一种提高PERC电池开压的热氧化工艺方法及得到的PERC电池片技术

本发明专利技术涉及一种提高PERC电池开压的热氧化工艺方法及得到的电池片。所述方法包括：将硅片依次进行第一热氧化和第二热氧化的过程，第一热氧化的温度>第二热氧化的温度。本发明专利技术所述方法采用两步通氧的热氧化工艺，在第一热氧化温度下通入第一步氧气，使在氧化过程中硅片表面生成的Si‑SiO

【技术实现步骤摘要】
一种提高PERC电池开压的热氧化工艺方法及得到的PERC电池片
本专利技术属于晶体硅太阳能电池
，具体涉及一种提高PERC电池开压的热氧化工艺方法及得到的电池片。
技术介绍
目前业内PERC电池技术路线基本上经历了三个阶段，第一阶段是在常规产线上直接进行升级，效率可提升1％；第二阶段是加入热氧化工艺，并优化刻蚀、扩散匹配，效率提升至21.8％；第三阶段，即将规模推广的SE技术效率将提升至量产22.2％。在太阳电池制造过程中，将已经形成p-n结的硅片放入高温炉中，在高温下与氧化剂进行反应就可以长出一层SiO2薄膜，对太阳电池表面起到钝化作用。热氧化法制备的SiO2薄膜，干氧替代臭氧可提高二氧化硅膜的致密性及均匀性，由于热氧化二氧化硅中存在大量固定正电荷，这些固定正电荷将产生场效应钝化作用，降低了硅片表面的缺陷密度，钝化表面态，增加光生载流子的寿命。热氧化钝化可以在硅片表面产生一层高质量的，有较低的表面态密度的Si-SiO2界面，可以有效的消除表面复合的影响，但是由于硅片在氧化退火过程中不可避免地产生的一些缺陷(主要是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高PERC电池开压的热氧化工艺方法，其特征在于，所述方法包括：将硅片依次进行第一热氧化和第二热氧化的过程，第一热氧化的温度>第二热氧化的温度。/n

【技术特征摘要】
1.一种提高PERC电池开压的热氧化工艺方法，其特征在于，所述方法包括：将硅片依次进行第一热氧化和第二热氧化的过程，第一热氧化的温度>第二热氧化的温度。


2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一热氧化的温度为760～850℃；
优选地，所述第一热氧化的时间为20～30min。


3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一热氧化的气氛为含氧气氛，优选第一热氧化气氛中的气体包括氮气和氧气；
优选地，所述第一热氧化过程中，氮气的通入量为12000～20000sccm；
优选地，所述第一热氧化过程中，氧气的通入量为4000～8000sccm；
优选地，所述第一热氧化过程在常压下进行。


4.如权利要求1-3之一所述的方法，其特征在于，所述第二热氧化的温度为630～680℃；
优选地，所述第二热氧化的时间为4～6min。


5.如权利要求1-4之一所述的方法，其特征在于，所述第二热氧化的气氛为含氧气氛，优选第二热氧化气氛中的气体包括氮气和氧气；
优选地，所述第一热氧化过程中的氧气通入量>第二热氧化过程中的氧气通入量；
优选地，所述第二热氧化过程中，氧气的通入量为500～1000sccm；
优选地，所述第二热氧化过程中，氮气的通入量为12000～20000sccm；
优选地，所述第二热氧化过程在常压下进行。


6.如权利要求1-5之一所述的方法，其特征在于，所述硅片为刻蚀和清洗后的硅片；
优选地，所述第一热氧化之前包括升温的过程，优选升温的时间为20～25min。


7.如权利要求1-6之一所述的方法，其特征在于，所述第一热氧化之后，第二热氧化之前，还包括降温过程；
优选地，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋飞飞，张向斌，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33