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本发明公开了一种背结背接触太阳能电池的制作方法，包括：在N型硅基底的背面上形成第一本征硅层后，对第一本征硅层进行硼掺杂，以形成掺硼层；在掺硼层上形成第一保护层后，对第一保护层和掺硼层进行图案化而形成图案化开槽，以暴露背面的部分区域；在图案化...该专利属于青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司;黄河水电光伏产业技术有限公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司;黄河水电光伏产业技术有限公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司授权不得商用。