一种降低多晶硅铸锭氧含量方法技术

本发明专利技术涉及一种降低多晶硅铸锭氧含量方法，其中，包括如下步骤：对一坩埚进行喷涂处理，向喷涂完成的所述坩埚中投入混合硅料；将填装有所述混合硅料的所述坩埚放置一铸锭炉后进行抽真空处理后进行加热直至所述混合硅料处于熔融状态；向所述铸锭炉中以预设气流速度通入氩气并将所述铸锭炉内的气压降低至第一气压后开始进行长晶作业；待所述混合硅料的熔融温度降至所述多晶硅铸锭的结晶温度后对所述混合硅料进行定向凝固直至完成长晶过程；待长晶完成之后依次进行退火与冷却以得到所述多晶硅铸锭。本发明专利技术提出的降低多晶硅铸锭氧含量方法，可以制备得到氧含量更低的多晶铸锭，满足了实际应用需求。

A method for reducing oxygen content in polycrystalline silicon ingot

The invention relates to a method for reducing the oxygen content of the polycrystalline silicon ingot, and comprises the following steps: a crucible for spraying, spraying to the crucible in the completion of the input of hybrid silicon material; some will fill the crucible of the mixed material placed a silicon ingot furnace after vacuum processing after heating until the the mixture of silicon material in a molten state; to the ingot furnace to preset flow velocity by argon gas and the pressure inside the ingot furnace is reduced to the first pressure start after a long crystal operation; the crystallization temperature of the melting temperature of the silicon material to be mixed to the polysilicon ingot on the hybrid silicon the material of directional solidification until the completion of the crystal growth process; after the completion of growth followed by annealing and cooling to obtain the polycrystalline silicon ingot. The method of reducing oxygen content in polysilicon ingot can prepare polycrystalline ingot with lower oxygen content, which meets the requirement of practical application.

【技术实现步骤摘要】
一种降低多晶硅铸锭氧含量方法
本专利技术涉及晶体生长
，特别涉及一种降低多晶硅铸锭氧含量方法。
技术介绍
近来来，光伏发电作为一种新型的能源转换手段，由于其可再生、清洁等优点而逐渐成为主流的能源开发技术，越来越受到科研工作者的高度重视，在未来的能源领域中具有极大的发展潜力。目前制约光伏行业发展的关键因素包括两个方面：其一为光电转化效率低，其二为太阳能电池的制作成本偏高。众所周知的，光伏硅片是生产太阳能电池和组件的基本材料，用于生产光伏硅片的多晶硅纯度必须在6N级以上，否则光伏电池的性能将受到很大的负面影响。近年来，多晶硅片的生产技术有了非常显著的进步，具体的，多晶铸锭技术已从G4(每个硅锭重约270公斤，可切4×4＝16个硅方)进步到G5(5×5＝25个硅方)，直至到G6(6×6＝36个硅方)。与此同时，生产所得到的多晶硅铸锭的单位体积逐步增大，成品率也得到了一定的增加，且多晶硅铸锭的制造成本也在逐步降低。然而，在多晶铸锭的实际制造过程中，由于硅液与石英坩埚反应产生的含氧产物难以及时排出，容易溶解或沉积于多晶硅锭中，导致铸锭过程中的氧含量升高进而导致太阳能电池发生光致衰减的问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降低多晶硅铸锭氧含量方法，其特征在于，包括如下步骤：对一坩埚进行喷涂处理，向喷涂完成的所述坩埚中投入混合硅料；将填装有所述混合硅料的所述坩埚放置一铸锭炉后进行抽真空处理后进行加热直至所述混合硅料处于熔融状态；向所述铸锭炉中以预设气流速度通入氩气并将所述铸锭炉内的气压降低至第一气压后开始进行长晶作业；待所述混合硅料的熔融温度降至所述多晶硅铸锭的结晶温度后对所述混合硅料进行定向凝固直至完成长晶过程；待长晶完成之后依次进行退火与冷却以得到所述多晶硅铸锭。

【技术特征摘要】
1.一种降低多晶硅铸锭氧含量方法，其特征在于，包括如下步骤：对一坩埚进行喷涂处理，向喷涂完成的所述坩埚中投入混合硅料；将填装有所述混合硅料的所述坩埚放置一铸锭炉后进行抽真空处理后进行加热直至所述混合硅料处于熔融状态；向所述铸锭炉中以预设气流速度通入氩气并将所述铸锭炉内的气压降低至第一气压后开始进行长晶作业；待所述混合硅料的熔融温度降至所述多晶硅铸锭的结晶温度后对所述混合硅料进行定向凝固直至完成长晶过程；待长晶完成之后依次进行退火与冷却以得到所述多晶硅铸锭。2.根据权利要求1所述的降低多晶硅铸锭氧含量方法，其特征在于，所述预设气流速度为35.0～35.5slpm。3.根据权利要求1所述的降低多晶硅铸锭氧含量方法，其特征在于，所述第一气压为300-400mbar。4.根据权利要求1所述的降低多晶硅铸锭氧含量方法，其特征在于，所述坩埚为一石英坩埚，所述对一坩埚进行喷涂处理的步骤包括：配置用于喷涂所述坩埚的涂层喷涂液；将所述涂层喷涂液均匀地涂覆于所述坩埚的内表面上；将喷涂完成的所述坩埚在一烘干设备中进行烘干处理。5.根据权利要求4所述的降低多晶硅铸锭氧含量方法，其特征在于，所述涂层喷涂液包括氮化硅粉、硅溶胶以及高纯水，对应的质量百分比分别为30％、10％以及60％。6.根据权利要求5所述的降低多晶硅铸锭氧含量方法，其特征在于，所述氮化硅粉的粒径为1.1～2.0um，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨津玫，毛亮亮，
申请(专利权)人：晶科能源有限公司，浙江晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：江西,36