Each embodiment relates to semiconductor devices and corresponding methods. A semiconductor device includes one or more semiconductor die die pad; support one or more semiconductor bare chip; molded into the package by one or more semiconductor die the die pad on the support, wherein the die pad is exposed on the surface. Package; and an exposed die pad, which is etched to form a pattern of at least one of the electrical contact pads on die pad.
【技术实现步骤摘要】
半导体器件及相应方法
本描述涉及半导体器件。
技术介绍
例如在半导体器件的所谓有机衬底封装件中可以提供嵌入式电容器。例如,电容器可以例如在平坦裸片焊盘区域上利用SMD焊接工艺,被嵌入在引线框架(LF)封装件中。此外,裸片焊盘可以用于散热和/或为半导体裸片提供单个输入/输出焊盘。尽管在该领域中有广泛的活动,仍然需要提供改进的封装价值和改进的器件性能两者的布置。
技术实现思路
一个或多个实施例可以应用于例如在引线框架中提供嵌入式电容器和/或例如为集成电路(IC)提供多功能裸片焊盘。一个或多个实施例还可以涉及相应的方法。权利要求是本文关于一个或多个实施例提供的技术公开的不可分割的部分。一个或多个实施例针对一种包括暴露的裸片焊盘的半导体器件,该暴露的裸片焊盘可以变换为接触焊盘(焊垫)阵列,从而增加给定封装件的输入/输出线的数量,而不增加尺寸或改变引线数。一个或多个实施例使得可能通过在相同引线框架中并入多个功能/裸片以在多个器件中使用相同的引线框架,而无需对有源区上焊盘(PadOnActive(POA))规格的实质改变。例如在混合封装件引线框架和/或多个裸片焊盘功能方面,一个或多个实施例可以提供优于已知解决方案的优点。在一个或多个实施例中,可以例如通过预镀引线框架(PPF)的方式,经由对裸片焊盘的选择性蚀刻来实现这些结果。附图说明现在将参照附图仅通过示例的方式描述一个或多个实施例,其中:图1是根据一个或多个实施例的半导体器件的截面图,图2和图3是根据一个或多个实施例的裸片焊盘的示意性平面图(分别从顶部和底部看),图4是根据一个或多个实施例的具有焊接在其上的电容器的裸片焊 ...
【技术保护点】
一种半导体器件,包括:至少一个半导体裸片,支撑所述至少一个半导体裸片的裸片焊盘,以及围绕所述至少一个半导体裸片的封装件,其中所述裸片焊盘的表面在所述封装件的表面处被暴露,其中所述裸片焊盘包括将所述裸片焊盘中的至少一个电接触焊垫与所述裸片焊盘的其余部分隔离的蚀刻部分。
【技术特征摘要】
2016.04.29 IT 1020160000442371.一种半导体器件,包括:至少一个半导体裸片,支撑所述至少一个半导体裸片的裸片焊盘,以及围绕所述至少一个半导体裸片的封装件,其中所述裸片焊盘的表面在所述封装件的表面处被暴露,其中所述裸片焊盘包括将所述裸片焊盘中的至少一个电接触焊垫与所述裸片焊盘的其余部分隔离的蚀刻部分。2.根据权利要求1所述的半导体器件,包括具有至少一个电接触引脚的引线框架,所述至少一个电接触引脚电耦合到所述裸片焊盘中的所述至少一个电接触焊垫。3.根据权利要求2所述的半导体器件,包括嵌入所述封装件中的电容器,其中所述电容器电耦合到所述裸片焊盘中的所述至少一个电接触焊垫和所述至少一个电接触引脚。4.根据权利要求2所述的半导体器件,其中所述至少一个电接触引脚通过接合线电耦合到所述裸片焊盘中的所述至少一个电接触焊垫。5.根据权利要求4所述的半导体器件,包括用于接收所述接合线的端部的至少一个电接触,所述至少一个电接触在所述裸片焊盘面向所述半导体器件内部的表面处。6.根据权利要求2所述的半导体器件,其中所述至少一个电接触引脚与所述裸片焊盘中的所述至少一个电接触焊垫一体成型。7.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述至少一个半导体裸片通过以下中的至少一个耦合到所述裸片焊盘:裸片附接层,以及至少一个电耦合形成物,与在所述裸片焊盘中形成的所述至少一个电接触焊垫耦合。8.根据权利要求1所述的半导体器件,包括:由所述裸片焊盘支撑的第一半导体裸片,以及堆叠在所述第一半导体裸片上的至少一个第二半导体裸片。9.根据权利要求8所述的半导体器件,包括多个引线,其中所述第一半导体裸片和所述至少一个第二半导体裸片通过打线接合耦合到相应的引线。10.一种方法,包括:将至少一个半导体裸片耦合到裸片焊盘,由此,所述至少一个半导体裸片由所述裸片焊盘支撑,在所述至少一个半导体裸片周围形成封装件,其中所述裸片焊盘的表面在所述封装件的表面处暴露,以及蚀刻所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:F·G·齐格利奥利,
申请(专利权)人:意法半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:意大利,IT
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。