一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置制造方法及图纸
A thin film transistor and its manufacturing method, array substrate and display device
The present invention provides a thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof, and display device, relates to the field of display technology, can effectively improve the reliability of thin film transistor under illumination, and then improve the performance of the display device. Among them, the first active layer of thin film transistor comprises a substrate, a first active layer by forming a metal oxide semiconductor material doped with metal elements, the chemical active metal element doped chemical reactivity is higher than that of metal elements in the metal oxide semiconductor. The thin film transistor is used to realize the display of the picture.
【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置。
技术介绍
相较于非晶硅薄膜晶体管而言，氧化物薄膜晶体管具有高迁移率、良好的均匀性、低温工艺等优点，因此，基于氧化物薄膜晶体管的氧化物背板(Oxidebackplane，以下简称OxideBP)技术被普遍应用于实现高分辨率、高刷新频率、窄边框、低功耗的大尺寸有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，以下简称OLED)显示装置中。目前，虽然氧化物薄膜晶体管的开关特效已经得到了很大的提升，但是，由于氧化物薄膜晶体管的沟道材料的禁带宽度较小，氧化物薄膜晶体管在光照下的可靠性，例如负偏压温度光照稳定性(NegativeBiasTemperatureIlluminationStability，以下简称NBTIS)特性并不理想，这就势必会影响OLED显示装置所显示的画面的质量，即影响OLED显示装置的显示性能。
技术实现思路
本专利技术提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，可有效提高薄膜晶体管在光照下的可靠...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括设于衬底基板的第一有源层，所述第一有源层由掺杂有金属元素的金属氧化物半导体材料形成，所掺杂的金属元素的化学活泼性高于所述金属氧化物半导体中的金属元素的化学活泼性。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括设于衬底基板的第一有源层，所述第一有源层由掺杂有金属元素的金属氧化物半导体材料形成，所掺杂的金属元素的化学活泼性高于所述金属氧化物半导体中的金属元素的化学活泼性。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所掺杂的金属元素为镁。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括设在所述第一有源层背向所述衬底基板的表面的第二有源层，所述第二有源层由掺杂有非金属元素的金属氧化物半导体材料形成，其中，所掺杂的非金属元素的离子半径与氧的离子半径的差值在预设阈值范围内。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所掺杂的非金属元素为氮。5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括设在所述第二有源层背向所述第一有源层的表面的第三有源层，所述第三有源层由n型掺杂的氧化物半导体材料形成。6.根据权利要求1～5任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物半导体材料为铟镓锌氧化物半导体材料或氧化锌基半导体材料。7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋振，王国英，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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