要掺杂区。目前，去除非必要掺杂区时，通常会采用碱性溶液来刻蚀硅基底的背面和侧面。但是该过程中，碱性溶液可能会绕流到硅基底的正面，从而损坏硅基底正面的pn结。
技术实现思路
针对上述的技术问题，本专利技术采用了如下的技术方案：在本专利技术的一方面提供了太阳能电池的制作方法，所述制作方法包括：在P型硅基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：/n在P型硅基底的背面和侧面上形成用于阻挡磷离子的隔离层；/n在所述P型硅基底的正面上进行磷掺杂；/n去除所述隔离层；/n在所述正面上形成正面电极；/n在所述背面上形成背面电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在P型硅基底的背面和侧面上形成用于阻挡磷离子的隔离层；
在所述P型硅基底的正面上进行磷掺杂；
去除所述隔离层；
在所述正面上形成正面电极；
在所述背面上形成背面电极。


2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，去除所述隔离层之前，所述制作方法还包括：
对所述正面的即将形成所述正面电极的区域进行二次磷掺杂，以形成选择性发射区。


3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在所述正面上形成所述正面电极之前，所述制作方法还包括：在所述正面上形成增透层。


4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，在所述正面上形成所述正面电极的方法包括：
在所述增透层上印刷含有腐蚀性溶剂的银浆，使所述含有腐蚀性溶剂的银浆刻穿所述增透层后与所述选择性发射区进行接触；
固化所述含有腐蚀性溶剂的银浆，以形成所述正面电极。


5.根据权利要求1至4任一所述的制作方法，其特征在于，在所述背面上形成背面电极之前，所述制作方法还包括：
在所述背面上形成钝化层；
对所述钝化层进行图案化而形成图案化开槽，以暴露所述背面的部分区域；

【专利技术属性】
技术研发人员：常纪鹏，张敏，李得银，王冬冬，陈燕，杨超，陈丹，石慧君，马岩青，陶延宏，
申请(专利权)人：青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司，黄河水电光伏产业技术有限公司，国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司，青海黄河上游水电开发有限责任公司，
类型：发明
国别省市：青海;63