双极结型晶体管的紧凑器件结构制造技术

一双极结型晶体管的紧凑器件结构及使用一衬底制造一器件结构的方法。一个或多个主沟槽隔离区域围绕该衬底的一有源器件区域以及该衬底的一集电极接触区域的周围而形成。一基极层形成于该有源器件区域以及该集电极接触区域上，且该有源器件区域包括一集电极。各主沟槽隔离区域垂直延伸至该衬底内的一第一深度。一沟槽横向位于该基极层与该集电极接触区域之间而形成，并垂直延伸通过该基极层并延伸至该衬底内小于该第一深度的一第二深度。一介电质形成于该沟槽内以形成一次沟槽隔离区域。一发射极形成于该基极层上。

Compact device structure of bipolar junction transistor

Compact device structure of a bipolar junction transistor and method of fabricating device structure using a substrate. One or more main trench isolation regions are formed around an active device region of the substrate and a collector contact region of the substrate. A base layer is formed on the active device region and the contact area of the collector, and the active device region includes a collector. The main trench isolation regions extending vertically into the substrate in a first depth. A trench is formed between the base layer and the contact area of the collector, and extends perpendicularly through the base layer and extends to a second depth below the first depth in the substrate. A dielectric is formed in the grooves to form a trench isolation region. An emitter is formed on the base layer.

【技术实现步骤摘要】
双极结型晶体管的紧凑器件结构
本专利技术涉及半导体器件制造，尤指用于双极结型晶体管的双极结型晶体管及制造方法。
技术介绍
除了其他的最终用途之外，双极结型晶体管(bipolarjunctiontransistor)可应用于高频以及高功率的应用中。尤其是双极结型晶体管可在无线通信系统与移动器件、开关、以及振荡器等的放大器中找到具体的最终用途。双极结型晶体管同样也可用于高速逻辑电路。一双极结型晶体管为包括一发射极(emitter)、一本征基极(intrinsicbase)、以及由不同半导体材料的区域所定义的一集电极(collector)的一三端电子器件。一异质结双极晶体管(heterojunctionbipolartransistor)为一双极结型晶体的变种，其中，集电极、发射极、以及本征基极中的至少两种是由不同能量带隙的半导体材料所组成的。于该器件结构中，该本征基极位于该发射极与集电极之间。一NPN双极结型晶体管可包括构成该发射极与集电极的n型半导体材料的区域，以及构成该本征基极的一p型半导体材料的区域。一PNP双极结型晶体管包括构成该发射极以及集电极的p型半导体材料的区域，以及构成该本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种使用一衬底形成的一器件结构，该器件结构包括：一个或多个主沟槽隔离区域，其位于该衬底的一有源器件区域以及该衬底的一第一集电极接触区域的周围，各该主沟槽隔离区域垂直延伸至该衬底内的一第一深度，且该有源器件区域包括一集电极；一基极层，其位于该有源器件区域上；一发射极，其位于该基极层上；以及一第一次沟槽隔离区域，其垂直延伸通过该基极层并延伸至该衬底内小于该第一深度的一第二深度，该第一次沟槽隔离区域横向位于该基极层与该第一集电极接触区域之间。

【技术特征摘要】
2016.03.25 US 15/081,4431.一种使用一衬底形成的一器件结构，该器件结构包括：一个或多个主沟槽隔离区域，其位于该衬底的一有源器件区域以及该衬底的一第一集电极接触区域的周围，各该主沟槽隔离区域垂直延伸至该衬底内的一第一深度，且该有源器件区域包括一集电极；一基极层，其位于该有源器件区域上；一发射极，其位于该基极层上；以及一第一次沟槽隔离区域，其垂直延伸通过该基极层并延伸至该衬底内小于该第一深度的一第二深度，该第一次沟槽隔离区域横向位于该基极层与该第一集电极接触区域之间。2.根据权利要求1所述的器件结构，其特征为，该第一集电极接触区域横向位于该第一次沟槽隔离区域与该一个或多个主沟槽隔离区域的其中一者之间，且还包括：一第一接触件，其耦接该第一集电极接触区域，其中，该第一次沟槽隔离区域横向位于该第一接触件与该发射极之间。3.根据权利要求2所述的器件结构，其特征为，该器件结构还包括：一第二接触件，其耦接该基极层，其中，该第二接触件与该一个或多个主沟槽隔离区域的其中一者垂直对齐。4.根据权利要求1所述的器件结构，其特征为，该器件结构还包括：一接触件，其耦接该基极层，其中，该接触件与该一个或多个主沟槽隔离区域的其中一者垂直对齐。5.根据权利要求4所述的器件结构，其特征为，该发射极横向位于该接触件与该第一次沟槽隔离区域之间。6.根据权利要求1所述的器件结构，其特征为，该发射极包括一单发射极指，该单发射极指横向位于该第一次沟槽隔离区域与该一个或多个主沟槽隔离区域的其中一者之间。7.根据权利要求1所述的器件结构，其特征为，该第一次沟槽隔离区域位于垂直延伸通过该基极层的一沟槽中以定义一边缘，且该第一次沟槽隔离区域横向位于该基极层的该边缘与该第一集电极接触区域之间。8.根据权利要求7所述的器件结构，其特征为，该第一次沟槽隔离区域的一部分在该有源器件区域内横向延伸以底切该基极层的一部分。9.根据权利要求1所述的器件结构，其特征为，该第一次沟槽隔离区域的一部分与该基极层沿着一边缘并列，且该边缘平行于该发射极的一纵轴延伸。10.根据权利要求1所述的器件结构，其特征为，该一个或多个主沟槽隔离区域还围绕该衬底的一第二集电极接触区域，该发射极包括一第一发射极指以及一第二发射极指，且还包括：一第二次沟槽隔离区域，其延伸通过该基极层并延伸至该衬底中的该第二深度，该第二次沟槽隔离区域横向位于该基极层与该第二集电极接触区域之间。11.根据权利要求10所述的器件结构，其特征为，该第一次沟槽隔离区域横向位于该第一发射极指与该第一集电极接触区域之间，该第二次沟槽隔离区域横向位于该第二发射极指与该第二集电极接触区域之间。12.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：夫厚尔·杰恩，瑞纳塔·卡米罗卡斯罗，刘岂之，J·J·派卡里克，亚文·J·乔瑟夫，P·B·格雷，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛,KY