一种集成光耦合器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种集成光耦合器件及其制作方法，所述集成光耦合器件包括：背衬底；形成于所述背衬底上的埋氧层；形成于所述埋氧层上的顶层硅；所述顶层硅包括分立设置的第一硅岛及第二硅岛；形成于所述第一硅岛上的光发射器；形成于所述第二硅岛中的光接收器。本发明专利技术的集成光耦合器件及其制造方法可以实现光发射器与光接收器集成于同一绝缘衬底上，减少了器件在封装中的接合线，降低了噪声信号。同时，集成光耦合器件器件尺寸极小，甚至可用于芯片内电学隔离，也免去了封装的光学对准，提高了生产效率，降低了成本。

An integrated optocoupler device and its manufacturing method

The invention provides an integrated optical coupling device and its manufacturing method, the integrated optical coupling device comprises a back substrate; formed in the back of the buried oxide layer on a substrate; formed in the top silicon oxygen buried layer; the top layer includes a first silicon silicon island and two silicon island separately arranged; a light emitter formed on the first silicon island; optical receiver is formed on the silicon island in second. The integrated optical coupling device and the manufacturing method of the invention can realize the integration of the light emitter and the optical receiver on the same insulating substrate, reduce the bonding line of the device in the package, and reduce the noise signal. At the same time, the size of the integrated optical coupler device is very small, and even can be used for electrical isolation in the chip, and also eliminates the encapsulation of optical alignment, improves the production efficiency and reduces the cost.

【技术实现步骤摘要】
一种集成光耦合器件及其制造方法
本专利技术属于光耦合器件领域，涉及一种集成光耦合器件及其制造方法。
技术介绍
光耦合器件(或称光耦合器)包含至少一个光发射器件，该光发射器件通过光传输介质耦合至光接收器件。这种结构允许信息从包含光发射器件的一个电路传输至包含光接收器件的另一电路。而在所述两个电路之间保持高度电绝缘。信息通过光学传播的方式是通过电绝缘带。例如，光接收器件不能改变包含光发射器件的电路操作，形成电学上的隔离。例如，发射器可以被使用微处理器或逻辑门的低压电路所驱动，而输出光接收器件可以是高压DC或AC负载电路的一部分。所述情形下的电学隔离是必要的，防止了由于相对冲突的输出电路所引起的对输入电路的损害。众所周知，现有的技术方法皆以封装技术为基础，将原本分立的器件(光发射器件、光接收器件)，通过贴片、嵌入等方式贴合到绝缘衬底上，衬底上有预置的引线用以器件的连接和引出，而后用玻璃、环氧树脂等材料封装。图1所示的是现有的封装的光耦合器件侧视图。所示的封装光耦合器10包括衬底101以及在衬底101上的焊锡球102。LED(发光二极管)器件103以及光电晶体管器件104分别处于衬底101上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成光耦合器件，其特征在于，所述集成光耦合器件包括：背衬底；形成于所述背衬底上的埋氧层；形成于所述埋氧层上的顶层硅；所述顶层硅包括分立设置的第一硅岛及第二硅岛；形成于所述第一硅岛上的光发射器；形成于所述第二硅岛中的光接收器。

【技术特征摘要】
1.一种集成光耦合器件，其特征在于，所述集成光耦合器件包括：背衬底；形成于所述背衬底上的埋氧层；形成于所述埋氧层上的顶层硅；所述顶层硅包括分立设置的第一硅岛及第二硅岛；形成于所述第一硅岛上的光发射器；形成于所述第二硅岛中的光接收器。2.根据权利要求1所述的集成光耦合器件，其特征在于：所述顶层硅为本征硅、N型轻掺杂硅或P型轻掺杂硅，电阻率大于10Ω·cm。3.根据权利要求1所述的集成光耦合器件，其特征在于：所述顶层硅为111晶向。4.根据权利要求1所述的集成光耦合器件，其特征在于：所述光发射器为发光二极管或激光二极管。5.根据权利要求1所述的集成光耦合器件，其特征在于：所述光发射器为基于纵向外延氮化物材料的横向出光结构。6.根据权利要求5所述的集成光耦合器件，其特征在于：所述氮化物材料包括GaN、AlN、InN、InGaN及AlGaN材料中的一种或多种。7.根据权利要求1所述的集成光耦合器件，其特征在于：所述光接收器选自PN结硅光电二极管、PIN硅光电二极管、雪崩二极管及硅光电三极管中的任意一种。8.一种集成光耦合器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：提供一自下而上依次包括背衬底、埋氧层及顶层硅的SOI衬底；S2：在所述顶层硅的第一预设区域上形成光发射器，在所述顶层硅的第二预设区域中形成光接收器；S3：刻蚀所述顶层硅以将所述第一预设区域与第二预设区域隔离开，得到分立设置的第一硅岛及第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈龙，
申请(专利权)人：上海芯晨科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31