本发明提供一种单片集成的紫外焦平面器件及其制备方法，包括：制备于同一衬底上的光电二极管阵列和读出电路；提供一衬底，根据设计布局在所述衬底上刻蚀沟槽，确定各光敏元的位置；利用外延生长技术，在所述沟槽内逐层形成N型外延层及P型外延层；刻蚀所...

本发明提供一种大尺寸硅衬底III族氮化物外延生长方法，包括如下步骤：提供一硅衬底；将所述硅衬底放入反应腔体内，并使得所述硅衬底与水平面呈预设角度；所述预设角度大于0°；在所述硅衬底正反两面同时外延生长III族氮化物薄膜。本发明的大尺寸硅...

本发明提供一种III族氮化物薄膜的剥离转移方法，包括以下步骤：S1：提供一自下而上依次包括硅衬底、绝缘埋层及顶层硅的SOI衬底；S2：在所述顶层硅表面依次形成III族氮化物薄膜及绝缘帽层；S3：进行离子注入，在所述顶层硅中形成离子注入层...

本发明提供一种人民币防伪检测传感器及其制备方法，包括：单片集成的紫外发光二极管、蓝光光敏二极管及绿光光敏二极管；提供一衬底，根据设计布局在所述衬底上刻蚀沟槽，确定紫外发光二极管的位置；在所述沟槽内逐层形成缓冲层、N型外延层及P型外延层；...

本发明提供一种III族氮化物和硅异质集成衬底及其制造方法，所述III族氮化物和硅异质集成衬底包括：硅衬底；形成于所述硅衬底第一预设区域表面的III族氮化物叠层结构；形成于所述硅衬底第二预设区域表面的硅基叠层结构；所述硅基叠层结构自下而上...

本发明提供一种集成光耦合器件及其制作方法，所述集成光耦合器件包括：背衬底；形成于所述背衬底上的埋氧层；形成于所述埋氧层上的顶层硅；所述顶层硅包括分立设置的第一硅岛及第二硅岛；形成于所述第一硅岛上的光发射器；形成于所述第二硅岛中的光接收器...

本发明提供一种CMOS工艺兼容的环境光传感器及其制备方法，包括：提供一衬底，在所述衬底上形成外延层；在所述外延层中进行掺杂，以形成光敏二极管；将光敏二极管分为相间分布的两组，在其中一组光敏二极管上形成金属层。本技术发明采用两颗或者两组硅...

本发明提供一种III族氮化物和硅异质集成衬底及其制作方法，所述III族氮化物和硅异质集成衬底包括：硅衬底；形成于所述硅衬底上的III族氮化物叠层结构；形成于所述III族氮化物叠层结构上的绝缘层；以及形成于所述绝缘层上的顶层硅。本发明的I...