显示基板、显示装置及显示基板的制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法，以改善薄膜晶体管的性能，提高显示装置的产品品质。显示基板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的底栅型薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：有源层，包括沿远离所述衬底基板的方向载流子浓度依次减小的第一浓度层、第二浓度层和第三浓度层，所述第二浓度层包括用于与源极连接的第一连接部和用于与漏极连接的第二连接部，所述第三浓度层曝露出所述第一连接部和所述第二连接部；刻蚀阻挡层，设置于所述有源层远离所述衬底基板的一侧且不超出所述第三浓度层的边缘；源极和漏极，设置于所述刻蚀阻挡层远离所述衬底基板的一侧且分别与所述第一连接部和所述第二连接部连接。

Display substrate, display device and manufacturing method of display substrate

The invention discloses a method for manufacturing a display substrate, a display device and a display substrate, in order to improve the performance of the thin-film transistor and improve the product quality of the display device. Show the bottom gate type thin film transistor substrate comprises a substrate and a substrate disposed on the substrate, the thin film transistor includes an active layer, including the carrier away from the substrate along the direction of the substrate concentration decreased by second, the concentration of the first layer and third layer concentration concentration layer, the second layer for polar concentration connected with the first connecting portion and the source and drain for connecting the second connecting part, the third concentration layer exposing the first connecting portion and the second connecting part; etching barrier layer disposed on the active layer from the substrate side of the substrate and not beyond the third concentration layer edge; a source electrode and a drain electrode is arranged on the etch stop layer away from the substrate side and connected with the first connecting portion and the second connecting part.

【技术实现步骤摘要】
显示基板、显示装置及显示基板的制作方法
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)是场效应晶体管的种类之一，主要应用于平板显示装置中。薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。有源矩阵有机发光二极管(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode，简称AMOLED)显示技术被称为新一代显示技术，其采用独立的TFT去控制每个发光单元，每个发光单元皆可以连续且独立的驱动发光。相比传统的TFT-LCD，AMOLED显示装置具有画面切换快、视角宽、发光效率高、对比度高、可柔性和超薄显示等优势。上述显示装置的显示基板上的TFT通常包括顶栅和底栅两种类型。如图1所示，现有一种底栅型TFT包括：在衬底基板10上依次设置的栅极01、绝缘层02、有源层03、刻蚀阻挡层04和源漏极层，源漏极层的源极05和漏极06相对设置且分别与有源层03连接。对于性能优良的TFT，需要具备较大的阈值电压，较高的开关态电流比，较小的亚阈值摆幅，以及较高的稳定性，这些对有源层的结构、表面缺陷态、载流子浓度和载流子迁移率等特性提出了较高的要求。然而，有源层的上述特性对TFT性能的影响存在非单一性，这为TFT性能的研究改善带来了很大的困难。例如，若要TFT具备较大的阈值电压，就需要有源层具有较低的载流子浓度和较低的载流子迁移率；若要TFT具备较高的开关态电流比，则又需要有源层具有较高的载流子浓度和较高的载流子迁移率。因此，如何提高TFT的性能，从而提高显示装置的产品品质，是本专利技术亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的是提供一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法，以改善TFT的性能，提高显示装置的产品品质。本专利技术实施例所提供的显示基板，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的底栅型TFT，所述TFT包括：有源层，包括沿远离所述衬底基板的方向载流子浓度依次减小的第一浓度层、第二浓度层和第三浓度层，所述第二浓度层包括用于与源极连接的第一连接部和用于与漏极连接的第二连接部，所述第三浓度层曝露出所述第一连接部和所述第二连接部；刻蚀阻挡层，设置于所述有源层远离所述衬底基板的一侧且不超出所述第三浓度层的边缘；源极和漏极，设置于所述刻蚀阻挡层远离所述衬底基板的一侧且分别与所述第一连接部和所述第二连接部连接。在本专利技术实施例技术方案中，有源层的第一浓度层具有较高的载流子浓度和迁移率，从而可以提高TFT的开态电流；第二浓度层的第一连接部和第二连接部分别与源极和漏极连接，当TFT启动时，可以为第一浓度层传输载流子，从而可以提高TFT的阈值电压；第三浓度层的载流子浓度最低，当采用等离子体增强化学气相沉积方式形成刻蚀阻挡层的膜层时，第三浓度层可以有效阻挡气体氛围中的氢原子向沟道区扩散，从而增加了TFT的稳定性。采用该技术方案，TFT的性能显著改善，从而使得包含该显示基板的显示装置的产品品质显著提高。可选的，所述有源层的材质包括氧化物半导体，所述氧化物半导体包括铟镓锌氧化物IGZO。氧化物半导体具有迁移率高、亚阈值摆幅较小、关态电流低、可在室温下制备，以及可用于大面积显示等优点。较佳的，所述第一浓度层的载流子浓度为1018～1020/cm2，所述第二浓度层的载流子浓度为1015～1018/cm2。优选的，所述第二浓度层和所述第三浓度层位于同一结构膜层，且与所述第一浓度层位于不同的结构膜层。较佳的，所述刻蚀阻挡层边缘与所述第三浓度层边缘的间距为0.1～1μm。这样设计可以降低工艺管控难度，从而降低生产成本。具体的，所述TFT还可包括：设置于所述衬底基板的栅极，以及设置于所述栅极远离所述衬底基板一侧并覆盖所述栅极的绝缘层；所述有源层设置在所述绝缘层远离所述衬底基板的一侧并与所述栅极位置相对。本专利技术实施例还提供一种显示装置，包括前述任一技术方案所述的显示基板。由于显示基板的TFT性能较佳，因此，显示装置也具有较佳的产品品质。本专利技术实施例还提供一种显示基板的制作方法，包括在衬底基板一侧制作底栅型TFT，所述在衬底基板一侧制作底栅型TFT，包括以下步骤：形成有源层，所述有源层包括沿远离所述衬底基板的方向载流子浓度依次减小的第一浓度层、第二浓度层和第三浓度层，其中，所述第二浓度层包括用于与源极连接的第一连接部和用于与漏极连接的第二连接部，所述第三浓度层曝露出所述第一连接部和所述第二连接部；在所述有源层远离所述衬底基板的一侧，形成不超出所述第三浓度层边缘的刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层远离所述衬底基板的一侧，形成分别与所述第一连接部和所述第二连接部连接的源极和漏极。采用本专利技术实施例方法制作的显示基板，TFT的性能较佳，该显示基板应用于显示装置，显示装置的产品品质也较高。具体的，在所述形成有源层的步骤之前，所述制作方法还可包括：在所述衬底基板上形成栅极；在所述栅极远离所述衬底基板的一侧形成覆盖所述栅极的绝缘层。较佳的，所述形成有源层，具体包括以下步骤：依次形成第一有源膜层、第二有源膜层和光刻胶膜层，所述第一有源膜层的载流子浓度大于所述第二有源膜层的载流子浓度；以掩模板为保护掩模，对所述光刻胶膜层进行曝光，使所述光刻胶膜层对应所述第一有源膜层和所述第二有源膜层的刻蚀区的区域完全曝光，对应所述第一连接部和所述第二连接部的区域未曝光，对应所述第三浓度层的区域部分曝光；对曝光后的所述光刻胶膜层进行显影；以显影后的所述光刻胶膜层为保护掩模，对所述第一有源膜层和所述第二有源膜层进行刻蚀；对所述光刻胶膜层进行灰化，去除所述光刻胶膜层对应所述第三浓度层的区域的光刻胶；以灰化后的所述光刻胶膜层为保护掩模，对所述第二有源膜层进行表面载流子浓度降低的处理；去除所述第二有源膜层表面残留的所述光刻胶膜层。可选的，所述第一有源膜层和所述第二有源膜层的材质为氧化物半导体，所述氧化物半导体包括铟镓锌氧化物IGZO。较佳的，形成所述第一有源膜层的气体氛围的氧气O2的浓度比例大于零且不大于10％；形成所述第二有源膜层的气体氛围的氧气O2的浓度比例大于10％且不大于50％。较佳的，所述以灰化后的所述光刻胶膜层为保护掩模，对所述第二有源膜层进行表面载流子浓度降低的处理，包括：以灰化后的所述光刻胶膜层为保护掩模，对所述第二有源膜层进行含氧等离子体轰击处理。较佳的，所述形成第一有源膜层，包括：对所述第一有源膜层远离所述衬底基板的一侧表面进行氩气Ar等离子体轰击处理。附图说明图1为现有显示基板的底栅型TFT示意图；图2为本专利技术一实施例显示基板的TFT示意图；图3为本专利技术一实施例中有源层与刻蚀阻挡层示意图；图4为本专利技术一实施例显示装置示意图；图5为本专利技术一实施例显示基板的制作方法流程图；图6为本专利技术一实施例中有源层的制作方法流程图；图7为本专利技术一实施例中有源层的制作流程示意图。附图标记：现有技术部分：10-衬底基板；01-栅极；02-绝缘层；03-有源层；04-刻蚀阻挡层；05-源极；06-漏极。本专利技术实施例部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示基板，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的底栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：有源层，包括沿远离所述衬底基板的方向载流子浓度依次减小的第一浓度层、第二浓度层和第三浓度层，所述第二浓度层包括用于与源极连接的第一连接部和用于与漏极连接的第二连接部，所述第三浓度层曝露出所述第一连接部和所述第二连接部；刻蚀阻挡层，设置于所述有源层远离所述衬底基板的一侧且不超出所述第三浓度层的边缘；源极和漏极，设置于所述刻蚀阻挡层远离所述衬底基板的一侧且分别与所述第一连接部和所述第二连接部连接。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的底栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：有源层，包括沿远离所述衬底基板的方向载流子浓度依次减小的第一浓度层、第二浓度层和第三浓度层，所述第二浓度层包括用于与源极连接的第一连接部和用于与漏极连接的第二连接部，所述第三浓度层曝露出所述第一连接部和所述第二连接部；刻蚀阻挡层，设置于所述有源层远离所述衬底基板的一侧且不超出所述第三浓度层的边缘；源极和漏极，设置于所述刻蚀阻挡层远离所述衬底基板的一侧且分别与所述第一连接部和所述第二连接部连接。2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述有源层的材质包括氧化物半导体，所述氧化物半导体包括铟镓锌氧化物IGZO。3.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一浓度层的载流子浓度为1018～1020/cm2，所述第二浓度层的载流子浓度为1015～1018/cm2。4.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二浓度层和所述第三浓度层位于同一结构膜层，且与所述第一浓度层位于不同的结构膜层。5.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层边缘与所述第三浓度层边缘的间距为0.1～1μm。6.如权利要求1～5任一项所述的显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：设置于所述衬底基板的栅极，以及设置于所述栅极远离所述衬底基板一侧并覆盖所述栅极的绝缘层；所述有源层设置在所述绝缘层远离所述衬底基板的一侧并与所述栅极位置相对。7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～6任一项所述的显示基板。8.一种显示基板的制作方法，包括在衬底基板一侧制作底栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述在衬底基板一侧制作底栅型薄膜晶体管，包括以下步骤：形成有源层，所述有源层包括沿远离所述衬底基板的方向载流子浓度依次减小的第一浓度层、第二浓度层和第三浓度层，其中，所述第二浓度层包括用于与源极连接的第一连接部和用于与漏极连接的第二连接部，所述第三浓度层曝露出所述第一连接部和所述第二连接部；在所述有源层远离所述衬底基板的一侧，形成不超出...

【专利技术属性】
技术研发人员：晏国文，董正逵，费强，徐伟齐，
申请(专利权)人：上海天马有机发光显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31