单分流器倒相电路中的电力方形扁平无引线封装制造技术

本发明专利技术申请公开了单分流器倒相电路中的电力方形扁平无引线封装。根据示例性实现，电力方形扁平无引线(PQFN)封装包括位于引线框上的驱动器集成电路(IC)。PQFN封装还包括位于引线框上的低压侧U‑相电力开关、低压侧V‑相电力开关和低压侧W‑相电力开关。引线框的逻辑地耦合到驱动器IC的支持逻辑电路。引线框的电力级地耦合到低压侧U‑相电力开关、低压侧V‑相电力开关和低压侧W‑相电力开关的源极。电力级地还可耦合到驱动器IC的选通驱动器。

Power square flat leadless package for inverting circuit of single shunt

The invention discloses an electric square flat leadless package for a single shunt inverting circuit. According to the exemplary implementation, the power quad flat leadless (PQFN) package includes a driver IC (IC) located on the leadframe. The PQFN package also comprises a lead frame on the low side U phase power switch, low voltage side V phase power switch and low voltage side W phase power switch. The leadframe is logically coupled to the support logic circuit of the driver IC. The lead frame is coupled to the power level of U low voltage side phase power switch, low voltage side V phase power switch and low voltage side W phase power source switch. The power level can also be coupled to the driver of the driver IC.

【技术实现步骤摘要】
单分流器倒相电路中的电力方形扁平无引线封装本申请是申请日为2014年01月27日，申请号为201410039117.0，专利技术名称为“单分流器倒相电路中的电力方形扁平无引线封装”的申请的分案申请。本申请要求序列号为61/774,484，申请日期为2013年3月7日，名称为“PowerQuadFlatNo-Lead(PQFN)PackageinaSingleShuntInverterCircuit”的临时申请的利益和优先权。本申请也是序列号为13/662,244，申请日期为2012年10月26日，并且名称为“CompactWirebondedPowerQuadFlatNo-Lead(PQFN)Package”的部分继续申请，其依次要求序列号为13/034,519，申请日期为2011年2月24日，并且名称为“Multi-ChipModule(MCM)PowerQuadFlatNo-Lead(PQFN)SemiconductorPackageUtilizingaLeadframeforElectricalInterconnections”的申请的优先权，其依次要求序列号为61/459,52本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电力方形扁平无引线PQFN封装，包括：引线框；以及驱动器集成电路IC，其位于所述引线框的驱动器IC管芯垫上，其中所述驱动器IC包括：第一电平位移器，其配置成输出信号至第一选通驱动器以驱动所述PQFN封装的桥电路的高压侧电力晶体管；以及第二电平位移器，其配置成输出信号至所述驱动器IC的第二选通驱动器以驱动所述PQFN封装的所述桥电路的低压侧电力晶体管。

【技术特征摘要】
2013.03.07 US 61/774,484;2013.12.10 US 14/102,2751.一种电力方形扁平无引线PQFN封装，包括：引线框；以及驱动器集成电路IC，其位于所述引线框的驱动器IC管芯垫上，其中所述驱动器IC包括：第一电平位移器，其配置成输出信号至第一选通驱动器以驱动所述PQFN封装的桥电路的高压侧电力晶体管；以及第二电平位移器，其配置成输出信号至所述驱动器IC的第二选通驱动器以驱动所述PQFN封装的所述桥电路的低压侧电力晶体管。2.根据权利要求1所述的PQFN封装，其中所述驱动器IC还包括输入逻辑，其耦合到所述第一电平位移器以控制所述第一电平位移器输出信号至所述第一选通驱动器以驱动所述PQFN封装的所述桥电路的所述高压侧电力晶体管，并且耦合到所述第二电平位移器以控制所述第二电平位移器输出信号至所述第二选通驱动器以驱动所述PQFN封装的所述桥电路的所述低压侧电力晶体管。3.根据权利要求1所述的PQFN封装，其中所述驱动器IC还包括低电压保护电路，其配置成检测电源电压低电压条件以禁止所述桥电路的切换。4.根据权利要求1所述的PQFN封装，其中所述驱动器IC还包括过电压保护电路，其配置成输出指示过电压条件的信号以禁止所述桥电路的切换。5.根据权利要求4所述的PQFN封装，其中所述第一电平位移器被配置成以比所述第二电平位移器被配置成输出信号至所述第二选通驱动器的幅度更大的幅度输出信号至所述第一选通驱动器。6.根据权利要求1所述的PQFN封装，其中所述高压侧电力晶体管对应于所述桥电路的U-相电力开关、V-相电力开关和W-相电力开关之一。7.根据权利要求1所述的PQFN封装，其中所述低压侧电力晶体管对应于所述桥电路的U-相电力开关、V-相电力开关和W-相电力开关之一。8.根据权利要求1所述的PQFN封装，其中所述高压侧电力晶体管和所述低压侧电力晶体管中的至少一个对应于快速反相外延二极管场效应晶体管(FREDFET)。9.根据权利要求1所述的PQFN封装，其中所述高压侧电力晶体管和所述低压侧电力晶体管中的至少一个对应于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。10.根据权利要求1所述的PQFN封装，其中所述高压侧电力晶体管和所述低压侧电力晶体管中的至少一个对应于III-V族晶体管。...

【专利技术属性】
技术研发人员：迪安·费尔南多，罗埃尔·巴尔博萨，T·塔卡哈施，
申请(专利权)人：英飞凌科技美国公司，
类型：发明
国别省市：美国,US